「III type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

Each layer of a group-III nitride semiconductor light-emitting element is made of a group-III nitride semiconductor, and the group-III nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type-layer-side cladding layer 103, a light-emitting layer 104, and a p-type-layer-side cladding layer 106.例文帳に追加

各層がIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

A light emitting layer 12 made of a group III-V nitride semiconductor is formed between a first semiconductor layer 11 made of an n-type group III-V nitride semiconductor and a second semiconductor layer 13 made of a p-type group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。 - 特許庁

After a group III nitride crystal 1 containing at least both a p-type impurity and hydrogen is grown, a surface layer 2 is removed entirely or partially from the group III nitride crystal 1 to produce a p-type group III nitride semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶１を成長させた後、III族窒化物結晶１の表面層２の全部または一部を除去してｐ型III族窒化物半導体３を作製する。 - 特許庁

(iii) Type, height and altitude and height above sea level of installed object 例文帳に追加

三　設置した物件の種類、高さ及び海抜高 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Study of Hazardous Properties of Type III Monitoring Chemical Substances 例文帳に追加

第三種監視化学物質に係る有害性の調査 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) Containment measures to be taken in Type 2 Use 例文帳に追加

三　第二種使用等において執る拡散防止措置 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, N-TYPE GROUP III NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板 - 特許庁

METHOD OF FORMING p-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体の形成方法 - 特許庁

To obtain low resistance between an n-type electrode and an n-type layer composed of a III nitride-system compound semiconductor.例文帳に追加

ｎ型電極とIII族窒化物系化合物半導体からなるｎ型層と間に更なる低抵抗化を得る。 - 特許庁

Cell lines which overexpress a Type III mutant EGF receptor are provided.例文帳に追加

細胞系を、III型突然変異ＥＧＦ受容体の過剰発現に対して提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an ohmic electrode of an n-type group III nitride semiconductor with low contact resistance.例文帳に追加

低コンタクト抵抗なｎ型III 族窒化物半導体のオーミック電極の形成方法。 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride semiconductor having a high Si concentration and good crystallinity.例文帳に追加

Ｓｉ濃度が高く、結晶性のよいｎ型III 族窒化物半導体を製造すること。 - 特許庁

An AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 is used as a group III nitride type compound semiconductor element substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１を用いる。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor region 19 includes a group III nitride semiconductor film 21 containing magnesium as a p-type dopant, and the group III nitride semiconductor film 21 contains aluminum as a group III constituent element.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

To provide a p-type electrode superior in light transmission for group III nitride semiconductor light emitting elements and a group III nitride semiconductor light emitting element utilizing the same.例文帳に追加

光透過性に優れた III族窒化物半導体発光素子用ｐ型電極と、それを利用した III族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is composed of an InAlGaN layer, and the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is composed of a semiconductor different from a material of the InAlGaN layer.例文帳に追加

第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。 - 特許庁

In another embodiment, a surface of a p-type layer of an acceptor-doped III to V group is covered with a n-type layer positioned over.例文帳に追加

別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-Ｖ族ｐ型層の表面は、上に位置するｎ型層によって覆われる。 - 特許庁

PN JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

(iii) the type of Specified Assets pertaining to the Specified Bonds for Subscription; 例文帳に追加

三　募集特定社債に係る特定資産の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加

ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体およびその製造方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体とその製造方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

The p-type clad layer 54 and the buried layer 56 are made of group III-V compound semiconductor containing p-type first dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５４及び埋め込み層５６はｐ型の第１ドーパントを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

To provide a normally-off type group III nitride semiconductor device having a large breakdown field strength and almost no crystal defects, and also to provide a group III nitride semiconductor laminate wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

破壊電界強度が大きく、結晶欠陥が少ないノーマリーオフ型のIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁

To improve the light retrieving efficiency of a flip-chip type group III nitride compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

フリップチップ型のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の光取出し効率向上。 - 特許庁

The antagonists can target, for example, denatured collagens type-I, type-II, type-III, type-IV, type-V and combinations thereof.例文帳に追加

本発明のアンタゴニストは、例えばＩ型、ＩＩ型、ＩＩＩ型、ＩＶ型、Ｖ型変性コラーゲンおよびそれらの組合せを標的にし得る。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

Respective active layers 6, 46 are arranged between respective semiconductor parts 8, 48 each containing a 1st conductive type III-V group compound semiconductor and semiconductor parts 10, 50 each containing a 2nd conductive type III-V group compound semiconductor.例文帳に追加

活性層6,46は、第１導電型III−Ｖ系化合物半導体を含む半導体部8,48と第２導電型III−Ｖ系化合物半導体を含む半導体部10,50との間に配置されている。 - 特許庁

To provide a p-type conductive group III nitride series semiconductor or the like, capable of being easily manufactured without necessitating annealing of the group III nitride series semiconductor in which p-type impurities are doped and activated.例文帳に追加

Ｐ型不純物がドープされ活性化されたIII族窒化物系半導体をアニールを必要とせずに容易に製造可能なＰ型導電性のIII族窒化物系半導体等を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor element has an MQW active layer 43 made of a first group III nitride semiconductor and a p-type contact layer 45 made of a second group III nitride semiconductor doped with the p-type impurities.例文帳に追加

半導体素子は、第１のIII族窒化物半導体からなるＭＱＷ活性層４３と、ｐ型不純物がドーピングされた第２のIII族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層４５とを有している。 - 特許庁

(iii) the type of spent fuel to be stored and the storage capacity, 例文帳に追加

三　貯蔵する使用済燃料の種類及び貯蔵能力 - 日本法令外国語訳データベースシステム

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、およびｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体用の電極の製造方法 - 特許庁

To provide a fibronectin type III (Fn3) molecule.例文帳に追加

本発明は、ＩＩＩ型フィブロネクチン（Ｆｎ３）分子を提供すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

WURTZITE-TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ウルツ鉱型ＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜とその製造法 - 特許庁

To provide a junction type group III nitride transistor configured to be fabricated without regrowing a p-type semiconductor and a low-concentration n-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体および低濃度ｎ型半導体の再成長を行うことなく作製可能な構造を有する接合型III族窒化物トランジスタを提供する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer group comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all the group III elements is formed on the light emitting layer.例文帳に追加

次いで、前記発光層上に全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

To provide a III group nitride semiconductor light-emitting device n-type electrode which is low in contact resistance and is superior in bondability, and a III group nitride semiconductor light-emitting device utilizing the same.例文帳に追加

接触抵抗が低く、ボンダビリティーに優れた III族窒化物半導体発光素子用ｎ型電極と、それを利用した III族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a low resistance p-type group III nitride semiconductor in which deterioration of surface is suppressed, a group III nitride semiconductor and a semiconductor device.例文帳に追加

表面の劣化が少なく、かつ、低抵抗のｐ型III族窒化物半導体を作製することの可能なIII族窒化物半導体の作製方法およびIII族窒化物半導体および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer group, comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all group III elements, having a carrier density of 1×10^16/cm^2or more is formed on the group III nitride base layer.例文帳に追加

次いで、前記III族窒化物下地層の上方において、全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるキャリア密度１×１０^16／ｃｍ^2以上のｐ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

A group III nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。 - 特許庁