「ON Semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(736ページ目) - Weblio英語例文検索

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a circuit 1 for making a decision whether pass words of an OTP area 9 for starting authentication data, an area 11 for storing a pass word and an address signal matches a pass word stored in the word area 11, and an output control circuit 12 for controlling read out of OTP data from the OTP area 9 depending on the decision results of the decision circuit 1.例文帳に追加

認証データを記憶するＯＴＰ領域９と、パスワードを記憶するパスワード領域１１と、アドレス信号に含まれるパスワードとパスワード領域１１に記憶されたパスワードとが一致するか否かを判定する判定回路１と、判定回路１における判定結果に応じてＯＴＰ領域９からのＯＴＰデータの読み出しを制御する出力制御回路１２とを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, in 2002 there were 111 M&A cases (-2.6 percent year-on-year) in Japan. In concrete terms, there were cases involving Japanese corporations reexamining their businesses, as there had been in the year before, such as Toshiba selling its semiconductor manufacturing equipment to Micron Technology (US) and Seiko Instruments Inc. selling its vacuum pump business to BOC Edwards (UK). Meanwhile, other cases that captured attention were those that triggered the full-scale restructuring of Japanese distribution and pharmaceutical industries such as capital participation in Seiyu by Wal-Mart (US) and the acquisition of Chugai Pharmaceutical by Roche (Switzerland). Thus, foreign companies are increasing their presence in Japanese markets day by day.例文帳に追加

さらに、2002年においては、111件（前年比▲2.6%）の対日M&Aがあり、具体的には、東芝によるマイクロンテクノロジー（米国）への半導体製造設備の売却や、セイコーインスツルメンツによるビーオーシー・エドワーズ（イギリス）への真空ポンプ事業の売却等前年に引き続き日本企業の事業見直しに係る案件があった一方で、ウォルマート（米国）による西友への資本参加や、ロシュ（スイス）による中外製薬の買収等流通・製薬業界再編の本格化を進展させるような事例も目立つ等、日本市場における外資企業のプレゼンスは日々高まってきている。 - 経済産業省

Weigh an empty measurement vessel. Pack the sample into the vessel and weigh. Record the difference as the sample weight. Place the measurement vessel on the detector, and perform the measurement for the time set in 2.2.3. Analyze the obtained spectrum according to the method described in “Gamma-ray Spectrometry using Germanium Semiconductor Detectors” of MEXT's Radiation Measurement Method Series 7 or an internationally accepted method to obtain the radioactive cesium concentration X in the sample and the standard deviation of measurement result originating in the counting error σX .例文帳に追加

予め重量を測定した測定容器に試料を充填した後に重量を測定し、重量の差をとして記録する。測定容器を検出装置に載せ、２．２．３で設定した測定時間で測定し、スペクトルを得る。スペクトルを「文部科学省編放射能測定シリーズNo.7 ゲルマニウム半導体検出器によるガンマ線スペクトロメトリー」に記載の方法、あるいは国際的に認められた方法で解析し、試料中の放射性セシウム濃度X と測定結果に伴う計数誤差による標準偏差σX を得る。 - 厚生労働省

The semiconductor light emitting device has an LED epitaxial film 20, an optical reflective surface 30a arranged on a first surface 20a of the film 20, and an optical reflective surface 11a arranged on a second surface 20b of the film 20, and outputs the light generated in the film 20 through the surface 20a.例文帳に追加

ＬＥＤエピフィルム２０と、このＬＥＤエピフィルム２０の第１の面２０ａ上に配置された光学的反射面３０ａと、ＬＥＤエピフィルム２０の第２の面２０ｂ上に配置された光学的反射面１１ａとを有し、ＬＥＤエピフィルム２０内で発生した光を第１の面２０ａを通して出射する半導体発光装置であって、λ_０をＬＥＤエピフィルム２０で発生する光の発光中心波長とし、ｎをＬＥＤエピフィルム２０の屈折率とし、ｈをＬＥＤエピフィルム２０の厚さとし、ｍを０又は正の整数とし、ξをＬＥＤエピフィルム２０で発生する光の干渉が無いときの発光スペクトルの半値幅としたときに、次式を満足する。 - 特許庁

In an optical pick-up, a laser beam L that is emitted from a semiconductor laser element 1 is converted into parallel light by a collimator lens 3 and is applied to an objective lens 4, a light spot is formed on an optical disk reading surface, and the reflection light of the light spot is received by a photosensor 6 for reproducing information on the optical disk.例文帳に追加

半導体レーザ素子１より射出されたレーザ光Ｌをコリメータレンズ３で平行光に変換して対物レンズ４に入射し、光スポットを光ディスク読み取り面に形成して、この光スポットの反射光を受光センサ６により受光することにより前記光ディスク上の情報を再生する光ピックアップにおいて、前記半導体レーザ素子の出射端面と前記光ディスクとの間の光路長が、式［半導体レーザ素子の実効共振器長×ｍ（ｍは整数）×（１＋０．５）］で与えられる長さの場合であって、前記光路長が前記半導体レーザ素子の共振器長の誤差に起因して、式［実効共振器長×（Ｎ±０．２５）（Ｎは正数）］で与えられる範囲内の長さになるときは、屈折率が１以上の光路長補正光学素子１１をコリメータレンズ３と対物レンズ４との間の光路中に介在させる。 - 特許庁

The measurement plate is arranged in a position farther than the semiconductor substrate on the basis of the noncontact thermometer on the line where the noncontact thermometer can measure.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板と、前記半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計であって、前記非接触式温度計が測温可能な直線上に前記半導体基板が移動可能である前記非接触式温度計と、前記非接触式温度計を校正するための基準温度を、測定するために用いられる測定板と、前記測定板に接触した状態で前記測定板の基準温度を測定する接触式温度計とを有し、前記測定板は、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている。 - 特許庁

(3) The Board of Appeal shall, on the basis of a written appeal or opposition, review the disputes related to the patents, trademarks, designs and topographies of semiconductor products. The composition of the Board of Appeal for the review of a specific matter shall be approved by the chair of the Board of Appeal, taking into account the nature of the case, competence of the members of the Board of Appeal and workload. Each appeal and opposition shall be reviewed by an uneven number of the members of the Board of Appeal, but not less than by three members, besides at least one of them shall be a lawyer and at least one of them shall be a specialist, which is not an employee of the Patent Office. If necessary, the Board of Appeal may invite independent experts for the provision of the opinion in the cases of disputes.例文帳に追加

(3) 審判部は，審判請求書又は異議申立書に基づいて，特許，商標，意匠及び半導体製品の回路配置に関する紛争を審理する。特定の事項の審理のための審判部の構成は，事件の内容，審判部の構成委員の適性及び仕事量を考慮に入れて，審判部の審判長により承認されなければならない。何れの審判請求及び異議申立も，奇数の審判部構成員により審理されるものとするが，その人数は3以上とし，かつ，そのうちの少なくとも1は弁護士，また少なくとも1は特許庁の職員でない専門家でなければならない。審判部は，紛争事件において意見を徴するために，必要に応じて独立の専門家を招致することができる。 - 特許庁

This pusher for a match plate in a test handler is provided with: a body part mounted to a mounting plate; and a pressing part projecting from the front surface of the body part, and pressing a semiconductor element mounted on an insert of a test tray.例文帳に追加

取付板に取着されるボディ部と、前記ボディ部の前面から突き出てテストトレイのインサートに載置されている半導体素子を押し付ける押し付け部と、を備え、前記ボディ部の背面から前記押し付け部の前面に亘って、ダクトから前記ボディ部の背面に供給される所定の温度の空気を前記押し付け部の前面にある前記テストトレイのインサートに載置されている半導体素子に導く空気貫通孔が貫設されており、前記押し付け部の少なくとも一方の側面には、前記空気貫通孔と連通することにより、前記ダクトから前記空気貫通孔を通って供給される空気の一部をテストサイトの上に流出する少なくとも１以上の空気流出孔が穿設されている。 - 特許庁

A large number of unit both-sided multi-point connection plates 6 for connecting the unit wiring circuit board 5 to the grouped IC chips of the semiconductor wafer 1 are formed, with unit both-sided multi- point connection plates 6 being stacked on the surface of each unit wiring circuit board 6.例文帳に追加

半導体ウエハ１上のグループ分けされたＩＣチップ２群の検査を分担するためにバッファＩＣを搭載した多数の単位配線回路基板５を形成し、他方検査装置本体と上記各単位配線回路基板５間を接続するマザー配線基板１６を形成し、該マザー配線基板１６の表面に上記各単位配線回路基板５を密集し重ね付けしてマザー配線基板１６に各単位配線回路基板５を並列接続し、更に上記各単位配線回路基板５を半導体ウエハ１のグループ分けされた各ＩＣチップ２群に接続するために多数の単位両面多点接続板６を形成し、該各単位両面多点接続板６を上記各単位配線回路基板５の表面に重ね付けする半導体ウエハの検査ユニット。 - 特許庁

(iii) In addition to persons falling under any of the preceding two items, any person who has committed any of the offenses as prescribed in Article 108-4 (2) of the Customs Act (limited to the portions pertaining to Article 69-2 (1) (iii) and (iv) of the same Act. Hereinafter the same shall apply in this item), paragraph (3) (limited to the portions pertaining to Article 108-4 (2) of the same Act) or paragraph (5) (limited to the portions pertaining to Article 69-2 (1) (iii) and (iv) of the same Act), Article 109 (2) (limited to the portions pertaining to Article 69-11 (1) (ix) and (x) of the same Act. Hereinafter the same shall apply in this item), paragraph (3) (limited to the portions pertaining to Article 109 (2) of the same Act) or paragraph (5) (limited to the portions pertaining to Article 69-11 (1) (ix) and (x) of the same Act), or Article 112 (1) of the Customs Act (limited to the portions pertaining to Article 108-4 (2) and Article 109 (2) of the same Act), the offenses as prescribed in Articles 119 to 122 of the Copyright Act, the offenses as prescribed in Article 51 (1) or Article 52 of the Act Concerning the Circuit Layouts of a Semiconductor Integrated Circuit, or the offenses as prescribed in Article 21 (1) or Article 21 (2) (i) to (iv) or (vi) of the Unfair Competition Prevention Act (except for the portions pertaining to Article 18 (1) of the same Act), and has been sentenced to a fine and has not yet passed three years from the date of completion of the execution of such punishment or the date on which such execution has been remitted; 例文帳に追加

三　前二号に該当する者を除くほか、関税法第百八条の四第二項（同法第六十九条の二第一項第三号及び第四号に係る部分に限る。以下この号において同じ。）、第三項（同法第百八条の四第二項に係る部分に限る。）若しくは第五項（同法第六十九条の二第一項第三号及び第四号に係る部分に限る。）、第百九条第二項（同法第六十九条の十一第一項第九号及び第十号に係る部分に限る。以下この号において同じ。）、第三項（同法第百九条第二項に係る部分に限る。）若しくは第五項（同法第六十九条の十一第一項第九号及び第十号に係る部分に限る。）若しくは第百十二条第一項（同法第百八条の四第二項及び第百九条第二項に係る部分に限る。）の罪、著作権法第百十九条から第百二十二条までの罪、半導体集積回路の回路配置に関する法律第五十一条第一項若しくは第五十二条の罪又は不正競争防止法第二十一条第一項若しくは第二項第一号から第四号まで若しくは第六号（同法第十八条第一項に係る部分を除く。）の罪を犯し、罰金の刑に処せられ、その刑の執行を終わり、又はその刑の執行を受けることがなくなった日から三年を経過しない者 - 日本法令外国語訳データベースシステム