「SILICON METAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The high dielectric constant film 112 is made of a metal oxide having a dielectric constant higher than that of a silicon oxide.例文帳に追加

高誘電率膜１１２は、酸化シリコンより誘電率が高い金属酸化物からなる。 - 特許庁

Thereby, the polycrystal silicon layer 115 on the metal light blocking layer 105 becomes highly homogeneous.例文帳に追加

そのため、金属遮光層１０５上での多結晶シリコン層１１５は均質性が高くなる。 - 特許庁

To provide a method for analysis, especially, automatic analysis of ultratrace impurity metal on a silicon wafer surface.例文帳に追加

シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。 - 特許庁

Thereby the silicon thin film 5 with a large content of the metal M is formed on the surface side.例文帳に追加

これにより、表面側において金属Ｍの含有量が多いシリコン薄膜５を形成する。 - 特許庁

REMOVAL AND RECOVERY OF SILICON TETRAFLUORIDE BY USE OF METAL FLUORIDES例文帳に追加

フッ化金属類を使用した四フッ化ケイ素の除去方法および回収方法 - 特許庁

The top board can be constituted of a metal- or silicon-based material.例文帳に追加

天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成されていてもよい。 - 特許庁

Pellets of metal silicon are disposed with a specified interval on one surface of a 20 mm-thick C/C composite plate.例文帳に追加

厚さ２０ｍｍのＣ／Ｃコンポジット板の片面に金属珪素のペレットを一定間隔で置く。 - 特許庁

Furthermore, a metal film or a silicon carbide film can be used, in place of the diamond mask.例文帳に追加

また、前記ダイヤモンド膜に代えて、金属膜または炭化けい素膜を用いることができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing the silicon wafer, the metal contamination analysis method is used.例文帳に追加

上記金属汚染分析方法を使用する酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

THIN SILICON-ON-INSULATOR DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜シリコン・オン・インシュレータ二重拡散金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

A fuse element 11 has a lamination of a polycrystalline silicon layer and a metal siliside layer.例文帳に追加

フューズ素子１１は、多結晶シリコン層と金属シリサイド層が積層されている。 - 特許庁

In this way, silicon-oxide film piling can be achieved while suppressing metal surface oxidation.例文帳に追加

これにより、金属表面の酸化を抑制しつつシリコン酸化膜を堆積させることが可能となる。 - 特許庁

SILICON-BASED MATERIAL LAYER HAVING WIRE-TYPE METAL SILICIDE AND PRODUCING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるＳｉベースの物質層及びその製造方法 - 特許庁

For example, elution of silicon can be suppressed when the porous structure is dipped into a molten metal such as aluminum.例文帳に追加

たとえばアルミニウム等の溶湯へ浸漬したときに珪素の溶出を抑えることができる。 - 特許庁

To enable filling of metal in fine pores of a high aspect ratio perforated in a silicon substrate or the like.例文帳に追加

シリコン基板等にあけた高アスペクト比の微細孔への金属充填を可能にする。 - 特許庁

In addition, the supply line is connected to the n-type silicon substrate 51 and the metal film 53.例文帳に追加

そして、そして、Ｎ型シリコン基板５１及び金属膜５３には、電源線が接続されている。 - 特許庁

To provide a gettering layer and to inhibit a contamination on metal films in a semiconductor device of an SOI(Silicon-On-Insulator) structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置において、ゲッタリング層を設け、金属汚染を抑えること。 - 特許庁

A silicon film is formed at the upper part of a substrate, a metal film is formed by sputtering on the silicon film, one part of the metal film is allowed to react with one part of the silicon film by first heat treatment for forming metal silicide, the metal film that does not react is removed, and the silicon film is crystallized by second heat treatment.例文帳に追加

基板の上方にシリコン膜を形成し、前記シリコン膜上にスパッタリングによって金属膜を形成し、第１の熱処理によって前記金属膜の一部と前記シリコン膜の一部を反応させて金属珪化物を形成し、未反応の前記金属膜を除去し、第２の熱処理によって前記シリコン膜を結晶化する。 - 特許庁

As described above, the metal impurity in the inside of the silicon wafer can be removed easily and efficiently.例文帳に追加

このようにして、シリコンウェーハ内部の金属系不純物が簡便にしかも高効率に除去される - 特許庁

The method for evaluating the silicon crystal comprises the step of heating the crystal until a defect reaction in the crystal arrives at a metal-thermal equilibrium state.例文帳に追加

シリコン結晶を、結晶内欠陥反応が準熱平衡状態に達するまで加熱する。 - 特許庁

A blanket provided with a metal plate layer for the lower layer of the silicone rubber layer of a silicon blanket 15 is made.例文帳に追加

シリコンブランケット１５のシリコンゴム層の下層に金属板層を設けたブランケット作る。 - 特許庁

The metal wiring layers 106 and 107 are disposed below the polycrystalline silicon area.例文帳に追加

多結晶シリコン領域の下側に金属配線層１０６、１０７が設けられている。 - 特許庁

Subsequently, the deposited low melting point metal is removed, and a silicon layer 17 is formed.例文帳に追加

その後析出した低融点金属（図示省略）を除去して、シリコン層１７が完成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon wafer uses the method for analyzing the metal contamination.例文帳に追加

上記金属汚染分析方法を使用するシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

To prevent the heavy metal contamination of Fe, or the like, from the rear surface of a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の裏面からのＦｅ等の重金属汚染を防止する。 - 特許庁

The thin-film heating element comprises a lamination of a thin film of metal silicide - silicon complex on a base.例文帳に追加

金属ケイ化物‐ケイ素複合体の薄膜を基体上に積層したものからなる。 - 特許庁

A metal film is deposited on the silicon film to form a silicide film for the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

シリコン膜に金属膜を堆積しシリサイド膜を形成し半導体装置を製造する。 - 特許庁

The SiH_4 base silicon oxide film 30 is etched into the same pattern as that of the metal wiring 20.例文帳に追加

SiH_４系シリコン酸化膜３０を金属配線２０と同じ形状にパターニングする。 - 特許庁

In addition, the mixed petroleum stock preferably has titanium and silicon contents of ≤2 mass ppm, respectively, in terms of the metal.例文帳に追加

チタンおよびシリコンの含有量が金属換算でそれぞれ２質量ｐｐｍ以下が好ましい。 - 特許庁

By this setup, a semiconductor silicon wafer which is least contaminated by metal can be obtained.例文帳に追加

これによって、金属汚染を大幅に低減した本発明に係る半導体シリコンウェーハが得られる。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法 - 特許庁

To reduce the additive concentration of catalytic metal element at the time of growing a CG silicon film laterally.例文帳に追加

横成長ＣＧシリコン膜を成長させる際の触媒金属元素の添加濃度を低減させる。 - 特許庁

The silicon microphone is allowed to function as a complementary-metal oxide semiconductor (CMOS) and light is detected electronically.例文帳に追加

また、金属酸化膜半導体素子(CMOS)として機能させ、光を電子的に検知する。 - 特許庁

Furthermore, the metal oxide layer is made into a metal oxide layer at least containing aluminum atoms or silicon atoms.例文帳に追加

また、金属酸化物層を少なくともアルミニウム原子、または、珪素原子を含む金属酸化物層とする。 - 特許庁

An insulating film 6 which includes a metal, silicon and oxygen, is formed between a semiconductor substrate 1 and a metal oxide film 3.例文帳に追加

半導体基板１と金属酸化物膜３との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜６が形成されている。 - 特許庁

The metal of the metal oxide can be at least one selected from the group consisting of silicon, titanium, aluminum and zirconium.例文帳に追加

金属酸化物の金属は、シリコン、チタン、アルミニウム及びジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種でありうる。 - 特許庁

(2) The ignition agent contains no lead oxide and comprised a nitrate of an alkali metal, silicon and a metal oxide.例文帳に追加

（２）鉛酸化物無含有であって、アルカリ金属の硝酸塩、ケイ素および金属酸化物を含有して成ることを特徴とする着火薬。 - 特許庁

The lower electrode 6 has the silicon system substrate 2 and the Schottky junction, and is composed of metal or metal alloy having the large work function.例文帳に追加

下部電極６は、シリコン系基板２とショットキー接合を有し、仕事関数の大きい金属または合金から構成されている。 - 特許庁

Metal electrodes 20-23 are formed on the silicon single crystal fine particles 14-17, respectively, with metal electrodes 24-27 formed among them.例文帳に追加

さらに、各シリコン単結晶微粒子１４〜１７上には金属電極２０〜２３が形成され、その間には金属電極２４〜２７が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the thin film containing silicon is exposed in second gas containing nitrogen and metal to form a silicificated nitrided metal film 7.例文帳に追加

その後、シリコン含有薄膜上に窒素、及び金属を含む第２のガスを暴露し、ケイ化窒化金属膜７を形成する。 - 特許庁

The reaction start temperature between the metal and germanium or between the metal and germanium-silicon compound is 450-500°C.例文帳に追加

前記金属とゲルマニウムあるいは前記金属とゲルマニウム−シリコン化合物との反応開始温度が４５０〜５００℃となっている。 - 特許庁

A metal electrode containing a metal silicide layer to which imprities are annexed is provided on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

シリコンカーバイド基板上に、不純物が添加された金属シリサイド層を含む金属電極を備える。 - 特許庁

Then, a metal film M1 is deposited on the main surface f1 of the silicon substrate 1 and thermal processing is performed, thereby forming the metal silicide film sc.例文帳に追加

その後、シリコン基板１の主面ｆ１上に金属膜Ｍ１を堆積し、熱処理を施すことで、金属シリサイド膜ｓｃを形成する。 - 特許庁

The protective layer 4 contains silicon, oxygen and a metal element same as one kind of at least the metal elements contained in the magnet base 2.例文帳に追加

保護層４は、ケイ素、酸素及び磁石素体２に含まれる金属元素のうちの少なくとも一種と同一の金属元素を含む。 - 特許庁

To prevent a metal film from peeling off due to reaction of fluorine in a fluorine-added silicon oxide film and the metal film.例文帳に追加

弗素添加酸化珪素膜の弗素と金属膜との反応により金属膜の膜剥がれを生じないようにしたものである。 - 特許庁