「SILICON METAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF DISCRIMINATING CRYSTAL DEFECT REGION IN MONOCRYSTALLINE SILICON USING METAL CONTAMINATION AND HEAT TREATMENT例文帳に追加

金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 - 特許庁

A silicate film 12 containing a metal (e.g., hafnium) is formed on a silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上に、金属（例えば、ハフニウム）を含有しているシリケート膜１２を形成する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR OXIDIZING SILICON/METAL COMPOSITE FILM SEDIMENT SELECTIVELY例文帳に追加

シリコン／金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置 - 特許庁

Further, a catalyst metal layer 103 is formed on the silicon oxide film 102.例文帳に追加

また、シリコン酸化膜１０２の上には、触媒金属層１０３が形成されている。 - 特許庁

The High-k film 13 is a film containing a transition metal, aluminum, silicon, and oxygen.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ膜１３は、遷移金属、アルミニウム、シリコンおよび酸素を含む膜である。 - 特許庁

Thereafter, a silicon oxide film 12, a barrier metal layer1, an electrode 15, and an electrode 16 are sequentially formed thereon.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２、バリア金属層１３、電極１５及び電極１６を、順に形成する。 - 特許庁

When the silicon substrate reaches the prescribed temperature, the CNT 104 starts to grow from a catalyst metal particle 103a.例文帳に追加

シリコン基板が到達温度となると、触媒金属粒１０３ａよりＣＮＴ１０４が成長する。 - 特許庁

The silicon and metal-containing material are oxidized in an atmosphere containing an oxidant and a reducing agent.例文帳に追加

このシリコンおよび金属含有材料は、酸化剤および還元剤を含む雰囲気中で酸化される。 - 特許庁

SILICON-ON-NOTHING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコンオンナッシング金属酸化物半導体電界效果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING METAL OXIDE INTERFACE WITH SILICON例文帳に追加

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法 - 特許庁

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED IN SILICON-ON-INSULATOR例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ内に形成された金属酸化膜半導体デバイス - 特許庁

A gate electrode 7 is equipped with a polycrystalline silicon layer 3, a barrier layer 4, and a metal layer 5.例文帳に追加

ゲート電極７は、多結晶シリコン層３と、バリア層４と、金属層５とを備える。 - 特許庁

To very efficiently remove boron from metal silicon by a simple method at a low price.例文帳に追加

本発明は、金属シリコンから簡単な方法で安価に極めて効率よくホウ素を除去する。 - 特許庁

The interface consists of a silicon atomic layer, a nitrogen atomic layer and a metal atomic layer in the form of an MSiN2.例文帳に追加

インタフェースは、MSiN_2の形で、シリコン，窒素および金属の原子層からなる。 - 特許庁

ANALYSIS OF CARBON CONTENT AND SILICON CONTENT IN MOLTEN METAL OF CAST IRON AND PIG IRON例文帳に追加

鋳鉄及び銑鉄の溶湯の炭素含有量と硅素含有量との分析法 - 特許庁

When the insulating film 3 is composed of the silicon nitride film, in addition, a metal chloride can be used.例文帳に追加

また、下層絶縁膜３がシリコン酸窒化膜であれば、金属塩化物を用いることができる。 - 特許庁

An interface reaction preventing layer is formed between a polycrystalline silicon layer and a metal layer.例文帳に追加

多結晶シリコン層と金属層との間に、界面反応防止層が形成される。 - 特許庁

INK SEND PRINT HEAD WITH HEATING RESISTOR OF METAL SILICON NITROGEN OXIDE例文帳に追加

金属珪窒酸化物の発熱抵抗体を搭載したインク送出プリントヘッド - 特許庁

To reduce the level of metal contamination of an oxide film formed on a silicon substrate by plasma oxidation.例文帳に追加

プラズマ酸化によりシリコン基板上に形成される酸化膜の金属汚染量を低減すること。 - 特許庁

At the inside of the silicon oxide layer 6 of the wiring groove 5, metal wiring 7 is embedded.例文帳に追加

配線溝５のシリコン酸化層６の内側には金属配線７が埋め込まれている。 - 特許庁

The fluorine-containing silicon oxide film 16 is formed so as to cover a lower layer metal wiring 14.例文帳に追加

下層金属配線１４を覆うようにフッ素含有シリコン酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a silicon substrate 12, a metal layer 24, and an active element 14.例文帳に追加

半導体装置１０はシリコン基板１２、金属層２４、及び、能動素子１４を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING METAL-CARRYING POROUS SILICON, ELECTRODE STRUCTURE FOR FUEL CELL, AND FUEL CELL例文帳に追加

金属担持多孔質シリコンの製造方法、燃料電池用電極構造体、及び燃料電池 - 特許庁

Lastly, the silicon substrate 101 and the metal layer 108 are diced together into separate devices.例文帳に追加

最後に、シリコン基板１０１を金属層１０８と共にダイシングし個々の素子に分離する。 - 特許庁

In this method, a silicon layer is provided between the noble metal layer (28) and the insulation layer (34).例文帳に追加

この方法の場合、貴金属層（２８）と絶縁層（３４）との間にシリコン層が設けられる。 - 特許庁

A lifetime killer metal film 11 is formed on the first and second silicon oxide films 7 and 10.例文帳に追加

第１及び第２のシリコン酸化膜７、１０の上にライフタイムキラー金属膜１１を形成する。 - 特許庁

A recovery rate of the impurity is also enhanced by dissolving the metal together with the silicon oxide film 12.例文帳に追加

また、シリコン酸化膜１２とともに金属を溶解することで、不純物の回収率が向上する。 - 特許庁

The materials of the adjustment layer are one kind or two kinds or more of metal, silicon, zirconium or the like.例文帳に追加

調整層の材料は、シリコン、ジルコニウム等の１種類もしくは２種類以上の金属。 - 特許庁

METAL IMPURITY ANALYTICAL METHOD IN SURFACE OXIDE FILM EXISTING ON SILICON SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

シリコン基板表面に存在する表面酸化膜中の金属不純物分析方法 - 特許庁

LOCALIZED ANNEALING OF METAL-SILICON CARBIDE OHMIC CONTACTS AND DEVICES SO FORMED例文帳に追加

金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子 - 特許庁

To improve the metal resistance and slag resistance of unshaped refractories containing silicon carbide and spinel.例文帳に追加

炭化珪素およびスピネルを含む不定形耐火物において、耐メタル性及び耐スラグ性の改善を図る。 - 特許庁

Further, a coating layer of a silicon oxide film can be provided covering the metal wiring 6.例文帳に追加

また、前記金属配線６を覆うように酸化ケイ素膜の被覆層を設けることができる。 - 特許庁

To measure other materials, such as silicon and carbon, other than the oxygen contained in a molten metal.例文帳に追加

溶融金属に含まれる酸素の測定の他に、他の物質特にケイ素及び炭素の測定も可能にする。 - 特許庁

A protective film made of an insulating silicon compound is formed on metal wiring to become a pad (step S1).例文帳に追加

パッド部となる金属配線上に絶縁性シリコン化合物でなる保護膜を形成する（処理Ｓ１）。 - 特許庁

SILICON THIN FILM DOPED WITH HIGH CONCENTRATION OF TRANSITION METAL ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

遷移金属元素を高濃度に添加したシリコン薄膜及びその製造方法 - 特許庁

A protective film made of an insulating silicon compound is formed on the metal wiring making a pad (S1).例文帳に追加

パッド部となる金属配線上に絶縁性シリコン化合物でなる保護膜を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

It is desirable that two or more kinds of metal alkoxides include silicon alkoxides and titanium alkoxides.例文帳に追加

２種以上の金属アルコキシドは、ケイ素アルコキシド及びチタンアルコキシドを含むことが望ましい。 - 特許庁

To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加

貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁

A metal film 12 is deposited on a silicon substrate 1 under a non-oxidative atmosphere.例文帳に追加

非酸化性雰囲気中において、シリコン基板１の上に金属膜１２を堆積する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon ingot reduced in the amount of a metal contained therein.例文帳に追加

含有される金属の量が低減されたシリコンインゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The buffer layer 62 and the metal layer 64 are preferably formed of a silicon dioxide layer, and an aluminum layer, respectively.例文帳に追加

望ましくは、バッファ層６２は二酸化シリコン層を、金属層６４はアルミニウム層を使用する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a gate electrode 9 formed on the silicon substrate 1 via the metal silicate film 8.例文帳に追加

シリコン基板１上に、金属シリケート膜８を介してゲート電極９を形成する。 - 特許庁

The metal contamination is evaluated for each of the sequentially grown silicon single crystals 9.例文帳に追加

このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 - 特許庁

To analyze a metal impurity in a surface layer of a silicon material with high sensitivity rapidly and simply.例文帳に追加

シリコン材料表層における金属不純物を迅速かつ簡易的に感度良く分析する。 - 特許庁

A mesh type first metal layer 16 to be the movable part is previously provided on a silicon substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板１２上に可動部となるメッシュ状の第１金属層１６をあらかじめ設ける。 - 特許庁