「MIM device」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DEVICE, AND METHOD (MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD)例文帳に追加

デバイス、方法（ＭＩＭキャパシタおよびその製造方法） - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED WITH METAL INSULATOR METAL (MIM) STRUCTURE RESISTOR例文帳に追加

ＭＩＭ構造抵抗体を搭載した半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置とその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MIM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ型キャパシタを有する半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH MIM CAPACITIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備える半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR IC DEVICE CONTAINING MIM CAPACITOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを含む半導体集積回路素子およびその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MIM capacitive element wherein electric capacitance of the MIM capacitive element per unit area is increased.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置において、ＭＩＭ容量素子の単位面積あたりの電気容量を大きくする。 - 特許庁

To form a high-capacity, highly-reliable MIM capacitor in a simple production method in a semiconductor device having a MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを有する半導体装置において、高容量で信頼性の高いＭＩＭキャパシタを簡易な製造方法で形成する。 - 特許庁

CAPACITY ELEMENT OF MIM STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

ＭＩＭ構造の容量素子及びそれを有する半導体集積回路装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which the capacitance of a MIM (metal-insulator-metal) capacitor increases, while the occupancy area of the MIM capacitor is kept small.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの専有面積を小さく保ったまま、ＭＩＭキャパシタの容量を大きくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing breakdown voltage of an MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの耐圧を高めることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

ENCAPSULATING METAL STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MIM CAPACITOR INCLUDING THE SAME STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置用のカプセル化金属構造および同構造を含むＭＩＭキャパシタ - 特許庁

To provide a display device using an MIM electron source excellent in lifetime and in gray scale controllability.例文帳に追加

長寿命と階調制御性が優れたＭＩＭ電子源を用いた表示装置 - 特許庁

To provide an MIM capacitor having a predetermined capacitance and a semiconductor device including it.例文帳に追加

一定のキャパシタンスを有するＭＩＭキャパシタ及びこれを含む半導体素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the MIM capacitive element (100) consisting of a lower electrode (3), a dielectric capacitive film (4) and an upper electrode (5) formed on a substrate (1), and a dummy MIM capacitive element (101) wherein the substrate is covered with an insulating film (6) including the MIM capacitive element and the dummy MIM capacitive element.例文帳に追加

基板（１）上に形成された下部電極（３）−誘電体容量膜（４）−上部電極（５）で構成されるＭＩＭ容量素子（１００）とダミーＭＩＭ容量素子（１０１）を備え、ＭＩＭ容量素子上とダミーＭＩＭ容量素子上とを含む基板上を絶縁膜（６）で覆う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which is provided with a highly reliable MIM capacitor.例文帳に追加

信頼性の高いＭＩＭキャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a capacitor having a high reliable MIM (Metal Insulator Metal) structure.例文帳に追加

信頼性の高いＭＩＭ構造を有するキャパシタを設けた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device including a MIM capacitor and a wiring structure which utilizes a damascene process.例文帳に追加

ダマシン工程を利用してＭＩＭキャパシタおよび配線構造を含む半導体装置を製造する。 - 特許庁

MIM CAPACITOR, ITS MANUFACTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AIR-BRIDGE METALLIC WIRING AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタ、その製造方法、半導体装置、エアブリッジ金属配線、およびその製造方法 - 特許庁

To reduce the temperature dependency of the leakage current of the capacitor of a semiconductor device which has a MIM structure, and further, to improve the reliability of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＩＭ構造のキャパシタのリーク電流の温度依存性を小さくし、更にその信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the reliability of an MIM capacitor is improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの信頼性を向上させた半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having highly reliable buried wirings and an MIM capacitor.例文帳に追加

信頼性の高い埋込配線とＭＩＭキャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having copper wiring layers and an MIM capacitor and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

銅配線層とＭＩＭ型キャパシタを有する半導体装置及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the high reliability of an MIM capacitive element by improving the structure of the MIM capacitive element and the manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、ＭＩＭ容量素子の高信頼性の向上を可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the low-cost metal nitride film can be used for the upper and lower electrodes, in place of an expensive Pt film, and the manufacturing cost of the MIM device and the electronic apparatus that employ the MIM device can be reduced substantially.例文帳に追加

また、上下の電極に高価なＰｔ膜の代りに安価な金属窒化膜を使うことができ、ＭＩＭ素子およびかかるＭＩＭ素子を使った電子装置の製造費用が実質的に低減される。 - 特許庁

To provide the method for manufacturing a liquid crystal display device which reduces defect of a two-terminal nonlinear device such as an MIM device caused by dielectric breakdown.例文帳に追加

ＭＩＭ素子等の２端子非線形素子の静電破壊による不良を低減することのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an MIM capacitor capable of utilizing a wiring region directly under the MIM capacitor as a wiring, and capable of preventing the number of wiring layers and an IC chip area from increasing, in the spatially constituted MIM capacitor capable of raising a capacitance density, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

容量密度を高めることが可能な、立体構造のＭＩＭキャパシタにおいてＭＩＭキャパシタ直下の配線領域が配線として利用でき、配線層数の増大や、ＩＣチップ面積の増大を防ぐことのできるＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which does not need a specific process for forming a capacitor in the semiconductor device equipped with an MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置において、キャパシタを形成するための特別な工程を必要としない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, by which a capacitor having an MIM structure can be formed using a small number of masks.例文帳に追加

ＭＩＭ構造のキャパシタを、少ないマスク枚数で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents a decrease in breakdown voltage of an MIM capacitor and deterioration in moisture resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの耐圧低下や耐湿劣化を防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, which can attempt an occupied area of an MIM capacitance element to reduce.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の占有面積の縮小を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, it is possible to provide a plastic liquid crystal display device, which has a high-performance MIM and a reflective pixel electrode 2.例文帳に追加

また、高性能なＭＩＭと反射性絵素電極２とを備えたプラスチック液晶表示装置を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device allowing efficient evaluation with varying number of loaded MIM capacitors, and a layout method of the same.例文帳に追加

ＭＩＭ容量の搭載数を変化させた評価を、効率良く行うことができる半導体装置及びそのレイアウト方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of achieving high integration even if an MIM capacitor is added thereto, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを追加しても高集積化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent luminance unevenness of pixels by voltage drop of line wiring in a display device using a MIM type electron emission element.例文帳に追加

ＭＩＭ型電子放出素子を用いた表示装置において、行配線の電圧降下による画素の輝度むらを防止する。 - 特許庁

To improve dimension accuracy and to give a stable capacitance value in a semiconductor device that includes a capacitor in an MIM structrue.例文帳に追加

ＭＩＭ構造のキャパシタを含む半導体装置において、寸法精度を高めるとともに安定した容量値を与える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a MIM capacitor with advantages in water resistance and oxidation resistance even if formed between wiring layers.例文帳に追加

配線層間に形成しても耐水性および耐酸化性に優れた、ＭＩＭキャパシタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a PIN diode and an MIM capacitor, and having a structure capable of shortening its manufacturing process.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードとＭＩＭキャパシタとを備え、その製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is downsized when a GaN-based HEMT and an MIM capacitor are formed on the same substrate, and also to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系ＨＥＭＴ及びＭＩＭキャパシタを同一基板上に設ける場合でも小型化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor capacitive device 1 comprises: an upper electrode 12 constituting an MIM (Metal Insulator Metal) capacitance 10; a lower electrode 14; a dielectric 16; an upper electrode 22 constituting an MIM capacitance 20; a lower electrode 24; and a dielectric 26.例文帳に追加

半導体容量装置１は、ＭＩＭ容量１０を構成する上部電極１２、下部電極１４および誘電体１６、ならびにＭＩＭ容量２０を構成する上部電極２２、下部電極２４および誘電体２６を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 2 includes surface electrodes 30 planarly extending on the MIM capacitor 20 formed from the surface 10T of the semiconductor chip 10 to the lateral faces 10L, 10R to contact the inner electrode 21 of the MIM capacitor 20.例文帳に追加

半導体装置２は、半導体チップ１０の表面１０Ｔ上から側面１０Ｌ、１０Ｒに形成されたＭＩＭキャパシタ２０上に平面的に延びて、ＭＩＭキャパシタ２０の内部電極２１に接触した表面電極３０を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a MIM capacitor, in which a via hole is not essential and which can achieve large capacitor capacitance though in a small chip size and has a high degree of freedom in setting potentials of an inner electrode and an outer electrode of the MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを備え、バイアホールを必須とせず、小さなチップサイズにおいても大きなキャパシタ容量を実現することができ、ＭＩＭキャパシタの内部電極と外部電極の電位の設定自由度が高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents lower and upper metals of a MIM capacitor from short circuiting, and a method for manufacturing the semiconductor device, with respect to the semiconductor device on a semiconductor substrate of which the MIM capacitor is formed and the method for manufacturing same.例文帳に追加

本発明は半導体基板上にＭＩＭキャパシタが形成された半導体装置およびその半導体装置の製造方法に関するものであり、ＭＩＭキャパシタの下地メタルと上地メタルがショートすることを防止する半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technique for improving reliability of a capacitive element in a semiconductor device having the capacitive element of an MIM structure.例文帳に追加

ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体装置において、容量素子の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing a parasitic capacitance generated between a signal line and a capacitor 11 of a MIM structure regardless of a formation position of the signal line.例文帳に追加

信号線の形成位置に関わらず、信号線とＭＩＭ構造のキャパシタ１１との間で発生する寄生容量が抑制できるようにする。 - 特許庁