「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the element 10, an electromotive force is generated by setting a temperature difference between the semiconductors 11 and 12 (e.g. temperature gradient such as high temperature (TH) in the N-type semiconductor side and low temperature (TL) in the P-type semiconductor side).例文帳に追加

この熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12との間に、温度差（例えば、N型半導体側を高温（T_H）、P型半導体側を低温（T_L）とした温度勾配）を設定すると電極間に起電力が生じる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device is provided with a semiconductor region 3 having light-emitting function having an n-type semiconductor layer 6, an active layer 7, p-type semiconductor layer 8, and p-type auxiliary semiconductor layer 9; and a light reflecting layer 2 made from Ag or an Ag alloy between a supporting conductive substrate 1 and the semiconductor region 3.例文帳に追加

ｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とｐ型補助半導体層９とを有する発光機能を有する半導体領域３と導電性を有する支持基板１との間にＡｇ又はＡｇ合金から光反射層２を設ける。 - 特許庁

In this Peltier element 1, a plurality of n type semiconductors 5 and p type semiconductors 6 are adjacently disposed, and both surfaces of the n type semiconductor 5 and the p type semiconductor 6 adjacently disposed are electrically connected by a flexible conductive plate 7.例文帳に追加

ペルチェ素子１は、複数のｎ型半導体５とｐ型半導体６を隣接して配設して、隣接して配設されるｎ型半導体５とｐ型半導体６の両面を可撓性のある導電プレート７で電気接続している。 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having N-type and P-type transistors having appropriate high operation voltages and N-type and P-type transistors having appropriate low operation voltages, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

適切な高い動作電圧を有するＮ型およびＰ型トランジスタ、ならびに適切な低い動作電圧を有するＮ型およびＰ型トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

To stably obtain an n-type or p-type boron-phosphide based semiconductor layer with precisely controlled carrier density by adding n-type or p-type impurities when the boron-phosphide based semiconductor layer is formed by a vapor-phase growing means.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を気相成長手段により成長する際、ｎ形またはｐ形不純物を添加して、精密に制御されたキャリア濃度のｎ形またはｐ形のリン化硼素系半導体層を安定して得る。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion element main body (11) comprises a p-type silicon semiconductor while the n-type thermoelectric conversion element main body (12) comprises an n-type silicon semiconductor.例文帳に追加

ｐ型熱電変換素子本体（１１）はｐ型シリコン系半導体により構成され、ｎ型熱電変換素子本体（１２）はｎ型シリコン系半導体により構成される。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 12, an n-type organic semiconductor film 13, a p-type organic semiconductor film 14, and a p-type transparent conductive film 15, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１２、ｎ型有機半導体膜１３、ｐ型有機半導体膜１４及びｐ型透明導電膜１５がこの順に積層されている。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 16, a mixed film 17 of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, and a p-type transparent conductive film 18, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１６、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合膜１７及びｐ型透明導電膜１８がこの順に積層されている。 - 特許庁

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

Ｐ型半導体層２０２の表面部分に、第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂをすると共に、この第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂの間に、Ｐ型表面拡散部２０６を備える。 - 特許庁

An upper semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 10, and a lower semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 2, the i-type multilayer-film reflective layer 3, and the n-type multilayer-film reflective layer 4.例文帳に追加

上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。 - 特許庁

The basic structure of this lateral J-FET includes an n-type semiconductor layer 3 consisting of an n-type impurity region, and a p-type semiconductor layer 6 consisting of a p-type impurity region.例文帳に追加

この横型ＪＦＥＴの基本的構造は、ｎ型の不純物領域からなるｎ型半導体層３と、このｎ型半導体層３の上にｐ型の不純物領域からなるｐ型半導体層とを備える。 - 特許庁

A photodiode is constituted of a P-type semiconductor substrate 1, a plurality of N-type small regions 2a-2f formed on the P-type semiconductor substrate 1, and a means 4 for connecting the plurality of N-type small regions 2a-2f.例文帳に追加

フォトダイオードは、Ｐ型半導体基板１と、Ｐ型半導体基板１に形成された複数のＮ型小領域２ａ〜２ｆと、これらの複数のＮ型小領域２ａ〜２ｆを接続する手段４とから成っている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer (n-type contact layer 20) of one PIN structure and the p-type semiconductor layer (p-type contact layer 19) of the other PIN structure both come into contact with a connection portion 30 and are electrically connected.例文帳に追加

一方のＰＩＮ構造のｎ型半導体層（ｎ型コンタクト層２０）と他方のＰＩＮ構造のｐ型半導体層（ｐ型コンタクト層１９）とは共に、連結部３０と接すると共に電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 1 as a medical skin treatment member is obtained by mixing the semiconductor powder in the raw material as ink, a coating material and an adhesive, and a N-type, a P-type or the mixture of the N-type and the P-type is used.例文帳に追加

経皮治療部材としての半導体層１は、インク、塗料、接着剤等としての素材に半導体のパウダーを混入させたもので、Ｎ型、またはＰ型、あるいはＮ型とＰ型とを混合させたものを用いる。 - 特許庁

The visible-light response type photocatalyst has a p-type organic semiconductor and a n-type organic semiconductor, wherein the photocatalyst consists of a three-layer structure in which the p-type organic semiconductor and the n-type organic semiconductor are laminated on an adsorption material layer in this order.例文帳に追加

ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体と吸着材とを含有する可視光応答型光触媒であり、具体的には、吸着材層上に、ｐ型有機半導体層及びｎ型有機半導体層がこの順に積層した三層構造を有する可視光応答型光触媒に関する。 - 特許庁

A further embodiment includes a planar avalanche photodiode having the first n-type semiconductor layer defining the planar contact area, the n-type semiconductor multiplication layer, the n-type semiconductor absorption layer and a p-type semiconductor layer electrically coupled to the p-type contact layer.例文帳に追加

さらなる実施形態は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層に電気的に結合されたｐ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has an n-type semiconductor layer 3 provided on a substrate 2; an n-type electrode 4 and a light emitting layer 5 on the n-type semiconductor layer 3; and a p type semiconductor layer 6, a contact electrode 7, a reflecting electrode 8, and a p type electrode 9 sequentially laminated to the light emitting layer 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２にｎ型半導体層３が設けられ、ｎ型半導体層３にｎ電極４および発光層５が設けられ、発光層５に、ｐ型半導体層６と、コンタクト電極７と、反射電極８と、ｐ電極９とが順次積層されている。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element comprising an active layer between an n type nitride semiconductor and a p type nitride semiconductor, the n type nitride semiconductor has an n type multilayer film layer obtained by laminating an n type contact layer made of an AlgGa1-gN (0≤g≤0.2), a GaN layer and an InpGa1-pN (0<p<1) layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、ｎ型窒化物半導体は、ＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０≦ｇ≦０．２）からなるｎ型コンタクト層と、ＧａＮ層とＩｎ_pＧａ_1-pＮ（０＜ｐ＜１）層とが積層されてなるｎ型多層膜層とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type Si substrate 109, a plurality of p-type wells 103a and 103b connected with each other by means of the bottom side of the p-type Si substrate 109, and an n-type well 101 formed surrounding sides of the p-type wells 103a and 103b.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型Ｓｉ基板１０９と、Ｐ型Ｓｉ基板１０９の底面側を介して互いに接続する、複数のＰ型ウェル１０３ａ、１０３ｂと、Ｐ型ウェル１０３ａ、１０３ｂの側部を囲むように設けられている、Ｎ型ウェル１０１と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type Si substrate 109, a p-type annular well 181 provided at the side of an element forming surface of the p-type Si substrate 109 and an n-type annular well 183 provided at the inside of the p-type annular well 181.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型Ｓｉ基板１０９と、Ｐ型Ｓｉ基板１０９の素子形成面側に設けられているＰ型環状ウェル１８１と、Ｐ型環状ウェル１８１の内側に設けられているＮ型環状ウェル１８３とを備える。 - 特許庁

The protective diode includes a plurality of p^+-type diffusion layers and a plurality of n^+-type diffusion layers, both provided on a p-well of a p-type semiconductor substrate, the plurality of the p^+-type diffusion layers serving as anodes, and the plurality of the n^+-type diffusion layers serving as cathodes.例文帳に追加

本発明の保護用ダイオードは、Ｐ型半導体基板のＰウェル上に複数のＰ＋型拡散層と、複数のＮ＋型拡散層を設け、複数のＰ＋型拡散層をアノード、複数のＮ＋型拡散層をカソードとして構成される。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes at least an n-type cladding layer 2, an active layer 4, a p-type cladding layer 6, and a p-type contact layer 8 stacked in this order on a substrate 1, and further includes a ridge portion 6a including the p-type cladding layer and the p-type contact layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of the integrated circuit equipped with a plurality of p-type electric field effect type transistors, a plurality of n-type electric field effect type transistors, a P-type substrate contact region 6 and an N-type substrate contact region 5 on a substrate.例文帳に追加

半導体装置は、基板の上に、複数のｐ型電界効果型トランジスタ、複数のｎ型電界効果型トランジスタ、Ｐ型基板コンタクト領域６及びＮ型基板コンタクト領域５を備えた集積回路からなる。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

In such a method, the trenches 24 having a predetermined pitch are formed on an n-type semiconductor 22 and a p-type semiconductor is epitaxially grown in the trench 24 to fill the trench 24 with the p-type semiconductor, thereby manufacturing the semiconductor device having a parallel pn structure wherein an n-type semiconductor region and a p-type semiconductor region are alternately repeated.例文帳に追加

また、そのような方法に従って、ｎ型半導体２２に所定のピッチでトレンチ２４を形成し、トレンチ２４内にｐ型半導体をエピタキシャル成長させてトレンチ２４をｐ型半導体で埋めることにより、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域とが交互に繰り返し接合された並列ｐｎ構造を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-N JUNCTION, P-N JUNCTION, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR例文帳に追加

タンパク質半導体の製造方法、タンパク質半導体、ｐｎ接合の製造方法、ｐｎ接合、半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器およびタンパク質半導体の導電型の制御方法 - 特許庁

The flip-chip type nitride semiconductor optical element includes: the n-type and p-type nitride semiconductor layers layered on a substrate, the positive electrode almost spread on the p-type nitride semiconductor layer, and the negative electrode formed on the n-type nitride semiconductor layer exposed by removing the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に積層されたｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に概ね全面に拡がる正電極と、ｐ型窒化物半導体層を除去して露出させたｎ型窒化物半導体層上に形成された負電極と、を有するフリップチップ型の窒化物半導体光学素子である。 - 特許庁

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１N型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内に第２Ｐ型導電領域７，８，９を点対称に形成する。 - 特許庁

The mesa type semiconductor element 1 comprises an n^+-type semiconductor layer 3, an n^--type semiconductor layer 4, and a p-type semiconductor layer 5, which are formed in a silicon substrate 2, and is formed with a mesa recess 6 on the side face.例文帳に追加

メサ型半導体素子１は、シリコンからなる基板２に形成されたｎ^＋型半導体層３と、ｎ^−型半導体層４と、ｐ型半導体層５とを備えるとともに、側面にはメサ溝６が形成されている。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 20 is formed in a part of the n^-type semiconductor layer 14 apart from the n^+ type semiconductor region 18, so as to surround the n^+ type semiconductor region 18.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域１８から離間してｎ^＋型半導体領域１８を取り囲むようにｎ^−型半導体層１４の一部にｐ^＋型半導体領域２０を形成する。 - 特許庁

In the region other than the light receiving portion S among the n-type semiconductor layer 12 (the outer edge region of the n-type semiconductor layer 12), a plurality of p-type semiconductor region 16 is formed regularly in the in-plane direction of the n-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２のうち受光領域Ｓ以外の領域（ｎ型半導体層１２の外縁領域）には、複数のｐ型半導体領域１６がｎ型半導体層１２の面内方向に規則的に形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

A ridge Ri comprised of the p-type clad layer 104, the p-type contact layer 105 and p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of a blue purple semiconductor laser element 100.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００の上面側では、ｐ型クラッド層１０４、ｐ型コンタクト層１０５およびｐ型オーミック電極１０６からなるリッジ部Ｒｉが形成されている。 - 特許庁

In the step for manufacturing a nitride compound semiconductor laser, a p-type AlGaN etching marker layer 200 is placed under a p-type GaN cap layer 108 and a p-type AlGaN clad layer 107.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザの製造工程において、ｐ型ＧａＮキャップ層１０８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７下にｐ型ＡｌＧａＮエッチングマーカー層２００を敷く。 - 特許庁