「"SILICON METAL"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND DEVICE FOR OXIDIZING SILICON/METAL COMPOSITE FILM SEDIMENT SELECTIVELY例文帳に追加

シリコン／金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置 - 特許庁

Any of boron, phosphorus and aluminum is incorporated in an amount of 0.1 ppm to 100 ppm into an evaporation material of silicon metal to be evaporated by being irradiated with arc discharge plasma to form an evaporation material of electrical conducting silicon metal.例文帳に追加

アーク放電プラズマを照射させて蒸発させるシリコン金属の蒸着材料に、硼素、燐、アルミニウムのいずれかの元素を０．１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ含有させて導電性のシリコン金属の蒸着材料とする。 - 特許庁

CARBON NANOTUBE-COATED SILICON/METAL COMPOSITE PARTICLE, PREPARATION METHOD THEREOF, AND ANODE FOR SECONDARY BATTERY AND SECONDARY BATTERY USING THE SAME例文帳に追加

カーボンナノチューブ被覆シリコン／金属複合粒子及びその製造方法、並びにこれを利用した二次電池用負極及び二次電池 - 特許庁

In the pigment for the ceramic industry, at least one of metallic silicon, metal zirconium, metal titanium and silicon carbide is contained.例文帳に追加

本発明の窯業用無機顔料には、金属珪素と、金属ジルコニウムと、金属チタンと、炭化珪素との少なくともいずれかが含有されている。 - 特許庁

In this case, heat dissipation can also be more promoted by constituting the substrate 2 by a material, high in heat conductivity such as silicon, metal or the like for example.例文帳に追加

この場合、例えばシリコンや金属等の熱伝導率の高い材料で基板２を構成することで、放熱を一層促進させることもできる。 - 特許庁

METHOD OF PREVENTING FORMATION OF BUMP ON SIDE WALL OF SILICON METAL LAYER OF GATE ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING GATE ELECTRODE例文帳に追加

ゲート電極の珪化金属層側壁にバンプ生成の防止方法並びにゲート電極製造方法 - 特許庁

To provide a method of preventing the formation of bumps on the side wall of a silicon metal layer of a gate electrode and to provide a method of manufacturing the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の珪化金属層の側壁にバンプが生成することを防止する方法、並びにゲート電極製造方法を提供する。 - 特許庁

A lower ratio of silicon/metal is used in the central region of the silicide, and the specific resistance is reduced.例文帳に追加

シリサイドの中央領域においてはより低いシリコン／金属の比を使用して、固有抵抗を減少させている。 - 特許庁

Imposition of export quotas, export duties etc. for bauxite, coke, fluorspar, magnesium, manganese, silicon-carbide, silicon metal, yellow phosphorus, and zinc) 例文帳に追加

ボーキサイト、コークス、蛍石、マグネシウム、マンガン、シリコンカーバイド、シリコンメタル、黄リン、亜鉛の輸出数量制限・輸出税の賦課等 - 経済産業省

It is preferable that, after the formation of a coating layer composed essentially of silicon metal powder or silicone resin on the surface of the substrate, a vapor growth process is applied to the substrate and the coating layer to convert the coating layer into the silicon-metal containing film.例文帳に追加

好ましくは、珪素金属の粉末あるいは珪素樹脂を主成分とするコーティング層を基体の表面に形成した後で、基体およびコーティング層を気相成長プロセスに供することによって、コーティング層を珪素金属含有被膜に変化させる。 - 特許庁

This process for producing bonded silicon carbide comprises the step where one or more silicon metal (plates) of ≥98% purity are intervened between the surface of two or more sintered silicon carbides of 2-10 wt.% free carbon content and the step where the sintered silicon carbides nipping the silicon metal sheets are heated at elevated temperature.例文帳に追加

遊離炭素含有率が２〜１０重量％の２以上の炭化ケイ素焼結体の面間に、純度９８％以上のシリコン金属を該面に接するように挟持させる工程と、シリコン金属を挟持する炭化ケイ素焼結体を高温加熱する加熱工程とを含む炭化ケイ素接合体の製造方法である。 - 特許庁

Carbon nanotube-coated silicon/metal composite particles in which the surfaces of the composite particles of silicon and metal are coated with carbon nanotubes are prepared, and, using an anode for a secondary battery containing a collector and an anode active material containing the carbon nanotube-coated silicon/metal composite particles, a secondary battery is prepared.例文帳に追加

シリコンと金属との複合粒子の表面上にカーボンナノチューブが被覆されていることを特徴とするカーボンナノチューブ被覆シリコン／金属複合粒子を製造し、集電体とカーボンナノチューブ被覆シリコン／金属複合粒子を含む負極活物質とを含む二次電極用負極を用いて二次電池を製造する。 - 特許庁

The anode active material layer is a multilayer film in which a silicon-metal (Si-M) layer in which silicon is dispersed and a silver (Ag) layer are laminated on a substrate made of metal not reacting with lithium but reacting with silicon.例文帳に追加

アノード活物質層は、リチウムと反応せずにシリコンと反応する金属よりなる基体にシリコンが分散したシリコン−金属（Ｓｉ−Ｍ）層及び銀（Ａｇ）層が積層された多層薄膜であることを特徴とする。 - 特許庁

The negative-electrode active material comprises composite material particles containing silicon and graphite, a carbon layer covering surfaces of the composite material particles and a silicon-metal alloy formed between interfaces of the composite material and the carbon layer.例文帳に追加

シリコン及びグラファイトを含む複合材料粒子と、複合材料粒子の表面をカバーするカーボン層と、複合材料とカーボン層との界面間に形成されたシリコン−金属合金と、を含む陰極活物質である。 - 特許庁

This silicone rubber composition (S) contains an inorganic filling material (F) and a ground mineral fiber (M), wherein the inorganic filling material (F) is selected from a metal oxide, silicon oxide, and a silicon-metal-mixed oxide.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の対象は、金属酸化物、及び酸化ケイ素、及びケイ素−金属−混合酸化物から選択される無機充填材（Ｆ）と、粉砕された鉱物繊維（Ｍ）とを含有する、シリコーンゴム組成物（Ｓ）である。 - 特許庁

Higher ratio (silicon rich) of silicon/metal is used in an interface with an adjacent layer, lattice nonconformity in the interface is reduced, and probability of peeling of a film is reduced.例文帳に追加

より高いシリコン／金属の比 (シリコンリッチ)が隣接する層との界面において使用され、該界面における格子不整合を減少させ、膜剥離の蓋然性を減少させている。 - 特許庁

To prevent the falling-off of silicon metal from the region, at the surface of a substrate, free from film deposition in depositing a film by vapor growth method on the surface of a substrate composed of an SiC/Si composite material.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料からなる基体の表面に気相成長法によって膜を形成するのに際して、基体の表面のうち膜を形成しない領域からの珪素金属の抜けを防止する。 - 特許庁

For example, programmable resistor materials such as a metal-amorphous silicon metal material, phase shift material and perovskite material are typically used and those materials are capable of changing resistance reversibly and repetitively by impressed electrical pulse.例文帳に追加

例えば、金属−アモルファスシリコン金属材料、位相変化材料またはペロブスカイト材料等のプログラマブル抵抗材料は、抵抗性メモリデバイスにおいて典型的に用いられ、印加された電気パルスによって可逆的にかつ反復可能に抵抗を変化させる能力を有する。 - 特許庁

This method for the preparation of a trialkoxysilane comprises reaction of silicon metal with an alcohol in an inert solvent in the presence of a copper catalyst; wherein the copper catalyst contains CUPRIC oxide having a BET surface area of ≥10 m2/g.例文帳に追加

金属ケイ素とアルコールとを、銅触媒の存在下、不活性溶剤中において、銅触媒が１０ｍ^２／ｇ以上のＢＥＴ表面積を有する酸化銅（ＩＩ）を含む方法で反応させることによりトリアルコキシシランを製造する。 - 特許庁

In the inductor wiring formed on a silicon substrate, there are formed a silicon layer having resistance lower than that of the silicon substrate, an alloy layer made of silicon, metal and the like in the vicinity of the inductor wiring which is present on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に形成するインダクタ配線において、インダクタ配線近傍の前記シリコン基板上に、前記シリコン基板よりも低抵抗のシリコン層、シリコンと金属の合金層等を形成することを特徴とするインダクタである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that increases deformation property of an optically responsive material, composed of a network formed by bonding silicon/metal atoms through oxygen, more without impairing the hardness nor heat resistance of the material by selectively improving the degree of network formation around a photoreaction component.例文帳に追加

珪素／金属原子が酸素を介して結合したネットワークからなる光応答性材料において、光反応性成分まわりのネットワーク形成度を選択的に向上させて、材料の硬度や耐熱性を損なうことなく変形能を一層増大させる。 - 特許庁

This composition is obtained by mixing a mineral powder containing a rare-earth element with a particle diameter of 120 μm or less or a ceramic prepared by calcining the mineral powder, and 5-40 wt.% of silicon metal fine powder with a particle diameter of 3-40 μm into a cationic emulsion resin paint.例文帳に追加

カチオン系エマルジョン樹脂塗料に、粒径が１２０μｍ以下の希土類元素を含む鉱物粉末または該鉱物粉体を焼成したセラミックスと、粒径が３〜４０μｍのシリコン金属微粉末を５〜４０％重量％を混入したことを特徴とする。 - 特許庁

The surface treated metallic material having excellent magnetic characteristics has a silicon metal-containing iron based plated layer on at least one surface of the metallic material and the content of silicon in the plated layer is >3.5% and ≤10%.例文帳に追加

金属材料の少なくとも一部の表面に、けい素金属含有鉄系めっき層を有する表面処理金属材であって、前記めっき層中のけい素含有量が3.5%超10%以下であることを特徴とする磁気特性に優れた表面処理金属材である。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the amount of silicon metal is (k)×{the bonding surface area in cm2 of the bonded silicon carbide}×{the free carbon in wt.% in the sintered silicon carbide} in g ((k) is 0.8-0.12) in the production of bonded silicon carbide.例文帳に追加

好ましくは、シリコン金属の量が、ｋ×｛炭化ケイ素接合体の接合面表面積（ｃｍ^2 ）｝×｛炭化ケイ素焼結体中の遊離炭素重量％｝（ｇ）（ｋは０．０８〜０．１２である。）である炭化ケイ素接合体の製造方法である。 - 特許庁

The film structure has a substrate, a silicon carbide film deposited by CVD and coating at least a part of the surface of the substrate, and a silicon metal layer of 1-50 μm thick deposited by CVD and coating the surface of the silicon carbide layer.例文帳に追加

被膜構造体は、基体、基体の表面の少なくとも一部を被覆する化学的気相成長法によって育成された炭化珪素膜、および炭化珪素膜の表面を被覆する厚さ１−５０μｍの化学的気相成長法によって育成された珪素金属層を備える。 - 特許庁

This is a support 1 for hot processing which is composed of base material 2 consisting of sintered substance of a silicon carbide, a silicon nitride, or a silicon carbide impregnated with silicon metal, and a support layer 3 for supporting material 4 to be processed.例文帳に追加

炭化珪素質、窒化珪素質、若しくは金属珪素含浸炭化珪素質の焼結体からなる基材２と、基材２の表面に形成された、被加工材４を支持するための支持層３とから構成された熱間加工用の支持体１である。 - 特許庁

Additionally, the nonvolatile semiconductor memory device employs, for the charge storage layer of the memory cell transistor, a silicon oxide film 17, a silicon nitride film 18, the laminate structure 19 of a silicon oxide film, or an insulating layer involving a nanocrystal of silicon, metal, and other conductive substances, instead of such a floating gate as in prior art.例文帳に追加

さらに，本発明の不揮発性半導体記憶装置においては，メモリセルトランジスタの電荷蓄積層には，従来のような浮遊ゲートの替わりに，酸化珪素膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜の積層構造，又はシリコン，金属その他の導電性物質のナノ結晶を含有する絶縁層を用いている。 - 特許庁

This metallic product consists of a microcrystal boride- containing nickel-chromium-silicon metal alloy obtained by rapidly solidifying a nickel-chromium-boron-silicon alloy consisting of, by atom, 39.0 to 69.4% nickel, 11.8 to 33.9% chromium, 7.6 to 27.4% boron and 7.6 to 17.5% silicon and heat-treating the alloy successively.例文帳に追加

金属製品は、ニッケル39.0−69.4原子％、クロム11.8−33.9原子％、ホウ素７.６−27.4原子％及びケイ素７.６−17.5原子％からなるニッケル−クロム−ホウ素−ケイ素合金を急速凝固及び続いて熱処理することによって得られたミクロ結晶ホウ化物を含むニッケル−クロム−ケイ素金属合金でなる。 - 特許庁

In addition, as for nine raw materials (preceding case by the United States, the EU and Mexico), China implemented the recommendations by the end of 2012—the deadline for the implementation (Export quotas were abolished for five items—bauxite, coke, fluorspar, silicon-carbide and zinc. Export taxes were abolished for seven items—bauxite, coke, fluorspar, magnesium, manganese, silicon metal and zinc, and duty rate for yellow phosphorus became in compliance with the protocol.) 例文帳に追加

○なお、原材料9品目（米国・EU・メキシコの先行事案）に関し、中国政府は2012年末の履行期限までに勧告を履行（ボーキサイト、コークス、蛍石、シリコンカーバイド、亜鉛の５品目について輸出割当てを撤廃。ボーキサイト、コークス、蛍石、マグネシウム、マンガン、シリコンメタル、亜鉛の７品目について輸出税を撤廃。また、黄リンは議定書遵守の譲許レベルを維持）。 - 経済産業省

In a method for removing boron from silicon, metal silicon containing boron as an impurity is melted by heating to its melting point to 2,200°C, and a solid based on silicon dioxide and a solid based on an alkali metal carbonate and/or a hydrate of the alkali metal carbonate are added to the molten silicon, thereby removing the boron in the silicon while forming slag.例文帳に追加

不純物としてホウ素を含有する金属シリコンを融点以上２２００℃以下に加熱して溶融状態とした後、二酸化珪素を主成分とする固体とアルカリ金属の炭酸塩又はアルカリ金属の炭酸塩の水和物の一方又は両方を主成分とする固体を該溶融シリコンに添加することで、スラグを形成すると共に、シリコン中のホウ素を除去することを特徴とするシリコンからのホウ素除去方法である。 - 特許庁