「PECVD」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Particularly, a high frequency plasma enhances chemical vapor deposition(PECVD) is adopted, preferably, together with an acetylene-ammonia compound, and moreover, cobalt is typically used as catalytic metal, so that the above result can be obtained.例文帳に追加

特に、本発明は高周波プラズマ・エンハンストか悪気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を、好ましくは、アセチレン−アンモニア化合物と共に、また、典型的には触媒金属としてコバルトを使用し、前記のような結果を得ることができる。 - 特許庁

A protecting film 70, composed of a-Si:C:O film or a-Si:O:F film, deposited through PECVD, is formed on the thin film transistor, and a pixel electrode 82 linked with the thin film transistor is formed on the protecting film 70.例文帳に追加

薄膜トランジスタ上にはＰＥＣＶＤを通じて蒸着したａ−Ｓｉ:Ｃ:Ｏ膜またはａ−Ｓｉ:Ｏ:Ｆ膜からなる保護膜７０が形成されており、保護膜上には薄膜トランジスタと連結されている画素電極８２が形成されている。 - 特許庁

The main feature of the manufacturing method for the insulating film of this invention is that it comprises a stage of making a thin film out of the mixture between the double organic siloxane precursor compound and a thin-film physical property improvement agent using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.例文帳に追加

本発明の絶縁膜の製造方法は、二重有機シロキサン前駆体化合物と薄膜物性改良剤との混合物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法によって薄膜化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a novel Si-containing film-forming material, a material for low dielectric constant insulating films comprising a cyclic siloxane compound that is especially suited for PECVD apparatuses, an Si-containing film using the same, and a semiconductor device comprising these films.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an improving method in field cleaning of deposition by-products in a low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) chamber where the thermal budgets of a process require the minimization of the temperature rise of a susceptor and in the hardware in the chamber.例文帳に追加

プロセスの熱割当量がサセプタの温度上昇の最小化を必要とする低温プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）チャンバ及び該チャンバ内のハードウェア内の堆積副生物の現場クリーニングにおける改善方法を提供する。 - 特許庁

To stabilize the inner surface of a PECVD treatment chamber, to provide a stabilized film deposition treatment, to provide a clean chamber, to reduce the possibility of the short-circuit of a biased showerhead to ground.例文帳に追加

本発明は、ＰＥＣＶＤ処理室の内表面を安定化すること、より安定化された成膜処理を提供すること、よりクリーン化されたチャンバーを与えること、バイアスされたシャワーヘッドがアースへショートすることの可能性を低減すること等を目的とする。 - 特許庁

To provide a novel Si-containing film-forming material, in particular a material for low dielectric constant insulating films which contains a siloxane compound and is suitable for PECVD apparatuses and also an Si-containing film obtained by using such a material, and a semiconductor device comprising such an Si-containing film.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したシラン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process for depositing n-type and p-type zinc oxide-based transparent conducting oxides (TCOs), which are excellent in optical and electrical properties, on glass or temperature-sensitive materials such as plastics and a polymers at a low temperature.例文帳に追加

ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a nitride film by using a plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) suitable for a plastic LCD substrate such that a nitride film of high quality having good stability and excellent dielectric characteristics can be formed on a LCD substrate at a low temperature (less than 225°C).例文帳に追加

良好な安定性および優秀な誘電特性を持つ高品質の窒化膜を低温（２２５℃未満の温度）でＬＣＤ基板上に成膜することができ、プラスチックＬＣＤ基板に適した、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いた窒化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating system for supplying a process gas for a targeted layer containing no impurity accurately in time and quantity as much as possible in CVD method including PECVD method and PICVD method, and a coating method and coated goods.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法及びＰＩＣＶＤ法を含むＣＶＤ法の場合において、不純物のない、可能な限り時間的、かつ、定量的に正確な、標的となる層系用のプロセスガスを供給するコーティングシステム及びコーティング方法、並びにコーティングされた物品を提供する。 - 特許庁

To provide a novel Si-containing film-forming material, particularly a material for a low dielectric constant insulating film which contains a cyclic siloxane compound and is suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) apparatus, and an Si-containing film using the same, and a semiconductor device containing the film.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

This Si-containing film is produced by the PECVD method by using the Si-containing film-forming material containing an organosilane compound having a structure in which at least one cyclopropyl group directly bonds with a silicon atom (a concrete example is 2,4,6-tricyclopropyl-2,4,6-trimethylcyclotrisiloxane), and the same is used as an insulation film of a semiconductor device.例文帳に追加

少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 - 特許庁

The improvement for minimizing the susceptor temperature rise in the low-temperature PECVD chamber during cleaning includes using the cleaning gas essentially comprising NF_3 for cleaning diluted with helium in the sufficient amount to carry away the heat generated during cleaning of the plasma enhanced low-temperature chemical vapor deposition chamber.例文帳に追加

クリーニング中の低温ＰＥＣＶＤチャンバ内のサセプタ温度上昇を最小化するための改善には、プラズマ低温化学気相成長チャンバのクリーニング中に発生した熱を運び去るのに十分な量のヘリウムで希釈された、クリーニングのためのＮＦ_3から本質的になるクリーニングガスを使用すること、が含まれる。 - 特許庁

A thin film is formed by a PECVD method etc., using, as a raw material, a cyclosiloxane composition comprising a cyclosiloxane compound expressed by general formula (1) (where R represents an alkyl group of a straight chain or branch chain with C1-3, and (n) represents 3 or 4) and a nitrone derivative or nitroxide radical derivative.例文帳に追加

一般式（１）（式中、Ｒは炭素数１〜３の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｎは３または４を示す）で表される環状シロキサン化合物、およびニトロン誘導体またはニトロキシドラジカル誘導体から成る環状シロキサン組成物を原料として、ＰＥＣＶＤ法等により薄膜を製造する。 - 特許庁

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

The method for forming electrical isolation includes a step of forming multiple wiring lines 16 on the surface of the substrate, and that of a primary layer 48 composed of amorphous carbon by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method so that air may be filled and air gap may be arranged between adjoining wiring lines under the primary layer 48 on the wiring lines 16.例文帳に追加

複数の配線ライン１６を基板表面の上に形成すること、および前記配線ライン１６の上に、第１層４８の下であって隣りあう配線間には、空気が満たされ空隙を設けるように、非晶質炭素である第１層４８をプラズマ助長化学気相（ＰＥＣＶＤ）により形成すること、を含む。 - 特許庁

In the electrostatic capacitance detecting type fingerprint reading sensor, the passivation film is formed into by accumulating silicone oxynitride a thick film by a PECVD method, a discharge layer is formed on the upper face of the passivation film, and a concentrated part of the electric field distribution is formed on one or two sets of discharge layers aligned in an opposed state out of discharge layers surrounding the four sides of the sensor electrodes.例文帳に追加

上記パシベーション膜はシリコンオキシナイトライドをＰＥＣＶＤ法により堆積させて膜厚に形成すると共に、パシベーション膜の上面に上記放電層を設け、更にセンサ電極の四辺を囲む放電層のうち対向状に並ぶ１又は２組の放電層に電界分布の集中部を形成するようにした静電気容量検知型指紋読取りセンサ。 - 特許庁

The deposition method contains a step where plural layers in which each layer is thinner than the final thickness of the film to be deposited are deposited by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) in a reactor to deposit a dielectric film; and a step where the above reactor is subjected to cleaning between deposition for one layer and deposition for the next layer.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明は、反応器中でＰＥＣＶＤ（プラズマ促進化学蒸着）により、複数の層で、その各層がデポジットすべきフィルムの最終的厚さよりも薄い厚さを有する複数の層をデポジットすることにより誘電体フィルムを形成するステップ、及び、前記反応器を、一つの層のデポジションと次の層のデポジションの間でクリーニングするステップ、を含む、デポジション法を提供する。 - 特許庁