| 例文 (999件) |
ON Semiconductorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 36766件
A semiconductor device comprises: a semiconductor layer; a gate insulating film provided on the semiconductor layer; and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加
半導体装置は、半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備える。 - 特許庁
An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加
高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁
A semiconductor chip 2a is laminated on the surface of a main substrate 1, and a semiconductor package 3 is laminated on the semiconductor chip 2a.例文帳に追加
主基板１の上に半導体チップ２ａを積層し、その上に半導体パッケージ３を積層する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor chip 2 having principal surfaces, a laminate structure on which the semiconductor chip 2 is mounted, and a cooler 5 on which the laminate structure is mounted.例文帳に追加
主表面を有する半導体チップ２と、半導体チップ２が載置される積層構造と、積層構造が載置される冷却体５とを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device has an SOI substrate structure, comprising a semiconductor support substrate, an insulating layer formed on the semiconductor support substrate, and an SOI layer formed on the insulating layer.例文帳に追加
また、素子破壊に至る許容電力を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing the generation of solder bridges on a root part of a lead terminals 3 in mounting the semiconductor device on a printed board by soldering, and to provide an electronic apparatus provided with the semiconductor device.例文帳に追加
プリント基板へのはんだ付けによる半導体装置の実装時に、リード端子３の根元部にて発生するはんだブリッジを無くす。 - 特許庁
The semiconductor optical element 1a includes the semiconductor substrate 4, a semiconductor mesa part 12 formed on the semiconductor substrate 4, insulators 24 formed of silicon inorganic materials which are arranged on both sides of the semiconductor mesa part 12 on the semiconductor substrate 4, and a pad electrode 30 arranged on the insulators 24.例文帳に追加
半導体光素子１ａは、半導体基板４と、半導体基板４上に形成された半導体メサ部１２と、半導体基板４上において半導体メサ部１２の両側に設けられたシリコン系無機材料からなる絶縁部２４と、絶縁部２４上に設けられたパッド電極３０とを備える。 - 特許庁
A semiconductor device includes a semiconductor circuit formation layer 2 formed on a surface of a semiconductor substrate 1, transistors formed in the semiconductor circuit formation layer 2 and included in a semiconductor circuit, and electrodes 5 formed on the semiconductor circuit formation layer 2 and electrically connected with the semiconductor circuit.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板１の表面上に形成された半導体回路形成層２、半導体回路形成層２内に形成され、半導体回路を構成するトランジスタ、半導体回路形成層２上に形成され、半導体回路と電気的に接続された電極５とを有する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a first semiconductor region having a first conductivity type formed on a semiconductor substrate 51; and a second semiconductor region, a third semiconductor region and a fourth semiconductor region each having a second conductivity type and formed on a surface of the first semiconductor region.例文帳に追加
半導体基体５１上に形成された第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の表面に形成されている第２導電型の第２半導体領域、第３半導体領域及び第４半導体領域を備える半導体装置を構成する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the semiconductor device manufactured by stacking a semiconductor layer on a semiconductor substrate, when the semiconductor devices on the semiconductor substrate are separated, device units to be separated are enclosed by an insulation film, and the semiconductor device is formed by stacking the semiconductor layer in the enclosure.例文帳に追加
半導体基板上に半導体層を積層して作製する半導体素子の製造方法において、前記半導体基板上の半導体素子の分離に際しては、分離すべき素子単位を予め絶縁膜で囲い、この囲い中に半導体層を積層して半導体素子を形成する。 - 特許庁
A surface-emitting laser device comprises: a semiconductor part having a first semiconductor layer 11 and a second semiconductor layer 12; a first reflector 41 provided on the first semiconductor layer side of the semiconductor part; and a second reflector 42 provided on the second semiconductor layer side of the semiconductor part.例文帳に追加
面発光レーザ素子は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２を有する半導体部と、半導体部の第１半導体層側に設けられた第１反射器４１と、半導体部の第２半導体層側に設けられた第２反射器４２と、を有する。 - 特許庁
A semiconductor element is formed on the semiconductor wafer (S1), a protection tape is stuck on a surface of the semiconductor wafer (S2), and the reverse surface of the semiconductor wafer is ground until the semiconductor wafer has a specified thickness (S3).例文帳に追加
半導体ウエハに半導体素子を形成し（Ｓ１）、半導体ウエハの表面に保護テープを貼付け（Ｓ２）、半導体ウエハの裏面を半導体ウエハが所定の厚みになるまで研削する（Ｓ３）。 - 特許庁
Act on the Circuit Layout of a Semiconductor Integrated Circuits 例文帳に追加
半導体集積回路の回路配置に関する法律 - 日本法令外国語訳データベースシステム
MULTILAYER INDUCTOR FORMED ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板に形成された多層インダクタ - 特許庁
A multilayer wiring layer is formed on a semiconductor substrate 20.例文帳に追加
半導体基板２０上に多層配線層を形成する。 - 特許庁
INDUCTANCE ELEMENT FORMED ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板状に形成されるインダクタンス素子 - 特許庁
INDUCTANCE ELEMENT FORMED ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板上に形成されるインダクタンス素子 - 特許庁
MOUNTING OF SEMICONDUCTOR CHIP ON MULTILAYER WIRING BOARD例文帳に追加
多層配線基板への半導体チップの実装方法 - 特許庁
METHOD FOR PERFORMING WET CHEMICAL TREATMENT ON SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法 - 特許庁
A dielectrics is formed on the semiconductor layer.例文帳に追加
絶縁体が半導体層上に形成される。 - 特許庁
DEPOSITING METHOD OF POLYTHIOPHENE SEMICONDUCTOR ON SUBSTRATE例文帳に追加
ポリチオフェン半導体の基板上の成膜方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER ON SUBSTRATE例文帳に追加
基板上に単結晶半導体層を作製する方法 - 特許庁
A polysilicon film is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上にポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁
METHOD OF PATTERNING PHOTORESIST LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板のフォトレジスト層のパターン化方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING ELECTRODES ON SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
炭化珪素半導体装置の電極形成方法 - 特許庁
A plurality of pixels are arrayed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板１上に画素が複数配列されている。 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING TUNGSTEN ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板上にタングステンを堆積する方法 - 特許庁
An insulating film (20) is formed on a semiconductor substrate (10).例文帳に追加
半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。 - 特許庁
(a) An insulation film is deposited on a semiconductor substrate.例文帳に追加
（ａ）半導体基板の上に絶縁膜を堆積させる。 - 特許庁
ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR MEMBER FORMED ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材 - 特許庁
A wiring pattern is formed on a semiconductor wafer (S101).例文帳に追加
半導体ウェハに配線パターンを形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁
INDUCTANCE STRUCTURE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板上のインダクタンス構造体 - 特許庁
| 例文 (999件) |
 | ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
