「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element has a p-type semiconductor element, an n-type semiconductor element and an insulating body on a supporting body, wherein the method of manufacturing thereof includes a step of forming the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element by coating or printing.例文帳に追加

支持体上に、ｐ型半導体素子、ｎ型半導体素子および絶縁体を有する熱電変換素子において、前記ｐ型半導体素子および前記ｎ型半導体素子を塗布または印刷により形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

To crystal-grow an n- or i-type group III nitride semiconductor on the surface of a p-type group III nitride semiconductor, and to expose the surface of the p-type group III nitride semiconductor without etching a part of the n- or i-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体の表面に、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでｐ型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる - 特許庁

In the light emitting diode including an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer over a substrate, the nitride semiconductor light emitting diode structure includes a nitride semiconductor layer containing In between the active layer and the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を有する発光ダイオードにおいて、活性層とｐ型窒化物半導体層の間にＩｎを含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード構造に関する。 - 特許庁

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor electrode portion is provided on each p-type semiconductor region exposed on the upper face of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体電極部は、半導体基板の上面に露出するｐ型半導体領域の上に設けられている。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has a semiconductor substrate 12 on which a p-type channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 20 is formed.例文帳に追加

ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０が形成されている半導体基板１２を有する半導体装置１０。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

The diffusion prevention layer is formed between the p-type semiconductor substrate and the mesa structure part and between the p-type semiconductor substrate and the semi-insulating semiconductor embedded layer.例文帳に追加

拡散防止層は、ｐ型半導体基板とメサ構造部の間、及び、ｐ型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 - 特許庁

In the method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region, a gallium nitride semiconductor film 13 is ion-implanted with a p-type dopant 17 by using a mask 15 to form a gallium nitride semiconductor film 13b.例文帳に追加

マスク１５を用いて窒化ガリウム系半導体膜１３にｐ型ドーパント１７のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜１３ｂを形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting device is equipped with, at least, a p-type nitride semiconductor with a p-electrode and an n-type nitride semiconductor with an n-electrode.例文帳に追加

本件発明は、ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for reducing a forward voltage drop across a diode having both p-type semiconductor regions and an n-type semiconductor region at a surface layer portion of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の表層部にp型半導体領域とn型半導体領域の両者を有するダイオードにおいて、ダイオードの順方向電圧降下を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor comprising a p-type semiconductor layer having high hole density with excellent reproducibility when a p-type dopant is Be, and the group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

ｐ型ドーパントがＢｅである場合において、再現良く、高いホール密度を有するｐ型半導体層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を提供する。 - 特許庁

Otherwise, the semiconductor light receiving element has a groove on the surface forming the p-type semiconductor layer, and the p-type semiconductor layer is not formed in the groove.例文帳に追加

又は、前記半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に溝部分を有してなり、かつ前記溝部分には前記Ｐ型半導体層が形成されていないようにする。 - 特許庁

A semiconductor element has an MQW active layer 43 made of a first group III nitride semiconductor and a p-type contact layer 45 made of a second group III nitride semiconductor doped with the p-type impurities.例文帳に追加

半導体素子は、第１のIII族窒化物半導体からなるＭＱＷ活性層４３と、ｐ型不純物がドーピングされた第２のIII族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層４５とを有している。 - 特許庁

A p-n tunnel junction 220 between a p-type semiconductor layer 216 and an n-type semiconductor layer 218 provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure 200.例文帳に追加

ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 3 and the p-type semiconductor layer 5 each are provided with feeders 6 and 7 for the n-side electrode and p-side electrode on the surfaces of both semiconductor layers 3 and 5 opposite to the translucent substrate 2.例文帳に追加

ｎ型半導体層３及びｐ型半導体層５の各々には、ｎ側電極及びｐ側電極の給電部６，７が両半導体層３，５における透光性基板２と反対側の面に設けてある。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is composed of an InAlGaN layer, and the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is composed of a semiconductor different from a material of the InAlGaN layer.例文帳に追加

第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。 - 特許庁

According to an embodiment, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-side electrode, an n-side electrode, and a high resistance layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、高抵抗層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

According to an embodiment, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-side electrode, and an n-side electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

There is provided a light emitting device of a nitride based compound semiconductor including an n-electrode, an n-type compound semiconductor layer, an active layer, a p-type compound semiconductor layer, and a p-electrode, and having the ohmic contact characteristic with the n-electrode improved.例文帳に追加

ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure section 2 comprises: a superlattice n-type layer 5; a p-type GaN layer 6 laminated on the superlattice n-type layer 5; and a superlattice n-type layer 7 laminated on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、超格子Ｎ型層５、この超格子Ｎ型層５に積層されたＰ型ＧａＮ層６、およびこのＰ型ＧａＮ層６に積層された超格子Ｎ型層７を有している。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed away from the N-type well 3 and having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１に、Ｎ型拡散層３とは間隔をもって、かつ互いに間隔をもって、Ｎ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

A p-type well region 4 and an n+ type drain region 2, away from each other, are formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11, and an n+ type source region 3 is formed in the p-type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an N^+-type source region 31, a contact P^+-type region 32, an N^+-type drain region 11, a P^--type body region 41 and an N^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，コンタクトＰ^+ 領域３２，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

On the n-type SiC 11, there are sequentially laminated an n-type nitride semiconductor layer 12, an n-type AlGaN layer 13, an InGaN layer 14, a p-type AlGaN layer 15, and a p-type GaN layer 16.例文帳に追加

このｎ型ＳｉＣ１１上に、ｎ型窒化物半導体層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１３、ＩｎＧａＮ層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５とｐ型ＧａＮ層１６を順次積層する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laminated structure section 2 is provided with an n-type layer 3, a p-type GaN layer 4 laminated and formed on the n-type layer 3, and an n^+type GaN layer 5 laminated and formed on the p-type GaN layer 4.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に積層形成されたｐ型ＧａＮ層４と、ｐ型ＧａＮ層４上に積層形成されたｎ^＋型ＧａＮ層５とを備えている。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は、ｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁

There is provided the p-type semiconductor material containing tantalum (Ta) to which nitrogen (N) is added, and oxygen (O).例文帳に追加

窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 48 is formed beneath a first anode electrode 26 in the diode 14.例文帳に追加

ダイオード１４において、第１アノード電極２６下にｐ^+型半導体領域４８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor upper layer 40 is a p-type and contains magnesium.例文帳に追加

半導体上層４０は、マグネシウムを含むｐ型であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法によりｐ型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A metal electrode 21 contacting with the semiconductor region 13 including a p-type dopant is produced.例文帳に追加

ｐ型ドーパントを含む半導体領域１３に接触を成す金属電極２１を作製できる。 - 特許庁

III-V GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND p-TYPE ELECTRODE APPLIED THERETO例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ＧａＮ系化合物半導体及びそれに適用されるｐ型電極 - 特許庁

P TYPE ELECTRODE FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用のｐ型電極とその製造方法 - 特許庁

PLASMA NITRIDING APPARATUS, FORMATION OF INSULATING FILM, AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

プラズマ窒化処理装置、絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

ELECTRODE OF p-TYPE III NITRIDE COMPOUND BASED SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 - 特許庁

To keep a resistance between a p-type nitride semiconductor layer and an electrode low.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層と電極との間の抵抗を低く保つことができる。 - 特許庁