MOCVDを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 291件
METHOD FOR ELIMINATING RESIDUE IN MOCVD例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ残渣の除去方法 - 特許庁
The film of the above material can be formed on a substrate by the MOCVD method at ≤600°C.例文帳に追加
MOCVD法で基板上に600℃以下の温度で成膜することができる。 - 特許庁
BUBBLER REPLACEMENT METHOD IN MOCVD SYSTEM例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ装置のバブラー交換方法 - 特許庁
MOCVD DEVICE AND CLEANING METHOD THEREOF例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ装置及びそのクリーニング方法 - 特許庁
A single crystal substrate is loaded on an MOCVD apparatus to increase its temperature from a room temperature up to 1,000°C for 20 minutes.例文帳に追加
単結晶基板をMOCVD装置に装填して室温から1,000℃まで20分かけて昇温する。 - 特許庁
The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加
V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁
The method for eliminating the MOCVD residue eliminates the MOCVD residue by opening the MOCVD device (1) after adding water (C) to the MOCVD residue to make its moisture content not less than 15 mass%.例文帳に追加
本発明のＭＯＣＶＤ残渣の除去方法は、ＭＯＣＶＤ残渣に水(C)を加えて含水率１５質量％以上としてからＭＯＣＶＤ装置(1)を開放し、ＭＯＣＶＤ残渣を除去することを特徴とする。 - 特許庁
The positive electrode layer is formed by MOCVD apparatus.例文帳に追加
正極層は、ＭＯＣＶＤ装置により形成する。 - 特許庁
METHOD FOR RECYCLING ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR MOCVD例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ用の有機金属化合物のリサイクル方法 - 特許庁
VAPORIZER FOR MOCVD, AND METHOD OF VAPORIZING INGREDIENT SOLUTION例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法 - 特許庁
Because of this structure, precise positioning of the injection nozzle can be done easily and the composition of an MOCVD film can be controlled with high accuracy.例文帳に追加
噴出ノズルの正確な位置合わせが容易になり、MOCVD膜の組成を高い精度で制御できるようになった。 - 特許庁
SOURCE ALTERNATE MOCVD PROCESS OF DEPOSITING TUNGSTEN NITRIDE THIN FILM AS BARRIER LAYER FOR MOCVD COPPER INTERCONNECTION例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ銅インターコネクトのためのバリア層としてタングステンナイトライド薄膜を堆積するソースオールタネイトＭＯＣＶＤプロセス - 特許庁
MULTI-CHAMBER MOCVD GROWTH APPARATUS FOR HIGH PERFORMANCE/HIGH THROUGHPUT例文帳に追加
高性能／高スループット複数チャンバＭＯＣＶＤ成長装置 - 特許庁
COPPERR RAW MATERIAL SOLUTION FOR MOCVD TREATMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ処理用の銅原料液及びその製造方法 - 特許庁
FEEDBACK CONTROL SYSTEM FOR RAW MATERIAL FEED IN MOCVD SYSTEM例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ装置における原料供給フィードバック制御システム - 特許庁
A MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) apparatus 1 is furnished with a susceptor 5 and a passage 11.例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ装置１は、サセプタ５と、通路１１とを備えている。 - 特許庁
PRESSURIZED GAS SUPPLY SYSTEM, MOCVD APPARATUS, AND PRESSURIZED GAS SUPPLY METHOD例文帳に追加
加圧ガス供給システム、ＭＯＣＶＤ装置、および、加圧ガス供給方法 - 特許庁
POWDER RAW MATERIAL VAPORIZING DEVICE AND PLASMA MOCVD DEVICE USING IT例文帳に追加
粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマＭＯＣＶＤ装置 - 特許庁
To form a PZT film having (111) orientation by an MOCVD method.例文帳に追加
（１１１）配向を有するＰＺＴ膜をＭＯＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁
To provide a film formation method for film-forming an insulating film containing nitrogen on a substrate by a MOCVD method, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
窒素を含んだ絶縁膜をMOCVD法により基板の上に成膜することが可能な成膜方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
MOCVD AND ANNEALING PROCESSES FOR C-AXIS ORIENTED FERROELECTRIC THIN FILM例文帳に追加
ｃ軸配向した強誘電体薄膜のＭＯＣＶＤプロセスおよびアニーリングプロセス - 特許庁
The single solution MOCVD precursor for depositing the PCMO is provided.例文帳に追加
単一溶液ＭＯＣＶＤプリカーサが、ＰＣＭＯを堆積させるために提供される。 - 特許庁
PRECURSOR SOLUTION FOR CONTROLLING PCMO COMPOSITION DEPOSITED MOCVD AND ITS METHOD例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ堆積されたＰＣＭＯの組成を制御するプリカーサ溶液および方法 - 特許庁
LOW-TEMPERATURE MOCVD PROCESSING FOR MANUFACTURING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM例文帳に追加
ＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜製造のための低温ＭＯＣＶＤ処理 - 特許庁
A PZT film 25 is formed on the IrO_X film 24 by an MOCVD method.例文帳に追加
次に、ＩｒＯ_X膜２４上にＰＺＴ膜２５をＭＯＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁
VAPOR PHASE EPITAXY METHOD OF ALN-BASED GROUP III NITRIDE THICK FILM, AND MOCVD APPARATUS例文帳に追加
ＡｌＮ系ＩＩＩ族窒化物厚膜の気相成長方法およびＭＯＣＶＤ装置 - 特許庁
After this, the wafer is carried into the MOCVD system and a semiconductor layer 14 is formed (c).例文帳に追加
この後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置に移動し、半導体層１４を形成する（ｃ）。 - 特許庁
A GaN semiconductor layer 12 is formed on a substrate 10 by an MOCVD method or the like.例文帳に追加
基板１０上にＧａＮ半導体層１２をＭＯＣＶＤ法等で形成する。 - 特許庁
RAW MATERIAL SOLUTION SUPPLY SYSTEM TO CARBURETOR AND MOCVD SYSTEM AND CLEANING METHOD例文帳に追加
気化器への原料溶液供給系及びＭＯＣＶＤ装置並びに洗浄方法 - 特許庁
As the second semiconductor layer 8, an AlGaN layer is formed by an MOCVD method.例文帳に追加
第２の半導体層８としては、ＭＯＣＶＤ法によりＡｌＧａＮ層を形成する。 - 特許庁
MOCVD DEPOSITION OF FERROELECTRIC THIN FILM AND DIELECTRIC THIN FILM USING MIXED SOLVENTS例文帳に追加
混合溶媒を用いたＭＯＣＶＤ強誘電体および誘電体薄膜の堆積 - 特許庁
To provide an MOCVD process for depositing a resistive memory material.例文帳に追加
抵抗メモリ特性を有する材料を堆積させるＭＯＣＶＤプロセスを提供すること。 - 特許庁
When the PZT film is formed by an MOCVD method, a TiOx nucleation layer is formed to a thickness exceeding 5 nm by the MOCVD method before forming the PZT film.例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ法によりＰＺＴ膜を形成する際に、ＰＺＴ膜の形成に先立ってＴｉＯｘ核生成層をＭＯＣＶＤ法により、５ｎｍを超える厚さに形成する。 - 特許庁
VAPORIZER, VAPORIZER FOR MOCVD USING THE VAPORIZER, CENTER ROD USED FOR THESE VAPORIZERS OR THE VAPORIZER FOR MOCVD, METHOD FOR DISPERSING CARRIER GAS, AND METHOD FOR VAPORIZING CARRIER GAS例文帳に追加
気化器、この気化器を用いたＭＯＣＶＤ用気化器、これら気化器若しくはＭＯＣＶＤ用気化器に用いられるセンターロッド、及びキャリアガスの分散方法並びにキャリアガスの気化方法 - 特許庁
To provide an MOCVD device purging method capable of improving a purging process in efficiency so as to shorten a purging time and to improve an MOCVD device in working efficiency.例文帳に追加
パージ処理の効率を向上させてパージ時間を短縮でき、ＭＯＣＶＤ装置の稼働効率を向上させることができるＭＯＣＶＤ装置のパージ方法を提供する。 - 特許庁
MOCVD SYSTEM OF Ti BASED BARRIER METAL THIN FILM USING TETRAX (METHYL ETHYL AMINO) TITANIUM ALONG WITH OCTANE例文帳に追加
オクタンとともにテトラキス（メチルエチルアミノ）チタニウムを用いるＴｉベースバリアメタル薄膜のＭＯＣＶＤ法 - 特許庁
MOCVD SEED LAYER PROCESS FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM ON HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDIZED FILM例文帳に追加
高誘電率ゲート酸化膜上に強誘電体薄膜を形成するＭＯＣＶＤシード層プロセス - 特許庁
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