「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type semiconductor layer 11 is formed to the opening 9h.例文帳に追加

開口９ｈには、ｐ型半導体層１１が設けられている。 - 特許庁

The incorporated Mn forms a shallow acceptor level, and the GaN becomes a p-type semiconductor.例文帳に追加

Ｍｎが浅いアクセプタレベルを形成し、ＧａＮがｐ型を示す。 - 特許庁

The surface of the p^+-type semiconductor region 7 is optically exposed.例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。 - 特許庁

A main electrode 28 connected to the p^+ type semiconductor region 20 is formed.例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域２０に接続された主電極２８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 102 is formed as the p-type one with the addition of carbon (C).例文帳に追加

半導体層１０２は、Ｃの添加によりｐ型とされている。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 106 is disposed in the active region 115.例文帳に追加

活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。 - 特許庁

To provide a method of activating a compound semiconductor thin film into p-type one.例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法を提供する。 - 特許庁

THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

薄膜及びｐ型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR FILM AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ｐ型半導体膜の製造方法およびそれを用いた発光素子 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device that prevents a P-type electrode from being peeled off.例文帳に追加

Ｐ型電極の剥離を抑制できる窒化物半導体装置を得る。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a process of injecting a p-type impurity into the semiconductor layer by using the oxide film on the surface of the n-type semiconductor region as a mask to selectively form a p-type semiconductor region having a p-type impurity concentration higher than that of the semiconductor layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、ｎ形半導体領域の表面上の酸化膜をマスクにして、半導体層にｐ形不純物を注入し、半導体層に半導体層よりもｐ形不純物濃度が高いｐ形半導体領域を選択的に形成する工程を有する。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

The conductive thin film layer has a p-type organic semiconductor thin film containing a p-type semiconductor and an acceptor, and a n-type semiconductor thin film provided on the anode side with respect to the p-type organic semiconductor thin film while containing a N-type semiconductor and a donor such as alkaline metal or alkaline earth metal.例文帳に追加

導電体薄膜層は、Ｐ型半導体とアクセプタとを含むｐ型有機半導体薄膜と、ｐ型有機半導体薄膜よりも陽極側に設けられ、Ｎ型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属などのドナーとを含むｎ型有機半導体薄膜とを有する。 - 特許庁

Each of the plurality of regions 15a includes a p-type semiconductor layer 16 formed on the active layer 12 and an n-type semiconductor layer 17 formed on the p-type semiconductor layer 16, and the p-type semiconductor layer 16 and the n-type semiconductor layer 17 mutually constitute a tunnel junction.例文帳に追加

複数の領域１５ａのそれぞれは、活性層１２上に設けられたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に設けられたｎ型半導体層１７とを含み、ｐ型半導体層１６及びｎ型半導体層１７が互いにトンネル接合を構成する。 - 特許庁

A luminescent thyristor L includes a distribution Bragg reflection layer 81 and a semiconductor layer 60 (a structure of a p-type first semiconductor layer 82, an n-type second semiconductor layer 83, a p-type third semiconductor layer 84, and an n-type fourth semiconductor layer 85 laminated in sequence) on a p-type substrate 80.例文帳に追加

発光サイリスタＬは、ｐ型の基板８０上に、分布ブラッグ反射層８１と半導体層６０（ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層された構造）とを備えている。 - 特許庁

An electrode pattern is formed by such method that, after p-type semiconductor layers 3 and 4 are formed on a silicon substrate 1 and an n-type semiconductor layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is removed with a predetermined pattern by using laser abrasion so as to expose the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ｐ型半導体層３、４を形成し、ｐ型半導体層上に、ｎ型半導体層５を形成した後、レーザ・アブレーションを用いて、所定のパターンで、ｎ型半導体層を除去し、ｐ型半導体層を露出させて、電極パターンを形成する。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

An optical waveguide core 102 is constructed by laminating: a p-type semiconductor layer 121; an n-type semiconductor layer 122; an insulating layer 123; a modulation layer 124 composed of a p-type semiconductor; an insulating layer 125; a p-type semiconductor layer 126; and an n-type semiconductor layer 127.例文帳に追加

光導波路コア１０２は、ｐ型半導体層１２１、ｎ型半導体層１２２、絶縁層１２３、ｐ型半導体からなる変調層１２４、絶縁層１２５、ｐ型半導体層１２６、ｎ型半導体層１２７が積層されて構成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 12 and a p-type semiconductor region 13 are provided on a semi-insulating GaAs substrate 11 and an n-type ohmic electrode 14 is provided on the n-type semiconductor region 12, while a p-type ohmic electrode 15 is provided on the p-type semiconductor region 13.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上にｎ型半導体領域１２とｐ型半導体領域１３を設け、ｎ型半導体領域１２上にｎ型オーミック電極１４を設け、ｐ型半導体領域１３上にｐ型オーミック電極１５を設けている。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer 20 comprises an n-type semiconductor layer 2, an active layer 3, a p-type semiconductor layer 4, and a p-type contact layer 5; and is formed on a matrix substrate 1 consisting of sapphire through a known method, then, a p-type electrode is formed on the p-type contact layer 5.例文帳に追加

サファイアからなる母材基板１の上にｎ型半導体層２と活性層３とｐ型半導体層４とｐ型コンタクト層５とからなる窒化物半導体層２０を既知の方法により形成し、ｐ型コンタクト層５の上にｐ型電極を形成する。 - 特許庁

An i-type noncrystalline semiconductor film 4 and an n-type noncrystalline semiconductor film 5 are successively formed on the p-type noncrystalline semiconductor film 3 (c).例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３上にｉ型非晶質半導体膜４及びｎ型非晶質半導体膜５を順次形成する（ｃ）。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, an N^--type semiconductor region 11, a P-type semiconductor region 12, and an N^+-type semiconductor region 13 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０には、Ｎ^-型半導体領域１１、Ｐ型半導体領域１２およびＮ^+型半導体領域１３が形成されている。 - 特許庁

The first conductivity type nitride semiconductor layer 11 is, for instance, formed by a p-type nitride semiconductor layer, and the first electrode 21 is a p-electrode which contacts the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第１の導電型の窒化物半導体層１１は例えばｐ型窒化物半導体層から形成され、第１の電極２１はｐ型窒化物半導体層と接するｐ電極とすることができる。 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

The p-type group III nitride semiconductor region 19 includes a first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21, and the oxygen concentration of the first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21 is 5×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layr 15, and a p-type semiconductor layer are laminated on a substrate 11; and a p-side main electrode 21 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１５およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側主電極２１が設けられている。 - 特許庁

The buried p^+ type semiconductor region 50, a p^+ type semiconductor region 36 formed in the SIThy 12, and a buried p^+ type semiconductor region 38 are connected electrically.例文帳に追加

埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０と、ＳＩＴｈｙ１２に形成されているｐ^+型半導体領域３６と、埋め込み型のｐ^+型半導体領域３８とを電気的に接続する。 - 特許庁

A second p-type semiconductor coating liquid is discharged from the discharge port 12 of the coating device 1 to form a second p-type semiconductor layer 25 on the first p-type semiconductor layer 24.例文帳に追加

続いて、第１のｐ型半導体層２４上に、塗布装置１の吐出口１２から第２のｐ型半導体塗布液を吐出して、第２のｐ型半導体層２５を形成する。 - 特許庁

An integrated circuit 1 includes a substrate of P-type semiconductor, and a plurality of circuit formation elements where a P-type semiconductor part of P-type semiconductor is interposed between adjoining N wells, locally including the N well.例文帳に追加

さらに、集積回路１は、Ｐ型半導体から成る基板と、Ｎウェルを一部に有し、隣接するＮウェルの間にＰ型半導体から成るＰ型半導体部が介在されて構成されている複数の回路形成素子とを備える。 - 特許庁

The p-type semiconductor and the n-type semiconductor each have a semiconductor material and a dopant attached to a surface of the semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体及びｎ型半導体は、それぞれ、半導体材料と、半導体材料の表面に付着したドーパントと、を有する。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises an n-type semiconductor layer, a semiconductor active layer, and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

その内、半導体構造はｎ型半導体層、半導体活性層及びｐ型半導体層で構成される。 - 特許庁

The complementary semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a p-type semiconductor device, and an n-type semiconductor device.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、相補型であり、半導体基板、ｐ型半導体装置およびｎ型半導体装置を具備する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer efficiently including a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

効率よくｐ型半導体とｎ型半導体とを含む半導体層を備える半導体デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer 150 consists of an N-type semiconductor layer 151, an intrinsic semiconductor layer 152 and a P-type semiconductor layer 153.例文帳に追加

上記光起電力素子の半導体層中に、下記Ａ及びＢに示される少なくとも一つの緩衝層を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a substrate 110, an n-type semiconductor layer 130, a semiconductor light emitting layer 140 and a p-type semiconductor layer 150 in this order.例文帳に追加

半導体素子１００は、基板１１０、ｎ型半導体層１３０、半導体発光層１４０、及びｐ型半導体層１５０を、この順に備える。 - 特許庁

The photoelectric converting film has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and at least one of the p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer contains an acene-based compound having a substituent.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層を有し、該ｐ型半導体層およびｎ型半導体層の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含む光電変換膜。 - 特許庁

A photo diode is formed between the plugs 11a and 11b by the n^+-type semiconductor region 4, the n^--type semiconductor region 2, the p-type semiconductor substrate 1, and the p^+-type semiconductor region 5.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域４、ｎ^−型半導体領域２、ｐ型の半導体基板１およびｐ^＋型半導体領域５により、プラグ部１１ａ，１１ｂ間にフォトダイオードが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a photodiode having a p-type semiconductor layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and an n-type cathode region 15 in this sequence on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。 - 特許庁

The light-emitting thyristor 20 includes a first N-type semiconductor layer 42, a first P-type semiconductor layer 43, a second N-type semiconductor layer 44 and a second P-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光サイリスタ２０は、第１のＮ型半導体層４２と、第１のＰ型半導体層４３と、第２のＮ型半導体層４４と、第２のＰ型半導体層４５とを含んで構成される。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor region 12d is formed on the surface side of a p^--type well layer 12c of a semiconductor substrate 12, and a photodiode is constituted of this n^+-type semiconductor and the p^--type semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１２のＰ−型ウエル層１２ｃの表面側には、Ｎ＋型半導体領域１２ｄが形成されており、このＮ＋型半導体とＰ−型半導体とでフォトダイオードが構成される。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁

While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped.例文帳に追加

ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。 - 特許庁