「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The thermoelectric converter 7 consists of a P-type semiconductor element 8 and an N-type semiconductor element 9.例文帳に追加

熱電変換部７は、Ｐ型半導体素子８とＮ型半導体素子９とから構成されている。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

With respect to a semiconductor device including the clamp diode, a P^--type diffusion layer 5 is formed in the surface of an N^--type semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｎ−型の半導体層２の表面には、Ｐ−型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 4 comprises a p-type semiconductor layer 41, an i-type semiconductor layer 42, and an n-type semiconductor layer 43.例文帳に追加

また、半導体層４は、ｐ型半導体層４１、i型半導体層４２、およびｎ型半導体層４３を備えている。 - 特許庁

The semiconductor layer 2 has an n-type semiconductor region 21, a p-type semiconductor region 22, and an i-type semiconductor region 23.例文帳に追加

半導体層２は、ｎ型半導体領域２１、ｐ型半導体領域２２、及びｉ型半導体領域２３を有する。 - 特許庁

A trench 12 is formed to a semiconductor substrate 4 with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2 and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とを有する半導体基板４にトレンチ１２を設ける。 - 特許庁

The semiconductor layer has, for example, an n-type semiconductor layer 9, an i-type semiconductor layer 10, and a p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体層は、例えば、ｎ型半導体層９、ｉ型半導体層１０、及びｐ型半導体層１１を有する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type GaN clad layer 18 and a p-type InGaN guide layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７を含む。 - 特許庁

A stripe-shaped P-side electrode 15 is formed on a P-type contact layer contained in the uppermost layer of the P-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｐ型半導体層１４の最上層に含まれるｐ型コンタクト層の上には、ストライプ状のｐ側電極１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a p-type nitride semiconductor for manufacturing the p-type nitride semiconductor with low resistance, and to provide a nitride semiconductor device containing the p-type nitride semiconductor, which was manufactured by using the manufacturing method of the p-type nitride semiconductor.例文帳に追加

低抵抗のｐ型窒化物半導体を製造することができるｐ型窒化物半導体の製造方法およびそのｐ型窒化物半導体の製造方法を用いて製造されたｐ型窒化物半導体を含む窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the semiconductor 15 is a p-type semiconductor composed of germanium semiconductor film.例文帳に追加

半導体１５は、ゲルマニウム半導体膜からなるｐ型半導体が好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型窒化物系化合物半導体の製造方法および半導体ウエハならびに半導体デバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER例文帳に追加

半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 - 特許庁

A semiconductor light emitting device comprises an n-type region, a p-type region, and a light emitting region arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加

半導体発光装置は、ｎ型領域と、ｐ型領域と、該ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光領域とを含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a multilayer structure provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; a light-emitting portion contacting the multilayer structure between the multilayer structure and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた多層構造体と、多層構造体とｐ形半導体層との間で多層構造体に接する発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The light emitting device is provided with at least an n-type nitride semiconductor and a p-type nitride semiconductor while the p-type nitride semiconductor is provided with the p-type electrode at a predetermined area.例文帳に追加

本発明の発光素子は、ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有し、ｐ型窒化物半導体の所定の一部にｐ電極を備える発光素子である。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes: a semiconductor laminated portion including an n-type layer and a p-type layer each constituted of a nitride semiconductor; an n-electrode connected to the n-type layer; and a p-electrode connected to the p-type layer.例文帳に追加

それぞれが窒化物半導体から構成されたｎ型層及びｐ型層を含む半導体積層部と、ｎ型層に接続されたｎ電極と、ｐ型層に接続されたｐ電極と、を有する窒化物半導体レーザ素子に関する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

A composite film consists of titanium oxide and a P-type semiconductor and has photocatalytic activity.例文帳に追加

酸化チタン及びp型半導体からなり、光触媒活性を有する複合膜。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; a functional portion provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-type nitride semiconductor 104; a p-type nitride semiconductor 106; and an active layer disposed between the n-type nitride semiconductor 104 and the p-type nitride semiconductor 106.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 13, and an active layer 12 having a multilayer quantum well structure sandwiched by the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層１２とを有している。 - 特許庁

The semiconductor stack structure includes a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer, and the p-type compound semiconductor layer is positioned closer to a support substrate side than the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

半導体積層構造体はｐ型化合物半導体層、活性層及びｎ型化合物半導体層を有し、ｐ型化合物半導体層がｎ型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 10 comprises an n-type semiconductor 12, an active layer 13, and a p-type semiconductor 14 while the active layer 13 is constituted so as to be pinched between the n-type semiconductor 12 and the p-type semiconductor 14.例文帳に追加

半導体発光デバイス１０は、ｎ型半導体１２、活性層１３、およびｐ型半導体１４を含み、活性層１３は、ｎ型半導体１２とｐ型半導体１４に挟まれるよう構成される。 - 特許庁

A sandwich type laminate is formed of a p-type organic semiconductor thin film 2 and an n-type inorganic semiconductor thin film 4 across a coevaporated composite film 3, composed of a p-type organic semiconductor and an n-type inorganic semiconductor.例文帳に追加

ｐ型有機半導体とｎ型無機半導体から成る共蒸着複合膜３を挟んでｐ型有機半導体薄膜２とｎ型無機半導体薄膜４によりサンドウィッチ状の積層体を構成している。 - 特許庁

The p-type wide gap semiconductor has an aligned lamination of a layer 12 formed of a second semiconductor showing the p-type electrical characteristic on the layers 11, 11' formed of a first semiconductor having the forbidden band width of 2.8 eV or more.例文帳に追加

本発明のp型ワイドギャップ半導体は、2.8eV以上の禁制帯幅を有する第１の半導体から成る層１１、１１’の上に、p型の電気特性を示す第２の半導体から成る層１２が整合積層していることを特徴とする。 - 特許庁

In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域５にＮ型不純物の他にＰ型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びＰ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 - 特許庁

To provide a p-type gallium nitride compound semiconductor formed of a gallium nitride compound semiconductor layer doped with a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なｐ型とする窒化ガリウム系化合物半導体を提供する。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁

The anode includes a first p-type semiconductor anode region 204 and a second p-type semiconductor anode region 206.例文帳に追加

陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。 - 特許庁

The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加

第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、およびｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体用の電極の製造方法 - 特許庁

Since the output potential LV is applied to a P-type semiconductor substrate 10, the potential of the P-type semiconductor substrate becomes -VDD.例文帳に追加

出力電位ＬＶはＰ型半導体基板１０に印加されるので、Ｐ型半導体基板１０の電位は−ＶＤＤになる。 - 特許庁