「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR CONTROLLING WASTE LIQUID CONCENTRATION OF TREATING LIQUID CONTAINING P例文帳に追加

Ｐを含有する処理液の廃液濃度制御方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER CARRIER例文帳に追加

ｐ型シリコンウェーハのキャリア濃度低下方法 - 特許庁

The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 - 特許庁

The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加

第１のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度は第２のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁

A semiconductor device has a P-type second low-concentration diffusion region 9 between a P-type low-concentration diffusion region 7 and an N-type low-concentration diffusion region 11.例文帳に追加

Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間にＰ型第２低濃度拡散領域９を備えている。 - 特許庁

The p emitter region is composed of a low-concentration p-channel region 103 and a high-concentration p^+ emitter region 100.例文帳に追加

そしてｐエミッタ領域を，低濃度のｐチャネル領域１０３と高濃度のｐ^＋エミッタ領域１００とで構成した。 - 特許庁

The source and drain regions 31 include a p-type low concentration impurity region 29 contain relatively low impurity concentration of the first conductivity type and a p-type high concentration impurity region 30 containing relatively high p-type impurity concentration.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３１は、相対的に第１導電型の不純物濃度が小さいｐ型低濃度不純物領域２９と、相対的にｐ型不純物濃度が大きいｐ型高濃度不純物領域３０とを含む。 - 特許庁

The low resistance n-type semiconductor diamond can be obtained by controlling the lithium atomic concentration C_Li and the phosphorous atomic concentration C_P to be C_Li≤C_P when both of the lithium concentration C_Li and the phosphorous concentration C_P are ≥10^17/cm^3.例文帳に追加

リチウム原子濃度Ｃ_Ｌｉとリン原子濃度Ｃ_Ｐとが共に１０^１７ｃｍ^−３以上であり、Ｃ_Ｌｉ≦Ｃ_Ｐとすれば、低抵抗なｎ型半導体ダイヤモンドを得ることができる。 - 特許庁

Within the p^- diffusion region 5, a plurality of p diffusion regions 20 containing p-type impurities are formed, which have high concentration as compared with the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

ｐ^-拡散領域５内には、このｐ^-拡散領域５よりも高濃度のｐ型の不純物を含むｐ拡散領域２０が複数個形成される。 - 特許庁

A real concentration value P_T of the molten iron is determined by subtracting the concentration value P_N due to backlight noises from the concentration value P_M of the peak caused by the molten iron in the concentration histogram, and the temperature of the molten iron is determined using the determined actual concentration value P_T of the molten iron.例文帳に追加

さらに、濃度ヒストグラムにおける溶銑に起因するピークでの濃度値Ｐ_Mから、背光雑音による濃度値Ｐ_Nを減算して溶銑における実際の濃度値Ｐ_Tを求め、求めた溶銑における実際の濃度値Ｐ_Tを用いて、溶銑における温度を求める。 - 特許庁

The P^+ layer is a high concentration layer with an impurity concentration of boron around 1×10^20/cc.例文帳に追加

Ｐ^＋層はボロンの不純物濃度が１×１０^２０／ｃｃ程度の高濃度層である。 - 特許庁

The hydrogen concentration in the Na is decreased by cleanup, and a hydrogen concentration peak P is formed.例文帳に追加

クリンナップによりＮａの水素濃度が低下し、水素濃度ピークＰを形成する。 - 特許庁

The impurity concentration of the low-concentration impurity region 36 is lower than that of the P well 2.例文帳に追加

低濃度不純物領域３６の不純物濃度はＰウェル２の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

The impurity concentration of the p-type connection layer 13B is smaller than that of the p-type embedded layer 13A.例文帳に追加

ｐ−型接続層１３Ｂの不純物濃度はｐ型埋め込み層１３Ａのそれより小さい。 - 特許庁

The concentration distribution of p-type impurity remaining active in the p^+ region 12 is almost fixed.例文帳に追加

ただし、Ｐ＋領域１２におけるＰ型不純物のうち活性なものの濃度分布がほぼ一定である。 - 特許庁

The P^- layer is extended from the P^+ layer toward the gate 13g and is a low concentration layer with an impurity concentration of boron around 1×10^18/cc.例文帳に追加

Ｐ^−層はＰ^＋層からゲート１３ｇの方向に延びており、そのボロンの不純物濃度は１×１０^１８／ｃｃ程度の低濃度層である。 - 特許庁

Concentration of p-type impurity included in the region 21 is about 1.5 to 2.5 times the concentration of the p-type impurity included in the region 22.例文帳に追加

領域２１に含まれるＰ型の不純物の濃度は、領域２２に含まれるＰ型の不純物の濃度の１．５〜２．５倍である。 - 特許庁

After a p-type high-concentration semiconductor layer 21 is grown, the heat treatment 25 of the p-type high-concentration semiconductor layer 21 is carried out.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。 - 特許庁

A concentration of a p-type impurity of the second partial region 44 is higher than a concentration of a p-type impurity of the first partial region 42.例文帳に追加

第２部分領域４２のｐ型不純物の濃度は、第１部分領域４４のｐ型不純物濃度よりも濃い。 - 特許庁

Further, as the one for correcting the P concentration in the solder, P having a concentration with which it perfectly dissolves in Sn at about 250°C is comprised.例文帳に追加

また、本はんだのＰ濃度補正用として、２５０℃程度においてＳｎ中に完全に溶解する濃度のＰを含有させる。 - 特許庁

Although p-type carrier concentration becomes low by low temperature thermal diffusion, the p-type carrier concentration is raised to 4×10^18cm^-3 or more by the heat treatment.例文帳に追加

低温の熱拡散でｐ型キャリヤ濃度は低くなるが、熱処理をするのでｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上に上がる。 - 特許庁

P type dopants are executed so that the peak position of the concentration of the P type dopants becomes deeper than the peak position of the concentration of the N type dopants.例文帳に追加

Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。 - 特許庁

The second impurity concentration that the p type diffusion area 21 has is lower than the first impurity concentration that the p+ type diffusion region 5 has.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２１の有する第２の不純物濃度は、ｐ＋型拡散領域５の有する第１の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

Concentration of this p-type impurity is 1×10^15cm^-3.例文帳に追加

このｐ型不純物の濃度は、１×１０^15ｃｍ^-3である。 - 特許庁

EVALUATION METHOD FOR METAL IMPURITY CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 - 特許庁

A P-well area 21 of which impurity concentration is lower than those of the first P-well area 55a and the second P-well area 55b is formed between the first P-well area 55a and the second P-well area 55b.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aと第2Pウェル領域55bとの間には第1Pウェル領域55aおよび第2Pウェル領域55bよりも不純物濃度が低いP-型ウェル領域21を有する。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加

また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加

炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁

The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

A P^+ region halo-P, with which a P^- type impurity is introduced with high concentration, is provided in contact with the source/drain region except for the N^- region 171 of a low concentration extension region, namely, to the lower part of the N^+ region 172.例文帳に追加

低濃度エクステンション領域のＮ^-領域１７１を除いたソース／ドレイン領域、つまりＮ^+領域１７２下部に接触するように、Ｐ型の不純物が高濃度に導入されたＰ^+領域Halo-Pが設けられている。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^＋型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁

The p-well 60 located under the output is formed with the concentration of the p-type impurity higher than the p-well 10 in the other area.例文帳に追加

出力部の下に配置されたＰウェル６０は、他の領域のＰウェル１０よりＰ型不純物の濃度が高く形成される。 - 特許庁

The impurity concentration of the P-type region 7a is higher than that of the P-type well 2, and that of the P-type region 4 is higher than it.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａはＰ型ウェル２より不純物濃度が高く、Ｐ型領域４はそれよりも更に高い。 - 特許庁

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

An interval d of high concentration p-type conductive layers 3, 4 is set to the interval for depletion of the area between the high concentration p-type conductive layer 3 and high concentration p-type conductive layer 4 at the low concentration n-type conductive layer 2 when the desired voltage lower than the breakdown voltage BV is applied.例文帳に追加

高濃度ｐ型導電層３，４の間隔ｄを、降伏電圧BV以下の所望の電圧を印加したときに、低濃度ｎ型導電体層２における高濃度ｐ型導電層３と高濃度ｐ型導電層４との間の部分が空乏化する間隔に設定する。 - 特許庁

The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。 - 特許庁

In the cast slab having a white cast iron structure, the concentration of phosphorus atoms [P] is ≥0.015 mass%, and provided that molar concentration of the phosphorus atoms [P_mol] is ≥0.4×[P_mol], the molar concentration of rare earth elements [REM_mol] is ≥0.4×[P_mol].例文帳に追加

白鋳鉄組織を有する鋳片であって、リン原子の濃度［Ｐ］が０．０１５質量％以上であり、希土類元素のモル濃度［ＲＥＭ_ｍｏｌ］が、リン原子のモル濃度を［Ｐ_mol］としたときに、０．４×［Ｐ_mol］以上であることを特徴とする鋳片である。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁