意味 | 例文 (999件) |
SILICON METALの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2494件
MANUFACTURING METHOD OF SILICON OF METAL STATE例文帳に追加
金属状ケイ素の製造方法 - 特許庁
A layer of silicon metal/silicon carbide composite material can be deposited instead of the silicon metal layer.例文帳に追加
珪素金属層の代わりに、珪素金属−炭化珪素複合材料層を形成できる。 - 特許庁
The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加
さらに、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁
The second light-shieldale film 14 is the film that is primarily composed of a silicon-containing compound that can be etched by F-based dry etching, such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon/transition-metal (such as molybdenum (Mo)) oxide, silicon/transition metal nitride or silicon/transition metal oxynitride.例文帳に追加
さらに、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属(例えば、モリブデン(Mo))の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。 - 特許庁
TI, TA, HF, ZR AND RELATED METAL SILICON AMIDES FOR ALD/CVD OF METAL-SILICON NITRIDE, SILICON OXIDE OR SILICON OXYNITRIDE例文帳に追加
金属−窒化ケイ素、酸化ケイ素、又は酸窒化ケイ素のALD/CVD用のTi、Ta、Hf、Zr及び関連する金属のケイ素アミド - 特許庁
SILICON INGOT AND HEAVY METAL CONTAMINATION EVALUATING METHOD OF SILICON WAFER例文帳に追加
シリコンインゴット及びシリコンウェーハの重金属汚染評価方法 - 特許庁
To provide precursors suitable for forming metal silicon nitride base film, or metal silicon oxide or metal silicon oxynitride base film.例文帳に追加
金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING METAL SILICON OXIDE, METHOD FOR PRODUCING METAL SILICON OXYNITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-DOPED METAL NITRIDE例文帳に追加
金属シリコンオキサイドの製造方法、金属シリコンオキシナイトライドの製造方法、およびシリコンドープされた金属ナイトライドの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR JUDGING QUALITY IN METAL SILICON, AND METAL SILICON SUITED FOR SYNTHESIZING METHYLCHLOROSILANE例文帳に追加
金属珪素の品質判定方法及びメチルクロロシランの合成に適した金属珪素 - 特許庁
To provide a method for producing metal silicon capable of easily producing the metal silicon using waste.例文帳に追加
廃棄物を利用して金属シリコンを容易に製造できる金属シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a metal silicon cluster and a hydrogenated metal silicon cluster containing metal atoms or metal atom groups (metal cluster) totally or partly covered with silicon(Si) or hydrogenated silicon.例文帳に追加
金属原子もしくは金属原子団(金属クラスター)が、シリコン(Si)もしくは水素化シリコンによって、全体もしくは一部が覆われている金属シリコンクラスターならびに水素化金属シリコンクラスターを提供する。 - 特許庁
The metal element contained in the metal alkoxide is desirably silicon.例文帳に追加
金属アルコキシドが含有する金属元素がケイ素であることが望ましい。 - 特許庁
After the deposition of the silicon metal layer or the layer of silicon metal/silicon carbide composite material, these layers can be modified by means of nitriding treatment, etc.例文帳に追加
珪素金属層あるいは珪素金属−炭化珪素複合材料層を形成した後に、これらを窒化処理等して改質できる。 - 特許庁
In one embodiment, metal silicon is mixed with the mixture, and the metal silicon in the molten state is brought into contact with the silicon carbide seed crystal.例文帳に追加
1つの態様として、金属ケイ素を前記混合物と混合し、溶融状態の前記金属ケイ素を前記炭化ケイ素種結晶に接触させる。 - 特許庁
The metal-containing layer is reacted with the silicon-containing source, and a metal silicide layer is formed of silicon which originates primarily from the silicon- containing source.例文帳に追加
メタル含有層は、珪素含有ソースと反応し、珪素含有ソースを主な出所とするシリコンを有するメタルシリサイド層を形成する。 - 特許庁
M represents silicon, boron, or metal element.例文帳に追加
Mは、ケイ素、ホウ素又は金属元素を表す。 - 特許庁
METAL-INSULATING FILM-SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加
金属−絶縁膜−炭化珪素半導体構造 - 特許庁
METHOD FOR COLLECTING METAL IMPURITIES FROM SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン基板からの金属不純物の回収方法 - 特許庁
METAL CONTAMINATION EVALUATING METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
シリコン単結晶の金属汚染評価方法 - 特許庁
PREPARATION OF METAL SILICON NITRIDE FILM VIA CYCLIC DEPOSITION例文帳に追加
循環堆積による金属ケイ素窒化物膜の調製 - 特許庁
ANALYTICAL METHOD FOR METAL IMPURITIES ON SURFACE OF SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン基板表面の金属不純物分析方法 - 特許庁
CYCLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF METAL-SILICON CONTAINING FILM例文帳に追加
金属ケイ素含有膜の周期的化学気相堆積 - 特許庁
STRAINED SILICON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ON HYBRID CRYSTAL ORIENTATION例文帳に追加
ハイブリッド結晶方位上の歪みシリコンCMOS - 特許庁
METHOD FOR EVALUATING CONCENTRATION OF METAL IMPURITY IN SILICON WAFER例文帳に追加
シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法 - 特許庁
REFRACTORY CONTAINING METAL SILICON AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
金属Si含有耐火物及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR REPRODUCING SILICON WAFER WITH METAL FILM例文帳に追加
金属膜付シリコンウエハーの再生方法 - 特許庁
PURIFICATION OF HIGHLY PURE METAL SILICON例文帳に追加
高純度金属シリコンの精製方法 - 特許庁
METHOD FOR JUDGING METAL CONTAMINATION IN LOW-RESISTANCE SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
低抵抗シリコン単結晶の金属汚染判定方法 - 特許庁
HIGH PURITY METAL SILICON AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
高純度金属Si及び高純度SiOの製造方法 - 特許庁
Silicon dioxide or the like is used as the metal oxide.例文帳に追加
金属酸化物としては、酸化珪素等が使用される。 - 特許庁
A silicon layer is interposed between the silicon-germanium mixed crystal layer and the metal silicide layer.例文帳に追加
シリコン−ゲルマニウム混晶層と金属シリサイド層との間にシリコン層を介設する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化/酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁
DIFFUSION BARRIER FOR ASSEMBLY INCLUDING METAL AND SILICON CONTAINING COMPONENT PART AND METHOD OF PREVENTING SILICON DIFFUSION FOR THE ASSEMBLY例文帳に追加
金属及びケイ素含有構成部品を有する組立体のための拡散バリヤ及びそのための方法。 - 特許庁
Pref., the substrate is selected from silicon-containing ceramic and a silicon-containing metal alloy.例文帳に追加
好適には前記基板は、シリコン含有セラミックとシリコン含有金属合金とから選択される。 - 特許庁
To provide a silicon bench having a metal coat firmly pasted up to a silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板に対して強固に接着した金属被膜を有するシリコンベンチを提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING POROUS SILICON STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING METAL-CARRYING POROUS SILICON例文帳に追加
多孔質シリコン構造体の製造方法および金属担持多孔質シリコンの製造方法 - 特許庁
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