「Monos」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF FABRICATING TWIN MONOS CELL AND ARRAY ORGANIZATION例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルの製作方法およびアレイ組織 - 特許庁

To realize high speed erasing in an MONOS memory cell having a gate electrode containing p-type impurities.例文帳に追加

本発明は、ゲート電極がｐ型不純物を含むMONOSメモリセルにおいて消去動作の高速化を図ることを特徴とする。 - 特許庁

TWIN MONOS MEMORY CELL USAGE FOR WIDE PROGRAM例文帳に追加

広範プログラムに対応するツインＭＯＮＯＳセルの使用方法 - 特許庁

METHOD AND MEANS OF IMPROVING PROGRAM DISTURBANCE OF TWIN MONOS CELL例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルのプログラムディスターブ改善方法および手段 - 特許庁

A trench TR1 is formed in a channel portion of an MONOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳトランジスタのチャネル部分に溝ＴＲ１を形成する。 - 特許庁

HIGH-κ CAPPED BLOCKING DIELECTRIC-BANDGAP ENGINEERED SONOS AND MONOS例文帳に追加

高κキャップ阻止誘電体‐バンドギャップ操作ＳＯＮＯＳ及びＭＯＮＯＳ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING MONOS GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モノスゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MONOS TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセル、不揮発性メモリおよびその製造方法 - 特許庁

Then a MONOS insulating film 13 is formed on the silicon substrate surface.例文帳に追加

続いて、シリコン基板面上にＭＯＮＯＳ絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

The twin MONOS cell stores memory in two nitride memory cell elements.例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルは、２つの窒化膜メモリセル要素の中にメモリを蓄積する。 - 特許庁

To provide a small-sized MONOS type nonvolatile memory operated at a low voltage.例文帳に追加

小型かつ低電圧で動作するＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリでを提供する。 - 特許庁

A high-density twin MONOS memory device integrating a twin MONOS memory cell array and CMOS logic device circuit consists of two fabrication methods.例文帳に追加

本発明のツインＭＯＮＯＳメモリセルアレイおよびＣＭＯＳ論理素子回路を集積した高密度ツインＭＯＮＯＳメモリ素子は、２つの製造方法から構成される。 - 特許庁

To provide a twin MONOS type flash memory that controls disturbance from other control gates.例文帳に追加

他のコントロールゲートからのディスターブを抑制するツインＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

SINGLE-CHARGE STORING MNOS MEMORY, MONOS MEMORY, AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加

単一電荷蓄積ＭＮＯＳメモリ及びＭＯＮＯＳメモリ並びにそれらの駆動方法 - 特許庁

CONTROL METHOD USING WORD VOLTAGE DURING TWIN MONOS CELL PROGRAM AND ERASE例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルのプログラミング時および消去時におけるワード電圧による制御方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF DUAL BIT MULTI-LEVEL BALLISTIC MONOS MEMORY, PROGRAMMING, AND OPERATION PROCESS例文帳に追加

デュアルビット多準位バリスティックＭＯＮＯＳメモリの製造、プログラミング、および動作のプロセス - 特許庁

To provide a twin MONOS memory cell in which two storage sites exist under one word gate.例文帳に追加

２つの記憶サイトが１つのワードゲートの下にあるツインＭＯＮＯＳメモリ・セルを提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a monos gate structure and its manufacturing method.例文帳に追加

モノス（ＭＯＮＯＳ）ゲート構造を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the information holding characteristics of a split gate type memory cell adopting a MONOS system.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ方式を採用するスプリットゲート型メモリセルの情報保持特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a control gate line decoder of a twin MONOS EEPROM memory array.例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳ ＥＥＰＲＯＭメモリ・アレーのコントロール・ゲート線デコーダを提供することを目的とする。 - 特許庁

To accelerate the development of a higher performance non-volatile semiconductor storage device including a MONOS type transistor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型トランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置の高性能化を推進する。 - 特許庁

To accelerate a data transfer rate in data writing in a p-channel MONOS memory cell.例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＮＯＳメモリセルにおいて、データ書込時のデータ転送レートの高速化を実現する。 - 特許庁

Furthermore, a gate insulating film 14 thinner than the MONOS insulating film 13 is formed on the silicon substrate surface and surfaces of the MONOS insulating film 13, and gate insulating film 14 are set to have the same height.例文帳に追加

さらに、シリコン基板面上に、ＭＯＮＯＳ絶縁膜１３より膜厚が薄いゲート絶縁膜１４を形成し、ＭＯＮＯＳ絶縁膜１３とゲート絶縁膜１４の表面を同じ高さにする。 - 特許庁

To provide an MONOS nonvolatile semiconductor storage that is capable of multiple-value writing exceeding four values.例文帳に追加

４値を超える多値書込みの可能なＭＯＮＯＳ型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a MONOS type memory cell having an excellent characteristic about a writing/erasing and retention.例文帳に追加

書き込み／消去及びリテンションに関して優れた特性を有するＭＯＮＯＳ型メモリセルを提供する。 - 特許庁

A writing power source circuit 2 supplies a voltage Vg and a voltage Vpp higher than this to the gate electrode of a MONOS element to write data in a memory element 1 constituted of the MONOS element.例文帳に追加

書き込み用電源回路２は、ＭＯＮＯＳ素子よりなるメモリ素子１に対して、そのＭＯＮＯＳ素子のゲート電極に印加する電圧Ｖｇおよびそれよりも高い電圧Ｖｐｐを供給し、データの書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MONOS semiconductor memory in which a residue or a damage does not occur in an ONO film.例文帳に追加

ＯＮＯ膜に残渣やダメージが発生しない、ＭＯＮＯＳ型半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To increase a hot electron(HE) implanting efficiency when a MONOS- type memory cell is written and improve scaling property.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリセルの書き込み時のホットエレクトロン（ＨＥ）注入効率を上げ、またスケーリング性を向上させる。 - 特許庁

The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1).例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリのメモリセル（ＭＣ_1）は、コントロールトランジスタ（Ｃ_1）とメモリトランジスタ（Ｍ_1）とで構成されている。 - 特許庁

Additionally, gate electrodes 15 and 17 are formed on the MONOS insulating film 13 and on the gate insulating film 14.例文帳に追加

さらに、ＭＯＮＯＳ絶縁膜１３上及びゲート絶縁膜１４上にゲート電極１５、１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for selecting a twin MONOS metal bit line array giving the number to it.例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳの金属ビット線メモリ・アレーに番号を付けて選択する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve the resistance to erroneous writing (disturb) of a split gate MONOS memory cell and to increase the operating speed of the memory cell.例文帳に追加

スプリットゲート型ＭＯＮＯＳメモリセルの誤書込み（ディスターブ）耐性を向上し、かつ同メモリセルを高速動作させる。 - 特許庁

To improve retention characteristics in a split gate type MONOS memory which carries out a rewrite by hot carrier injection.例文帳に追加

ホットキャリア注入によって書き換えを行うスプリットゲート型ＭＯＮＯＳメモリにおいて、リテンション特性を向上させる。 - 特許庁

To achieve an MONOS memory having a structure capable of preventing an influence of ultraviolet rays generated in a manufacturing step.例文帳に追加

製造工程中に発生する紫外線の影響を防止できる構造を有するＭＯＮＯＳメモリを実現する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device for improving the data erasure speed with respect to MONOS memory cells.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリセルに対するデータの消去速度を改善させる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an MONOS type flash memory securing a required amount of electric charge stored sites in an electric charge stored film.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリにおいて、電荷蓄積膜中の電荷蓄積サイトの量を必要量確保すること。 - 特許庁

In a nonvolatile memory cell which includes a MONOS transistor Q_1 for memory and a MIS transistor Q_2 for cell selection, a nitrogen introduced region 20 wherein nitrogen is introduced is formed in alignment with the gate electrode 8 of the MONOS transistor Q_1.例文帳に追加

メモリ用のＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1とセル選択用のＭＩＳ型トランジスタＱ_2とを含む不揮発性メモリセルにおいて、ＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1のゲート電極８に整合して、窒素を導入した窒素導入領域２０を形成する。 - 特許庁

In a non-volatile memory cell including a MONOS-type transistor Q_1 for memory and a MIS-type transistor Q_2 for cell selection, the length B of a charge accumulation film 16 is made shorter than that A of the gate electrode 20 of the MONOS-type transistor Q_1.例文帳に追加

メモリ用のＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1とセル選択用のＭＩＳ型トランジスタＱ_2とを含む不揮発性メモリセルにおいて、ＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1のゲート電極２０の長さＡに比べて、電荷蓄積膜１６の長さＢを短くする。 - 特許庁

To provide voltage reduction, high-speed operation and microfabrication by improving the charge holding characteristics of an MONOS- type memory transistor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタの電荷保持特性を改善し、これにより低電圧化，高速動作および微細化を実現する。 - 特許庁

To improve deterioration of short channel characteristics peculiar to an MONOS memory cell transistor or an erasing speed by thinning an oxide film after gating.例文帳に追加

ゲート後酸化膜を薄くしてＭＯＮＯＳ メモリセルトランジスタ特有の短チャネル特性の悪化または消去速度を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high performance including a MONOS-type nonvolatile memory device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶装置を含む、高い性能を有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of conductive residue causing short circuit between word lines by reducing the cell area as compared with that of a twin MONOS cell.例文帳に追加

ツインＭＯＮＯＳセルよりセル面積を縮小し、ワード線間を短絡するような導電性残渣の発生を防止する。 - 特許庁

MONOS memory cells TR1-TR4 are provided in series between a bit line BL and a ground potential GND of a silicon substrate.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳメモリセルＴＲ１〜ＴＲ４は、ビット線ＢＬとシリコン基板の接地電位ＧＮＤ間に直列して設けられている。 - 特許庁

MOSFET TR1F-TR4F are connected respectively in parallel to the MONOS memory cells TR1-TR4.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳメモリセルＴＲ１〜ＴＲ４に対してそれぞれ並列してＭＯＳＦＥＴ ＴＲ１Ｆ〜ＴＲ４Ｆが接続されている。 - 特許庁

To improve recording holding characteristic in passage of time in a nonvolatile semiconductor recording device such as MONOS type or MNOS type or the like.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型やＭＮＯＳ型などの不揮発性半導体記録装置において、経時での記録保持特性を向上する。 - 特許庁