「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 includes: a light-emitting layer 10; an n-type semiconductor layer 11; and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

Each of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region is exposed at the side face of the semiconductor lamination layer part 5.例文帳に追加

半導体積層部５の側面には、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域のそれぞれが露出している。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting part.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

A laser element structure composed of an N-type semiconductor 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor 14 is formed on a semiconductor board 11.例文帳に追加

半導体基板１１上には、ｎ型半導体部１２と、活性層１３と、ｐ型半導体部１４とからなるレーザ素子構造体が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer structure 22, an N-type semiconductor layer 27, a light-emitting layer 28 and a P-type semiconductor layer 29 are laminated successively from the substrate 21 side.例文帳に追加

半導体積層構造２２は、ｎ型半導体層２７と、発光層２８と、ｐ型半導体層２９とが、基板２１側から順に積層されている。 - 特許庁

An insulator 103 made of a resin material is formed to the side face of a bipolar semiconductor 210 comprising a p-type semiconductor 205 and an n-type semiconductor 206.例文帳に追加

Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とでなる２極半導体部２１０の側面に樹脂材料で絶縁部１０３を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, metal or metal nitride layers 18 and 19 which differ from each other are respectively provided on an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置に於いて、Ｎ型半導体層上とＰ型半導体層上とに異なる金属ないしは金属珪化物の層を設ける。 - 特許庁

In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層２２〜２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６〜２８が順次積層されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminate structure 2 is formed by laminating an n-type semiconductor layer 11, a luminescent layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of forming a first N-type semiconductor diffused layer 6 in a shallow region (small sectional area) on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の浅い領域（断面積が小さい）に第１Ｎ型半導体拡散層６を形成する。 - 特許庁

The amplifying element is provided with: the J-FET which has a p-type semiconductor layer 12 laminated on a grounded p-type semiconductor substrate 11 and also has an n-type channel region 22 in the p-type semiconductor layer 12; and the bipolar transistor which has an n-type collector region 33b.例文帳に追加

接地されたｐ型半導体基板11にｐ型半導体層12を積層し、ｐ型半導体層12にｎ型チャネル領域22を有するＪ−ＦＥＴと、ｎ型コレクタ領域33ｂを有するバイポーラトランジスタを設けた増幅素子とする。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

A hydrogen adsorption layer 221 containing a metal occluding hydrogen is provided located between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層２２１が設けられている。 - 特許庁

A p-type distorted silicon layer 22 is formed on a p-type silicon-germanium layer 24 formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４にｐ型歪シリコン層２２が形成されている。 - 特許庁

The p-type dopant is added to the gallium nitride based semiconductor, and as the p-type dopant, for example, magnesium is used.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LAMINATED ELECTRODE ON P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR CONTACT LAYER AND P-TYPE LAMINATED ELECTRODE例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体コンタクト層上に積層電極を製造する方法およびｐ型積層電極 - 特許庁

The p-type clad layer 54 and the buried layer 56 are made of group III-V compound semiconductor containing p-type first dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５４及び埋め込み層５６はｐ型の第１ドーパントを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

A P type epitaxial layer 3 is entirely provided on a P type bulk substrate 2 in the semiconductor integrated circuit 1.例文帳に追加

半導体集積回路１において、Ｐ型バルク基板２上の全面にＰ型エピタキシャル層３を設ける。 - 特許庁

A p-type low density epitaxial growth layer 4 is formed on one surface of a p-type high density semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型高濃度半導体基板２の一表面上にＰ型低濃度エピタキシャル成長層４が形成されている。 - 特許庁

To realize a p-type III nitride semiconductor having a high carrier concentration by improving the activation ratio of ion-implanted P-type impurities.例文帳に追加

イオン注入したｐ型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を実現する。 - 特許庁

A second conductor layer 102 is a p-type semiconductor layer that has 4H-SiC as a main composition, and includes p-type impurities.例文帳に追加

第２導電体層１０２は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｐ型不純物を含むＰ型半導体層である。 - 特許庁

To stably improve the activation rate of p-type impurities of a nitride semiconductor into which the p-type impurities are introduced.例文帳に追加

ｐ型不純物が導入された窒化物半導体におけるｐ型不純物の活性化率を安定して向上できるようにする。 - 特許庁

To activate p-type impurities of a GaN-based semiconductor crystal layer doped with the p-type impurities by a simple method.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープしたGaN系半導体結晶層のｐ型不純物の活性化を容易な方法で行う。 - 特許庁

Then, an insulation region 4 is formed around the p-type region so as to be deeper than the p-type region and not to get to the semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、ｐ形領域３の周囲にｐ形領域３より深く、かつ、半導体基板１に達しないように絶縁領域４が形成されている。 - 特許庁

A base electrode 54c is electrically connected to a p^+-type semiconductor region 41 formed in the p-type well 28 via a plug 53c.例文帳に追加

ｐ型ウエル２８に形成されたｐ^+型半導体領域４１は、プラグ５３ｃを介してベース電極５４ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

By irradiating laser light (ν) on these p-type nitride semiconductor layers 6-9, the p-type dopants contained therein are activated.例文帳に追加

これらのｐ型の窒化物半導体層６〜９に対してレーザ光νを照射することによりｐ型不純物の活性化を行う。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加

ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁

P-type impurity regions 6 are formed in predetermined regions of the N^- semiconductor layers 2 separated apart from the P-type impurity regions 4.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域４から距離を隔てられたＮ^-半導体層２の所定の領域では、Ｐ型不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-n diode 5a composed of a p-type SiGe layer 13 and an n-type Si layer 15 joined with the layer 13.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＧｅ層１３と、当該ｐ型ＳｉＧｅ層１３に接合するｎ型Ｓｉ層１５とからなるｐｎダイオード５ａを備えたものである。 - 特許庁

Further, GaN and Mn are a p-type at room temperature, so they are usable for a p-type layer of a semiconductor element.例文帳に追加

また、ＧａＮ：Ｍｎは常温でもｐ型を示すので半導体素子のｐ型層として用いることができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has an n-type epitaxial layer 2 and a p type pillar region 3 provided alternately on an n+type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｎ＋型半導体基板１上にｎ−エピタキシャル層２とｐ型ピラー領域３とが交互に設けられている。 - 特許庁

The nitride semiconductor element includes a nitride semiconductor laminate structure portion 2 having an n-type layer 3, a p-type layer 4, and an n-type layer 5.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

An intermediate layer is formed at a prescribed region on the surface of the p-type nitride semiconductor region, and then an n-type or i-type semiconductor region is formed.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体領域の表面の所定領域に、中間層を形成して、その後にｎ型又はｉ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

A further feature of the structure includes an n-type semiconductor multiplication layer, an n-type semiconductor absorption layer, and a p-type contact layer.例文帳に追加

本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層とを備える。 - 特許庁

The method further comprises the steps of laminating an N-type semiconductor substrate in which a second N-type semiconductor layer 7 and an insulation layer 8 are formed, to the P-type substrate 1.例文帳に追加

次に、第２Ｎ型半導体層７と絶縁層８とを形成したＮ型半導体基板をＰ型半導体基板１と貼り合わせる。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b.例文帳に追加

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

The element part of semiconductor device 1 comprises an n+ type semiconductor substrate 11; an n- type drift layer 12; a p- type base layer 13; and an n+ type source layer 14 or a p+ type contact layer 15 selectively formed in turn.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置１の素子部は、ｎ＋型半導体基板１１、ｎ−型ドリフト層１２、ｐ−型ベース層１３、及び選択的形成のｎ＋型ソース層１４またはｐ＋型コンタクト層１５を順に有する。 - 特許庁

An electrode plate for connecting the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element alternately in series is interposed between the heat exchange substrates 1, 2 and the cascade semiconductor element, and between the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element of the cascade semiconductor element.例文帳に追加

熱交換基板１，２とカスケード半導体素子との間、カスケード半導体素子のＰ型半導体素子及びＮ型半導体素子との間には、Ｐ型半導体素子及びＮ型半導体素子を交互に直列接続する電極板が介在している。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 includes a p-type semiconductor region 54A and an n-type semiconductor region 54B, which are arranged to confront each other in a first direction in a laminated face, and an intrinsic semiconductor region 54C formed between the p-type semiconductor region 54A and the n-type semiconductor region 54B.例文帳に追加

半導体層５４は、積層面内において第１の方向に互いに対向するように配置されたｐ型半導体領域５４Ａおよびｎ型半導体領域５４Ｂと、ｐ型半導体領域５４Ａとｎ型半導体領域５４Ｂとの間に形成された真性半導体領域５４Ｃとを含む。 - 特許庁

P-type impurity is diffused into a semiconductor substrate 100 with an n-type semiconductor region 1 and an n^--type semiconductor region 2a formed thereon through heat diffusion method, until a predetermined depth is obtained to form an n^--type semiconductor region 2 and a p-type semiconductor region 3a.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１及びｎ^−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ^−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。 - 特許庁