「ON Semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

WAFER HOLDER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE ON WHICH SAME IS MOUNTED例文帳に追加

半導体製造装置用ウェハ保持体、その製造方法およびそれを搭載した半導体製造装置 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor integrated circuit, a silicon nitride film 6 is formed so as to cover semiconductor devices 10 and 20 provided on a substrate 2.例文帳に追加

基板2に設けられた半導体デバイス10、20を覆うようにシリコン窒化膜60を形成する。 - 特許庁

To provide a compact, high-density semiconductor module on which a plurality of semiconductor chips are mounted.例文帳に追加

複数の半導体チップを搭載し、小型化且つ高密度の半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus (1) includes a plurality of semiconductor devices on a package substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置（１）は、パッケージ基板に複数の半導体デバイスを備える。 - 特許庁

The semiconductor chip 2 includes a semiconductor waveguide 4 and is mounted on a Si bench 5.例文帳に追加

半導体チップ２は、半導体導波路４を有し、Ｓｉベンチ５上に搭載されている。 - 特許庁

A first semiconductor fin is on the semiconductor substrate and has a first fin height.例文帳に追加

第１半導体フィンは半導体基板上にあり、第１フィン高さを有する。 - 特許庁

A second semiconductor fin is on the semiconductor substrate and has a second fin height.例文帳に追加

第２半導体フィンは半導体基板上にあり、第２フィン高さを有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes the P-type FET formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００上に形成されたＰ型ＦＥＴを備えている。 - 特許庁

The stacked semiconductor device 1 includes a first semiconductor element 5 bonded on a circuit board 2.例文帳に追加

積層型半導体装置１は、回路基板２上に接着された第１の半導体素子５を具備する。 - 特許庁

Next, a third microcrystalline semiconductor film is formed on the second microcrystalline semiconductor film.例文帳に追加

次に、第２の微結晶半導体膜上に第３の微結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an electronic circuit region 16 with an electronic circuit element formed is defined on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に、電子回路素子が形成されている電子回路領域が画定される。 - 特許庁

The semiconductor layer for the semiconductor light emitting element is formed on the main surface of the growing substrate.例文帳に追加

半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。 - 特許庁

The second semiconductor region 10 is disposed on the first semiconductor region 8.例文帳に追加

第２半導体領域１０は、第１半導体領域８上に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor with a low-resistance semiconductor crystal formed on a nonpolar surface.例文帳に追加

非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。 - 特許庁

The encapsulation resin seals the semiconductor chip mounted on the semiconductor chip-mounting surface.例文帳に追加

封止樹脂は、半導体チップ搭載面に搭載された半導体チップを封止する。 - 特許庁

A plurality of pads are arranged on a semiconductor chip 2 of a semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体デバイス１００の半導体チップ２には、複数のパッドが設けられる。 - 特許庁

To prevent damage on a semiconductor device due to thermal stress when the semiconductor device is mounted.例文帳に追加

半導体装置を実装する際の熱応力による半導体装置の損傷を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor chips 3 are stacked on the wiring board 2 while the semiconductor chips are each shifted at different intervals in the same direction.例文帳に追加

半導体チップ３は同一方向にそれぞれずらして配線板２に積層されている。 - 特許庁

To improve the heat radiating characteristics of a semiconductor module on which a semiconductor element is mounted so as to be faced down.例文帳に追加

半導体素子をフェイスダウン実装する半導体モジュールの放熱特性を向上させる。 - 特許庁

In one embodiment of the method of manufacturing an epitaxial semiconductor substrate, a gettering layer grows on the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、本発明は、動作特性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with interlayer insulating films and a wiring layer on the semiconductor substrate surface in which an element region is formed.例文帳に追加

特に側面から外部取出しを行うに際し、半導体装置の信頼性の向上をはかる。 - 特許庁

To propose a circuit board on which a semiconductor device and a very high-speed semiconductor device are normally and mixedly mounted.例文帳に追加

通常半導体装置と超高速半導体装置を混載する回路基板を提案する。 - 特許庁

To uniform the heat radiating characteristic of a semiconductor device wherein a semiconductor chip is die-bonded on a package substrate.例文帳に追加

半導体チップをパッケージ基板にダイボンドした半導体装置の放熱特性を均一にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an area on a semiconductor substrate in a source region can be reduced.例文帳に追加

ソース領域の半導体基板上の面積を小さくできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor regions 5 can reduce the on-resistance of the semiconductor device, when the device is conducted.例文帳に追加

半導体領域５は導通時のオン抵抗を減少させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a semiconductor chip 2 with a silicon-on-insulator (SOI) substrate 31 as a base, for example.例文帳に追加

半導体装置１は、たとえば、ＳＯＩ基板３１を基体とする半導体チップ２を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of measuring a temperature of a semiconductor element on a real time basis.例文帳に追加

リアルタイムで半導体素子の温度測定が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the mounting position deviation of a semiconductor chip that is loaded on a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に搭載される半導体チップのマウント位置ずれを低減する。 - 特許庁

To provide a heat sink for relaxing thermal stress imposed on a semiconductor chip in a semiconductor power module.例文帳に追加

半導体パワーモジュールにおける半導体チップにかかる熱ストレスを緩和する。 - 特許庁

Subsequently, a Ni plate 30 is placed on the semiconductor chip 10, and the Ni plate 30 and the semiconductor chip 10 are bonded to each other through application of heat and pressure.例文帳に追加

次に、Ｎｉ板３０を、半導体チップ１０の上に載置し、加熱及び加圧して接合する。 - 特許庁

Wiring 17 is formed on an insulating film 15b on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜１５ｂ上に配線１７を形成する。 - 特許庁

The hole 3 is formed on an insulating layer 2 on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。 - 特許庁

A terminal 6 is caused to perform probing on a pad 8 on the semiconductor wafer 7.例文帳に追加

半導体ウェハ７上のパッド８に端子６をプロービングさせる。 - 特許庁

FLUX COATER ON SOLDER BALL ON BGA SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＢＧＡ型半導体装置における半田ボールへのフラックス塗布装置 - 特許庁

The first semiconductor layer is provided on a surface abutting on the gate insulating layer.例文帳に追加

第１の半導体層はゲート絶縁層と接する面に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device at least includes a first semiconductor layer 101 of a first conductivity type made of a group III-V nitride semiconductor, a second semiconductor layer 102 formed on the first semiconductor layer 101 and made of an undoped group III-V nitride semiconductor, and a third semiconductor layer 103 formed on the second semiconductor layer 102 and made of the group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第１導電型の第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１の上に形成されたアンドープのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第２導電型の第３半導体層１０３とを少なくとも備える。 - 特許庁

A semiconductor device A5 provided by the present invention comprises a plurality of terminals 43, a first semiconductor chip 23, a second semiconductor chip 24 provided on the first semiconductor chip 23, a third semiconductor chip 25 provided on the second semiconductor chip 24, and an encapsulation resin 1 covering the first semiconductor chip 23, the second semiconductor chip 24, the third semiconductor chip 25 and the plurality of terminals 43.例文帳に追加

本発明によって提供される半導体装置Ａ５は、複数の端子４３と、第１の半導体チップ２３と、第１の半導体チップ２３に設置される第２の半導体チップ２４と、第２の半導体チップ２４に設置される第３の半導体チップ２５と、第１の半導体チップ２３、第２の半導体チップ２４、第３の半導体チップ２５、および複数の端子４３を覆う封止樹脂１と、を備えている。 - 特許庁

To provide: a semiconductor substrate capable of performing positioning of the semiconductor substrate with high precision when a semiconductor element, etc. is formed on the semiconductor substrate; a method of manufacturing the semiconductor substrate; and a method of manufacturing the semiconductor device using the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に半導体素子などを形成する際に半導体基板の位置合わせを高精度に行なうことが可能な半導体基板、当該半導体基板の製造方法および当該半導体基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a structure having a nitride semiconductor comprises the steps of: forming a first semiconductor layer composed of a group III nitride semiconductor containing In; and forming a second semiconductor layer composed of a group III nitride semiconductor having a lower In composition than the first semiconductor layer on the first semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉｎを含むIII族窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層の上に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低いIII族窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する工程を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor element region where a semiconductor element is formed by selectively etching a semiconductor layer and a monitor region which is made of the same material with the semiconductor layer and provided with a monitoring semiconductor element for inspecting an amount of selective etching on the semiconductor element.例文帳に追加

半導体層が選択エッチングされることにより半導体素子が形成される半導体素子領域と、前記半導体層と同じ材質からなり、前記半導体素子が選択エッチングされた量を検査するモニタ用半導体素子が設けられたモニタ領域とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In a process where a semiconductor laser element on which a plurality of semiconductor laser chips are mounted is built in a semiconductor laser device, all luminous optical axes of a plurality of semiconductor laser chips are recognized, and the position of semiconductor laser element is corrected before the semiconductor laser element is die-bonded to the stem of semiconductor laser device.例文帳に追加

複数の半導体レーザチップが搭載された半導体レーザ素子を半導体レーザ装置に組み込む工程において、複数の半導体レーザチップの発光光軸を全て認識し、半導体レーザ素子を半導体レーザ装置のステムにダイボンドする前に半導体レーザ素子を位置補正する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13.例文帳に追加

半導体基体２０は、Ｐ型半導体基板１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成されたＮ^−型半導体領域１３と、Ｎ^＋型半導体領域１４と、Ｎ^−型半導体領域１３を介してＮ^＋型半導体領域１４と対向するＰ^＋型半導体領域１５とを有する。 - 特許庁

A semiconductor substrate constituted by laminating an epitaxial region 221 of a SiC semiconductor 211 and a groove 360 formed on a prescribed part on one surface of the semiconductor substrate 211 are installed on the SiC semiconductor substrate 211.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板２１１上に、該ＳｉＣ半導体２１１のエピタキシャル領域２２１を積層して構成される半導体基板と、半導体基板２１１の一方の表面の所定部位に形成される溝３６０を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a VFET and elements of other types can be mounted mixedly on a semiconductor substrate without having a large level difference on the surface of a semiconductor layer laminated on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上へのＶＦＥＴと他の種類の素子との混載が可能でありながら、半導体基板上に積層される半導体層の表面に大きな段差を有しない半導体装置を提供する。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor chip includes: a semiconductor substrate; an emitter electrode formed on the front surface of the semiconductor substrate; a collector electrode formed on the back surface of the semiconductor substrate; and a gate pad formed on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、該半導体基板の表面に形成されたエミッタ電極と、該半導体基板の裏面に形成されたコレクタ電極と、該半導体基板の表面に形成されたゲートパッドとを備える。 - 特許庁