「P type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes a P-type semiconductor region 10 and a MOS transistor PQ.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型半導体領域１０と、ＭＯＳトランジスタＰＱとを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element using a p-type nitride semiconductor layer with sufficient crystallinity and low resistance.例文帳に追加

結晶性が良く、低抵抗なｐ型窒化物半導体層を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND P- CHANNEL TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びｐチャネル型半導体装置の製造方法 - 特許庁

Next, a p-type semiconductor area 7 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半導体基板２の上面にｐ型半導体領域７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor chip comprises a p-type semiconductor substrate 40, on which an analog circuit 10 and a digital circuit 20 are provided mixedly.例文帳に追加

アナログ回路１０およびデジタル回路２０がｐ型半導体基板４０に混載されている。 - 特許庁

The semiconductor device uses the p-type semiconductor.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係るｐ型半導体を用いたことを要旨とする。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GaN-BASED SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法およびＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor laser structure which is decreased in number of p-type semiconductor layers.例文帳に追加

ｐ型半導体層の数を減らした窒化物系半導体レーザ構造体の提供。 - 特許庁

To form an excellent p-type contact in a semiconductor device using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なｐ型コンタクトが形成できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device includes the P-type FET formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００上に形成されたＰ型ＦＥＴを備えている。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a p type body region 10 and a semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体基板は、ｐ型のボディ領域１０と半導体層１２とを有する。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer containing a nitride semiconductor, a p-type semiconductor layer containing the nitride semiconductor, and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes: an n-type semiconductor layer including a nitride semiconductor whose c plane is a principal plane; a p-type semiconductor layer including a nitride semiconductor; and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes a semiconductor film including an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting layer provided between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor layer, the conductive support provided to the side of the p-type semiconductor layer of the semiconductor film and using electrons as a carrier, and a base electrically and thermally connected to the semiconductor film via the conductive support.例文帳に追加

本発明の光半導体装置は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた発光層と、を含む半導体膜と、半導体膜のｐ型半導体層の側に設けられた電子をキャリアとする導電性支持体と、導電性支持体を介して半導体膜と電気的および熱的に接続された基台と、を含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element includes an n-type nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor active layer, has a first p-type nitride semiconductor layer between the n-type nitride semiconductor layer and the nitride semiconductor active layer, and has a second p-type nitride semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type nitride semiconductor layer when viewed from the nitride semiconductor active layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 21, and a p-type semiconductor region 22 and a p^+ type semiconductor region 23 around the region 21 are arranged on the Zener zap diode semiconductor layer 13.例文帳に追加

このツェナーザップダイオード半導体層１３にＮ^＋型半導体領域２１とこれを包囲するＰ型半導体領域２２及びＰ^＋型半導体領域２３を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a structure with an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent without etching the p-type nitride semiconductor region with the crystal grown.例文帳に追加

結晶成長させたｐ型窒化物半導体領域をエッチングすることなく、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が隣接する構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 11 includes an n-type semiconductor layer, an active layer thereupon, and a p-type semiconductor layer further thereupon, and the Ni ultrathin film 12 is formed in contact with the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層１１はｎ型半導体層、その上の活性層およびその上のｐ型半導体層を含み、このｐ型半導体層に接してＮｉ超薄膜１２を形成する。 - 特許庁

Further, the semiconductor nanowire 1 has a p-type semiconductor section and an n-type semiconductor section, and any one of the p- and n-type semiconductor sections is a constituent of the first and second regions.例文帳に追加

更に、半導体ナノワイヤ１は、Ｐ型半導体部とＮ型半導体部とを有し、且つＰ型半導体部またはＮ型半導体部の一方は、第１及び第２の領域の構成要素となっている。 - 特許庁

Each light receiving element is provided with a semi-insulating semiconductor substrate 10, an n-type semiconductor layer 11, an i-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer which are successively laminated on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

各受光素子は、半絶縁性の半導体基板10と、この基板上に順次積層されたn型半導体層11、i型半導体層12およびp型半導体層を具えている。 - 特許庁

The compound semiconductor device is equipped with: an Sb including p-type compound semiconductor layer 101; and an InP containing n-type compound semiconductor layer 102 joined to the p-type compound semiconductor layer 101.例文帳に追加

化合物半導体装置には、Ｓｂを含むｐ型化合物半導体層１０１と、ｐ型化合物半導体層１０１に接合され、ＩｎＰを含むｎ型化合物半導体層１０２と、が設けられている。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on the surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１の表面にＮ型のエピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device 1 also comprises a pair of p-type electrode 9 and n-type electrode 10.例文帳に追加

また、半導体発光素子１は、一対のｐ側電極９及びｎ側電極１０とを備えている。 - 特許庁

An n-type extended drain region 2 is formed in a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１中に、ｎ型の延長ドレイン領域２を形成する。 - 特許庁

The n- type signal accumulating region 2 is formed inside a p type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^− 型信号蓄積領域２は、ｐ型半導体基板１内に形成される。 - 特許庁

An n-type photodiode 21 is formed to a p-type semiconductor substrate 30.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板３０には、ｎ型のフォトダイオード２１が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device includes a light-emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a temperature detection element having a P-type region and an N-type region.例文帳に追加

Ｐ型領域とＮ型領域を有する温度検出素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A P-type well 100A is formed on a semiconductor substrate 100 as a first conductivity type region.例文帳に追加

半導体基板１００上に、第１伝導型の領域としてＰ型のウェル１００Ａを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

A plurality of P-type wells 23 are formed at intervals on an N-type SiC semiconductor substrate 20.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣ半導体基板２０には、間隔を開けて複数のＰ型ウエル２３が形成されている。 - 特許庁

On a P-type semiconductor substrate 1, a multi-layered N-type epitaxial layer 3 etc., is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に多層からなるＮ型エピタキシャル層３等を形成する。 - 特許庁

A P-type layer 14 is formed on the surface of a semiconductor substrate 12 of N type silicon.例文帳に追加

Ｎ型シリコンの半導体基板１２の表面にはＰ−型層１４が形成されている。 - 特許庁

A p+ type punch-through stopper 5 may be formed directly under an n type first semiconductor region 4.例文帳に追加

ｎ型第１半導体領域４直下には、ｐ^＋ 型パンチスルーストッパ５を形成してもよい。 - 特許庁

A p-type channel layer 103 is formed on the upper of the n-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

Ｎ型半導体層１０２の上面にＰ型チャネル層１０３が形成されている。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

A P^+-type guard ring region 6 is formed on one surface of an N-type semiconductor region 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域５の表面にＰ^＋型ガードリング領域６が形成されている。 - 特許庁

An n-type region 11 is formed in a p-type silicon semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン半導体基体１０にＮ型領域１１が形成されている。 - 特許庁

A plurality of deep N type well regions 12 are formed in one P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

１つのＰ型の半導体基板１１にＮ型の深いウェル領域１２を複数個形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has the N-type MOS transistor 11 and the P-type MOS transistor 12.例文帳に追加

半導体装置は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２とを備えている。 - 特許庁

An n^--type resurf region 202 is formed on the front surface of a type p^- semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｐ^- 型半導体基板２０１の表面部にＮ型リサーフ領域２０２が形成されている。 - 特許庁

A p-type region 11 is provided at the upper part of a semiconductor substrate 10 of n-type silicon.例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる半導体基板１０の上部には、ｐ型領域１１が設けられている。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁