「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The transistor TR12 is of an n-channel type and is formed on the surface of the p-type semiconductor substrate 50.例文帳に追加

ＴＲ１２はＮチャネル型であり、Ｐ型半導体基板５０の表面に形成される。 - 特許庁

The deep N type well regions 12 and 12 are isolated electrically by the P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型の深いウェル領域１２，１２をＰ型の半導体基板１１によって電気的に分離する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed of a p-type field effect transistor and an n-type field effect transistor.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型及びＮ型の電界効果トランジスタより成る。 - 特許庁

Further, in the case of a=5, it exhibits the properties of an N type or P type semiconductor according to temperature conditions.例文帳に追加

なおa＝５の場合、温度条件により、Ｎ型又はＰ型半導体の性質を呈する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type body region 10 is formed in the surface layer portion of an N-type epitaxial layer 6.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層６の表層部には、Ｐ型のボディ領域１０が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁

A nitride semiconductor device has a p-type light guide layer 106 composed of a p-type GaN, with a surface being subjected to etching, and a p-type contact layer 108 composed of p-type GaN formed on a surface to be etched in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

The semiconductor element includes a p-type semiconductor layer 103, by using a material of zinc oxide and a p-side electrode 105 formed on the p-type semiconductor layer 103.例文帳に追加

半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。 - 特許庁

At the interface between a semiconductor layer 18, including P and a regrowth p-type semiconductor layer 22 formed above it, a p^+-type semiconductor layer 21 is formed that contains As and Ga, whose doping concentration is 5×10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

Ｐを含む半導体層１８とその上に形成されたｐ型の再成長半導体層２２との界面に、ドーピング濃度が５×１０^18cm^-3以上であるＧaとＡsとを含むｐ^+型の半導体層２１を形成している。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 13 contacts with the P-type semiconductor substrate 1 and the N-type diffusion layer 9, and is arranged away from the N-type well 3 and the P-type diffusion layer 11.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１３は、Ｐ型半導体基板１及びＮ型拡散層９に接し、かつＮ型ウエル３及びＰ型拡散層１１とは間隔をもって配置されている。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is comprised of an n-type DBR layer 12, an n-type clad layer 13, an active layer 14 having a light emitting area 14A, a p-type clad layer 15, a p-type DBR layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＤＢＲ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光領域１４Ａを有する活性層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型ＤＢＲ層１６およびｐ型コンタクト層１７とを有する。 - 特許庁

The gallium nitride based compound semiconductor has n-type gallium nitride system compound semiconductor layers including at least n-type dopant, and p-type gallium nitride based compound semiconductor layers including at least the p-type dopant.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体は、少なくともｎ型不純物を含むｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、少なくともｐ型不純物を含むｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する。 - 特許庁

N-type semiconductor regions 3a and p-type semiconductor regions 3b are formed alternately in the width direction of a gate, on a part of the semiconductor layer 3 interposed between p-type well region 5 and the n-type drain region 4.例文帳に追加

半導体層３には、ｐ形ウェル領域５とｎ形ドレイン領域４との間に介在する部分にｎ形半導体領域３ａとｐ形半導体領域３ｂとがゲート幅方向において交互に形成される。 - 特許庁

A first electrode 2 for Schottky contact is connected with the N-type semiconductor region 5 and the P^+-type guard ring region 6, and a second electrode 3 is connected with the N^+-type semiconductor region 7 and the P^+-type semiconductor region 8.例文帳に追加

ショットキ接触用の第１の電極２がＮ型半導体領域５とＰ^＋型ガードリング領域６とに接続され、第２の電極３がＮ^＋型半導体領域７とＰ^＋型半導体領域８とに接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a P-type thin-film resistor that is formed by a P-type semiconductor thin film, and an N-type thin-film resistor that is formed by an N-type semiconductor thin film, thus canceling the resistance change when stress has been applied.例文帳に追加

Ｐ型の半導体薄膜で形成されたＰ型薄膜抵抗体と、Ｎ型の半導体薄膜で形成されたＮ型薄膜抵抗体とから構成し、応力がかかった場合の抵抗値変化を相殺した。 - 特許庁

This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加

本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.例文帳に追加

ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁

An insulating layer 101 composed of a silicon oxide film is formed on the surface of a p--type semiconductor substrate 100 and a p-type semiconductor layer 102 composed of a p--type impurity layer is formed on the layer 101.例文帳に追加

ｐ^- 型の半導体基板１００の表面部にはシリコン酸化膜からなる絶縁層１０１が形成されており、該絶縁層１０１の上にはｐ^- 型の不純物層からなるｐ型半導体層１０２が形成されている。 - 特許庁

A p-type impurity is doped in a first barrier layer nearer to the p-type semiconductor layer, among the first barrier layer and a second barrier layer included in the quantum well adjacent to the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。 - 特許庁

The entirely grown n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and a p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and annealed, and the gallium nitride-based compound semiconductor layer that contains the p-type impurities is set to the p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer.例文帳に追加

成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の全体をアニーリングして、ｐ型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。 - 特許庁

On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.例文帳に追加

基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁

An anode electrode 14 is further formed on the P type semiconductor layer 12 so as to be connected to the P type semiconductor layer 12, and a mesa groove 26 is formed from the front surface of the P type semiconductor layer 12 deeper than the N- type semiconductor layer 11 so as to surround the anode electrode.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１２上にはさらに、Ｐ型半導体層１２と接続するアノード電極１４を形成し、これを取り囲んで、Ｐ型半導体層１２の表面から、Ｎ−型半導体層１１より深くメサ溝２６を形成する。 - 特許庁

A photovoltaic element 20 is composed by successively laminating an insulating board 21, a transparent electrode 22, an n-type semiconductor layer 23, a first p-type semiconductor layer 24, a second p-type semiconductor layer 25 (second p-type semiconductor layer), and a back electrode layer 26.例文帳に追加

光起電力素子２０は、絶縁性基板２１と、透明電極２２と、ｎ型半導体層２３と、第１のｐ型半導体層２４と、第２のｐ型半導体層２５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層２６とが順に積層されて構成されている。 - 特許庁

A p-side electrode 17 is formed on a p-type gallium nitride-based semiconductor region 23 of the semiconductor lamination 15.例文帳に追加

ｐ側電極１７は、半導体積層１５のｐ型窒化ガリウム系半導体領域２３上に設けられている。 - 特許庁

The element comprises a p-type nitride semiconductor layer and a p-side electrode 18 comprising a palladium oxide film 30 on the surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体層表面上の酸化パラジウム膜３０を含むｐ側電極１８とを備える。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor light-emitting element by reducing the resistance of and improving the c-axis orientational distribution of a p-type layer in a III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type semiconductor crystal, which has high activation factor in a wide-gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which is improved in reliability by enabling a p-type layer of a III nitride semiconductor to be reduced in resistance and improved in C-axis orientation distribution.例文帳に追加

III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a p-type well PWL1 disposing an n-type MIS Qn_1 surrounded by an n-type well NWL5, and a p-type MIS Qp1 provided on the same semiconductor substrate adjacent to the n-type well NWL5 electrically isolated from an n-type well NWL1 disposed with the p-type MIS Qp_1.例文帳に追加

半導体基板１Ｓにおいて、ｎＭＩＳＱｎ１が配置されたｐ型ウエルＰＷＬ１をｎ型ウエルＮＷＬ５で取り囲み、これに隣接するように同一の半導体基板１Ｓに設けられたｐＭＩＳＱｐ１が配置されたｎ型ウエルＮＷＬ１から電気的に分離した。 - 特許庁

Specifically, an N-type semiconductor layer 2, a P-type semiconductor layer 3 and pad electrodes 4 and 5 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

具体的には半導体基板１の表面上に、Ｎ型半導体層２，Ｐ型半導体層３，及びパッド電極４，５が形成されている。 - 特許庁

A diode 1 has a semiconductor substrate 2, a n^--type semiconductor layer 3 and a p^+-type semiconductor region 4.例文帳に追加

ダイオード１は、半導体基板２と、ｎ^−型半導体層３と、Ｐ^＋型半導体領域４とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor laminate 15 includes an n-type GaN semiconductor region 17, an active layer 19, and a p-type GaN semiconductor region 21.例文帳に追加

半導体積層１５は、ｎ型ＧａＮ系半導体領域１７、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体領域２１を含む。 - 特許庁

It is preferable that the semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer formed between the substrate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。 - 特許庁

The above-described problem is solved by the semiconductor particle having a p-type semiconductor such as nickel oxide and an n-type semiconductor such as zinc oxide.例文帳に追加

酸化ニッケル等のｐ型半導体と、酸化亜鉛等のｎ型半導体とを有する半導体粒子により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The organic semiconductor layer 3 is composed of an n-type organic semiconductor film 3_1n and a p-type organic semiconductor film 3_2p.例文帳に追加

有機半導体層３は、厚み方向に積層されたｎ形有機半導体膜３_１ｎとｐ形有機半導体膜３_２ｐとで構成されている。 - 特許庁

An N- type semiconductor layer 11 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, and a P type semiconductor layer 12 is formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にＮ−型半導体層１１を形成し、その上層にＰ型半導体層１２を形成する。 - 特許庁

An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層２とｐ形半導体層３との間には窒化物半導体材料からなる活性層（図示せず）が設けられている。 - 特許庁

On both the sides of an intrinsic semiconductor layer, n-type semiconductor layers 6 and p-type semiconductor layers 5 are alternately provided.例文帳に追加

真性半導体層の両側にｎ型半導体層６およびｐ型半導体層５を交互に設けた。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 12, the active layer and the p-type semiconductor layer 13 form a semiconductor layer for the protection element.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層が形成される。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 is configured by laminating an n-type semiconductor layer 11, an active layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、活性層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device capable of expanding a depletion layer to both sides of a p^- type semiconductor layer and an n^- type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ^−型半導体層とｎ^−半導体層側の両方に空乏層を拡大することができる光半導体装置を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminate structure 2 is formed by laminating an n-type semiconductor layer 11, a luminescent layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer interposing an active layer and mutually joined.例文帳に追加

半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。 - 特許庁