「PECVD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FILLING OF GAP WITH FLUID DIELECTRIC USING PECVD例文帳に追加

ＰＥＣＶＤを用いた流動性誘電体による間隙の充填 - 特許庁

Cat-PECVD DEVICE AND FILM TREATMENT SYSTEM EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ装置およびそれを備えた膜処理システム - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR SHIELDING DURING PECVD DEPOSITION PROCESSES例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ堆積処理中の拘束シールドのためのシステム及び方法 - 特許庁

The low hydrogen-content silicon nitride materials are deposited by a variety of CVD and PECVD techniques, using chemical precursors that contain silicon atoms, nitrogen atoms, or both.例文帳に追加

低水素量の窒化ケイ素材が，種々のCVDおよびPECVDにより，ケイ素原子，窒素原子，または両方を含む化学前駆体を使用して付着される。 - 特許庁

Cat-PECVD METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING SAME例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法およびそれを用いて形成した半導体装置 - 特許庁

An interlayer insulation film 5 consisting of silicon nitride is deposited by a PECVD method, and an overcoat film 10 consisting of silicon nitride is deposited by the PECVD method.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコンからなる層間絶縁膜５を成膜すし、ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコンからなるオーバーコート膜１０を成膜する。 - 特許庁

To provide a new AP PECVD apparatus and a plasma thin film vapor deposition method.例文帳に追加

新しいＡＰ ＰＥＣＶＤ装置とプラズマ薄膜蒸着法を提供する。 - 特許庁

To provide a shadow frame which is particularly useful in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) applications used to make active matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and solar cells.例文帳に追加

活性マトリックス型液晶ディスプレイ（AMLCD）および太陽電池の作成に使用される、プラズマ強化型化学気相堆積（PECVD）用途において特に有用なシャドウフレームを提供する。 - 特許庁

To provide a PECVD coating installation including a gas line system of a uniform gas distribution.例文帳に追加

均一なガス配分の配管システムを具備するＰＥＣＶＤコーティング装置を提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROL OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN PECVD DISCHARGE PROCESSES例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ放電処理において電磁放射線を制御するためのシステム及び方法 - 特許庁

Cat-PECVD METHOD, FILM FORMED BY THE SAME AND THIN FILM DEVICE HAVING THE FILM例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス - 特許庁

A PECVD reactor (10) includes a processing chamber (12) having a first electrode (16) in its inside.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ反応器（１０）は、内部に第１電極（１６）を備える処理室１２を含む。 - 特許庁

Cat-PECVD (CATALYTIC PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) METHOD, FILM FORMED USING THE SAME, AND THIN FILM DEVICE EQUIPPED WITH THE FILM例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス - 特許庁

The plurality of silicon nanocrystal embedded SiOx film layers are deposited using a high density plasma-enhanced chemical vapor deposition (HD PECVD) process.例文帳に追加

多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、ＨＤＰＥＣＶＤプロセスにより堆積する。 - 特許庁

METHOD AND EQUIPMENT FOR SOFT PLASMAENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) OF DIELECTRIC FILM例文帳に追加

誘電膜の非攻撃的プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）のための方法および装置 - 特許庁

To overcome or prevent the problem of high temperature and gas flow in a current thermal CVD and PECVD.例文帳に追加

現行の熱ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤにおける高温やガス流の問題を、克服あるいは防止する。 - 特許庁

METHOD AND INTEGRATED DEVICE FOR TREATING LOW DIELECTRIC CONSTANT DEPOSITION CONTAINING PECVD CAPPING MODULE例文帳に追加

ＰＥＣＶＤキャッピングモジュールを含む低誘電率誘電体処理のための方法及び一体型装置 - 特許庁

SOURCE GAS FLOW PATH CONTROL IN PECVD SYSTEM TO CONTROL BY-PRODUCT FILM DEPOSITION ON INSIDE CHAMBER例文帳に追加

ＰＥＣＶＤシステムにおけるソースガス流路の制御によるチャンバ内部での副生成物の膜堆積制御 - 特許庁

Then, a second dielectric layer is deposited on the substrate using CVD or PECVD deposition processing.例文帳に追加

次に、第２誘電体層をＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ堆積処理を用いて基板上に堆積する。 - 特許庁

To provide improved method and system for controlling the cleaning cycle of a PECVD system.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤシステムの洗浄サイクルを制御するための改良された方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

The use of the nitrogen gas improves the stability of the plasma and eliminates any arcing during the PECVD processing.例文帳に追加

窒素ガスの使用はプラズマの安定性を改善しかつＰＥＣＶＤ処理中のアーキングを排除する。 - 特許庁

CAT-PECVD METHOD, FILM FORMED USING THE SAME, THIN FILM DEVICE EQUIPPED WITH THE FILM, AND FILM PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、その膜を備えた薄膜デバイス、および膜処理システム - 特許庁

In a basic field PECVD method, a cleaning gas is introduced into a chamber for the time and at the temperature sufficient to remove the film of deposition byproducts, and then the cleaning gas containing the deposition byproducts is removed from the PECVD chamber.例文帳に追加

基本的な現場ＰＥＣＶＤ法では、堆積副生物の膜を除去するのに十分な時間及び温度でチャンバにクリーニングガスを導入し、次いで堆積副生物を含有するクリーニングガスをＰＥＣＶＤチャンバから除去する。 - 特許庁

To provide new organosiloxane compounds suitable for low dielectric constant materials, particularly PECVD apparatuses.例文帳に追加

低誘電率材料に適した、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した新規な有機シロキサン化合物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nitrogen gas aids not only the other chemical precursors and a plasma seeds during the PECVD processing, but also participates in a film formation.例文帳に追加

窒素ガスは他の化学前駆物質及びＰＥＣＶＤ処理中のプラズマ種を補助するだけでなく、膜形成に関与する。 - 特許庁

To provide an electric insulating film having superior mechanical strength by a PECVD method, and to provide a semiconductor electronic device having the same arranged.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。 - 特許庁

A silicon film 150 is formed on a base film 110 by a PECVD method, and an insulating film 170 constituted of a nitride silicon film is formed.例文帳に追加

下地膜１１０上に、ＰＥＣＶＤ法でシリコン膜１５０を成膜し、更に、窒化シリコン膜でなる絶縁膜１７０を成膜する。 - 特許庁

HEAT CATALYST-CONTAINING CATHODE TYPE PECVD APPARATUS, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER MANUFACTURED BY USING THE SAME AS WELL AS ITS MANUFACTURING METHOD, HEAT CATALYST- CONTAINING CATHODE TYPE PECVD METHOD, CVD APPARATUS USING THE SAME, FILM FORMED BY THE SAME METHOD AND DEVICE FORMED BY USING THE SAME FILM例文帳に追加

熱触媒体内蔵カソード型ＰＥＣＶＤ装置、それを用いて作製した光電変換装置並びにその製造方法、および熱触媒体内蔵カソード型ＰＥＣＶＤ法、それを用いるＣＶＤ装置、その方法により形成した膜並びにその膜を用いて形成したデバイス - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR MODULATION OF POWER AND POWER RELATED FUNCTION OF PECVD DISCHARGE SOURCE TO ACHIEVE NEW FILM PROPERTY例文帳に追加

新しい膜特性を達成するためのＰＥＣＶＤ放電源の電力及び電力関連ファンクションの変調のためのシステム及び方法 - 特許庁

Cat-PECVD METHOD, DEVICE USED FOR EXECUTING THE METHOD, FILM FORMED BY THE METHOD, AND DEVICE FORMED BY USING THE FILM例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、その方法の実施に用いる装置、その方法を用いて形成した膜、およびその膜を用いて形成したデバイス - 特許庁

In the PECVD process, n-type ZnO is deposited by doping it with B or F, and p-type ZnO is deposited by doping it with nitrogen.例文帳に追加

ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。 - 特許庁

To provide an apparatus to form a DLC thin film high in hardness, excellent in flatness of the surface of the thin film, and high in conductivity by an RF-PECVD method.例文帳に追加

ＲＦ−ＰＥＣＶＤ法により、高硬度で、薄膜表面の平坦性がよく、導電率の高いＤＬＣ薄膜を成膜できる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new Si-containing film-forming material, especially the Si-containing film-forming material containing an alkylsilane compound, suitable for a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) device.例文帳に追加

新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method which forms a conformal dielectric film having Si-N bonds on a semiconductor substrate by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).例文帳に追加

プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method for depositing an Si-C-N material functioning as an etching stopping layer on a substrate by using a PECVD.例文帳に追加

エッチストップ層として機能するＳｉ−Ｃ−Ｎ材料をＰＥＣＶＤを使って基板上に蒸着するための改良された方法を与える。 - 特許庁

To provide a nitride film that has characteristics being more superior than a conventional nitride film obtained by the conventional PECVD or LPCVD onto a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、従来のＰＥＣＶＤまたはＬＰＣＶＤによって得られた窒化膜より優れた性質を有する窒化膜を提供する。 - 特許庁

To provide a member in which the plasma resistance is improved so that a resin member does not receive damage by PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), and to provide a gas barrier member etc., using the member.例文帳に追加

樹脂部材がＰＥＣＶＤによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。 - 特許庁

To provide a new cyclic siloxane compound useful for an Si-containing film-forming material, especially for a material for a low dielectric constant insulating film suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment.例文帳に追加

Ｓｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した低誘電率絶縁膜用材料として有用な、新規な環状シロキサン化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a linear carbon material and a functional device, by which low temperature PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) can be carried out and inexpensive manufacture using a glass substrate or the like can be carried out.例文帳に追加

低温でのＰＥＣＶＤを可能にして、ガラス基板等を使用して低価格で実施可能な線状炭素材料、及び機能デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxide layer composed of p-type microscopic crystal silicon oxides is formed on a glass substrate by a PECVD method which employs material gas containing silane gas, diborane gas, hydrogen gas and carbon dioxide.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法によりガラス基板上に、シランガス、ディボランガス、水素ガス、炭酸ガスが含まれる原料ガスを用いて、ｐ型微小結晶性シリコン酸化物シリコン酸化物層の形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-layered thin film structure having different physical properties on a base material using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長(Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ)工程で基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon carbonitride-containing film from a compound as a source material suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) device, and to provide a gas barrier film and a semiconductor device using the obtained film.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ装置に適した化合物を原料として炭窒化ケイ素含有膜を形成する方法を提供し、また得られた膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a film which has a high nitride content and is usable as an insulating film for a gas barrier and a semiconductor by forming a carbon nitride film using a compound suitable to a PECVD device as a raw material.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ装置に適した化合物を原料として窒化炭素膜を形成し、窒素含有量が高く、ガスバリア及び半導体用の絶縁膜として使用できる膜を提供する。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film is prepared by depositing multiple sub-layers of doped or undoped silicon carbide using multiple densifying plasma post-treatments in a PECVD process chamber.例文帳に追加

ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。 - 特許庁

When carrying out the PECVD reaction in the source gas plasma, the catalyst surface is treated with the reducing gas plasma prior to generation of the source gas plasma so as to maintain the catalytic activity in a high state.例文帳に追加

原料ガスのプラズマ中でＰＥＣＶＤ反応を行う際、原料ガスのプラズマの発生に先立ち、触媒表面を還元ガスのプラズマにより処理して、触媒活性を高い状態に保持する。 - 特許庁