「SILICON METAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

In the Fe-Si-P based sintering soft magnetic material containing iron (Fe) as the main component and silicon (Si) and phosphorous (P) as secondary components, the sintering soft magnetic material has crystal grain boundaries distributed inside, and further contains grains precipitated into the crystal grain boundaries and composed of the carbide, nitride or sulfide of one or more crystal grain-micronized metal elements or a mixture thereof.例文帳に追加

主たる成分としての鉄（Ｆｅ）ならびに従たる成分としてのケイ素（Ｓｉ）及びリン（Ｐ）を含むＦｅ−Ｓｉ−Ｐ系の焼結軟磁性材料において、該焼結軟磁性材料が、内部に分布した結晶粒界を有し、その結晶粒界に析出した、１種類もしくはそれ以上の結晶粒微細化金属元素の炭化物、窒化物、硫化物又はその混合物からなる粒子をさらに含んでなるように構成する。 - 特許庁

On at least one side of a base plate made from material having a free-cutting property, a glass coating made by applying and drying a slurry wherein a lubricant element made from monocyte solids having the particle diameter of the nanometer level and high hardness are diffused in a metal alkoxide containing alcohol and silicon, with a film thickness of 1 to 10 μm, is formed.例文帳に追加

快削性を有する材料から成るベース板の少なくとも片面に、粒径がナノメートル級の高硬度の単球固体から成る潤滑体がアルコール、並びにケイ素を含む金属アルコキシド中に拡散された懸濁液を１〜１０μｍの膜厚に塗布して乾燥して成るガラス塗膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In the laminate, the reversible thermodiscoloration layer 3 containing a thermodiscoloring composition comprising an electron donating colorable organic compound, an electron accepting compound, and an organic compound medium which reversibly induces the coloration reaction between the compounds and a metallic gloss layer 2 containing a metallic gloss pigment prepared by coating silicon oxide with at least one metal oxide are laminated.例文帳に追加

電子供与性呈色性有機化合物と電子受容性化合物と両者の呈色反応を可逆的に生起させる有機化合物媒体とからなる熱変色性組成物を含む可逆熱変色層３と、酸化珪素を１種又は２種以上の金属酸化物で被覆してなる金属光沢顔料を含む金属光沢層２を積層してなる。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

In the semiconductor device S1 having the heat sink 10 made of the metal and the semiconductor silicon chip 30 adhered to the one surface side of the sink 10 via the die bonding material 20, a plurality of protrusions 11 for specifying the thickness of the bonding material 20 protruding on the one surface of the sink 10 are formed on a disposing area of the chip 30 on the one surface of the sink 10.例文帳に追加

金属製のヒートシンク１０と、このヒートシンク１０の一面上にダイボンド材２０を介して接着された半導体チップ３０とを備える半導体装置Ｓ１において、ヒートシンク１０の一面における半導体チップ３０の配置領域には、当該一面上に突出しダイボンド材２０の厚さを規定する複数個の突起部１１が形成されている。 - 特許庁

The iron nitride powder consists of mainly Fe_16N_2 and has, on at least a part of the powder particle surface, a coating layer including at least one element selected from the group consisting of rare earth metal elements, aluminum and silicon, and cobalt-containing ferrite with a composition represented by (Co_xFe_1-x)Fe_2O_4, wherein 0<x≤1.例文帳に追加

Ｆｅ_16Ｎ_2を主成分とする窒化鉄粉末であって、粉末表面の少なくとも一部に、希土類金属元素、アルミニウムおよびシリコンからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素ならびに（Ｃｏ_xＦｅ_1-x）Ｆｅ_2Ｏ_4（０＜ｘ≦１）で表される組成を有するコバルト含有フェライトを含む被覆層を有する窒化鉄粉末。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

This mixed spun fiber contains a polyamide as a dispersed phase and a polyolefin as a dispersing medium phase and the surface of the fiber is coated with 0.05-5.0 wt.% (based on the fiber) of a textile treating agent containing 20-95 wt.% (based on the textile treating agent) of an alkylene oxide- added alkylphosphate metal salt and 5-80 wt.% of a silicon compound.例文帳に追加

ポリアミドを分散成分とし、ポリオレフィンを分散媒成分とする混合紡糸繊維であって、該繊維表面に、繊維処理剤重量を基準として２０〜９５重量％のアルキレンオキサイド付加アルキルホスフェート金属塩および５〜８０重量％のシリコン化合物を含有する繊維処理剤が、該繊維重量に対して０．０５〜５．０重量％付着している混合紡糸繊維。 - 特許庁

On a field oxide film 2, there are a high-resistance polysilicon film 4b for constituting the resistance element; low-resistance polysilicon films 9a, 9b formed at both the ends of the film 4b; a silicon nitride film 5a formed on the high-resistance polysilicon film 4b; and high-melting-point metal polycide films 7b formed on the low- resistance polysilicon films 9b.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に抵抗素子を構成する高抵抗ポリシリコン膜４ｂ、その両端に低抵抗ポリシリコン膜９ｂ，９ｂ、高抵抗ポリシリコン膜４ｂ上にシリコン窒化膜５ａ及び低抵抗ポリシリコン膜９ｂの上に高融点金属ポリサイド膜７ｂが形成されている。 - 特許庁

A thin film transistor for a liquid crystal display device comprises: a gate electrode 11 formed on a substrate; a gate insulation film 12 formed of a high dielectric constant insulating material having structure in which functional group, metal oxide (Me), silicon (Si) and oxygen (O) are bonded on the gate electrode 11; and a source electrode 16a and a drain electrode 16b formed on the gate insulation film 12.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 - 特許庁

The glass member with the optical multilayer film comprises the optical multilayer film formed on the principal surface of the glass substrate and an adhesion enhancing layer formed between the glass substrate and the optical multilayer film, wherein the adhesion enhancing layer is an oxide film of Si (silicon) or Al (aluminum) which are elements constituting a glass network, and is formed between a transition state and a metal state in reactive sputtering.例文帳に追加

ガラス基板の主表面に光学多層膜が形成され、前記ガラス基板と前記光学多層膜との間に付着力強化層が形成された光学多層膜付きガラス部材であって、付着力強化層は、ガラスネットワークを構成しうる元素であるＳｉ（珪素）もしくはＡｌ（アルミニウム）の酸化物膜であり、反応性スパッタリングにおける遷移状態から金属状態の間で形成されている。 - 特許庁

A titanium silicide film 22 is formed through a silicon film 21 on an impurity semiconductor region 11 of a memory cell selecting MISFETQs where a bit line BL is formed, and a plug 20 formed inside a connection hole 19 is made of a metal film, so that the bulk resistance and contact resistance of a plug 20 are reduce with no erosion of a semiconductor substrate 1 by the titanium silicide film 22.例文帳に追加

ビット線ＢＬが形成されるメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓの不純物半導体領域１１上にシリコン膜２１を介してチタンシリサイド膜２２を形成し、接続孔１９の内部に形成されるプラグ２０を金属膜で構成することによって、半導体基板１をチタンシリサイド膜２２で侵食することなく、プラグ２０のバルク抵抗およびコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

A raw material which is one or more kinds of compounds selected from a linear saturated hydrocarbon, a linear unsaturated hydrocarbon, a cyclic saturated hydrocarbon and alcohol in which the atomic ratio of contained carbon to contained oxygen is ≥2.0 is allowed to coexist with a super critical fluid or a subcritical fluid in the presence of one or more catalysts selected from transition metals, transition metal compounds, alumina, silica and silicon carbide.例文帳に追加

鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素及び含有酸素に対する含有炭素の原子比率が２．０以上であるアルコールから選択される一種類以上の化合物である原料を、遷移金属、遷移金属化合物、アルミナ、シリカ及び炭化珪素から選択される一つ以上の触媒の存在下、超臨界流体又は亜臨界流体と共存させる。 - 特許庁

To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.例文帳に追加

実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To cure a curable component while restraining a curing time from increasing, without using an organic metal compound at all or substantially, in a curable composition containing, as the curable component, a polymer obtained by urethanation-reacting a hydroxyl group containing polymer having a polyoxyalkylene chain and a hydroxy group with a compound containing a reactive silicon group and an isocyanate group.例文帳に追加

ポリオキシアルキレン鎖および水酸基を有する水酸基含有重合体と、反応性ケイ素基およびイソシアネート基を含有する化合物とをウレタン化反応させて得られる重合体を硬化成分として含有する硬化性組成物において、有機金属化合物を全くまたは殆ど使用しなくても、硬化時間の増大を抑えつつ該硬化成分を硬化できるようにする。 - 特許庁

In the offensive odor prevention net, a material made by kneading a material obtained by powdering a mineral containing at least a silicon oxide mineral or a metal oxide mineral, or a slightly radioactive mineral into a sheetlike plastic resin having a thickness of <1.5 mm and grid holes of 3-10 mm is used by being put in the water tank of a toilet stool.例文帳に追加

少なくとも珪素酸化鉱物もしくは金属酸化鉱物又は、微量放射性鉱物を含む鉱物を粉体加工されたものを厚さが１、５ミリ未満のシート状であって３ミリから１０ミリの格子状の穴があいている形状のプラスチックの樹脂に練入されたものを、トイレ便器の水槽に入れて使用する悪臭臭防止ネット。 - 特許庁

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal, in which generation of micocracks elongating in a growing single crystal is suppressed by bonding a seed crystal and a graphite base for holding the seed crystal by using a metal carbide layer free from voids; and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same.例文帳に追加

種結晶と種結晶を保持する黒鉛台座とを空隙のない金属炭化物層を用いて結合させることにより、成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This is an electron emission element that has carbon membranes 12, 13 opposed to each other interposing a first gap part 11 that are arranged on the glass substrate 1 or carbon membranes having a first gap part on part of it, and the first gap part 11 and/or glass substrate 1 contains at least each element of silicon, aluminum, boron, alkaline earth metal, carbon and oxygen.例文帳に追加

ガラス基板１上に配置された、第一の間隙部１１を挟んで対向するカーボン膜１２，１３、若しくは、その一部に第一の間隙部を有するカーボン膜を有する電子放出素子であって、第一の間隙部１１又は／及びガラス基板１は、少なくとも、珪素、アルミニウム、ホウ素、アルカリ土類金属、炭素、酸素の各元素を有することを特徴とする。 - 特許庁

In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer.例文帳に追加

このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を４００℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮＣ膜及びＳｉＣ膜のいずれかとすることが望ましい。 - 特許庁

The composition for the coating is prepared by formulating an organic pigment dispersion obtained by subjecting the organic pigment to an adsorption treatment with an organic coloring matter derivative having a basic functional group or a triazine derivative having a basic functional group in water within an acid region of pH 3-7 by using a media type dispersing machine, with an organic solvent and a silicon alkoxide or a metal alkoxide compound.例文帳に追加

有機顔料と、塩基性官能基を有する有機色素誘導体または塩基性官能基を有するトリアジン誘導体とを、水中でｐＨが３〜７の酸性領域でメディア型分散機を用いて吸着処理した有機顔料の分散体に、有機溶剤および珪素アルコキシドもしくは金属アルコキシド化合物を配合したコーティング用組成物。 - 特許庁

The conductive laminate 1 comprises a base material 2, a conductive functional layer 5 in which high refractive index transparent thin film layers 11, 13 and a metal thin film layer 12 are alternately disposed and an antifouling layer 7, wherein the antifouling layer 7 is a layer obtained from a fluorine-containing silicone compound having two or more silicon atoms connected with reactive functional groups.例文帳に追加

基材２と、高屈折率透明薄膜層１１、１３および金属薄膜層１２が交互に設けられた導電性機能層５と、防汚層７とを有する導電性積層体１であって、防汚層７を、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層とする。 - 特許庁

The composition for a solid state imager comprises (A) particles in which when the total amount of metal atoms present in a particle surface is considered to be 100 at.%, the percentage of silicon atoms present in the particle surface is ≥20 at.%, (B) a compound having two or more (meth)acryloyl groups, (C) a photopolymerization initiator and (D) an organic solvent.例文帳に追加

下記成分（Ａ）〜（D）：（Ａ）粒子表面に存在する金属原子の総量を１００原子％としたときに、粒子表面に存在するケイ素原子の割合が２０原子％以上である粒子、（Ｂ）２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）有機溶剤を含有する固体撮像素子用組成物。 - 特許庁

The cooling liquid composition is composed of a melting point depressant selected from a group consisting of glycols and alcohols, and is characterized by including (a) one or more kinds of corrosion inhibitors selected from fluorides, (b) one or more corrosion inhibitors selected from alkaline earth metal compounds, and (c) an ion sealing agent, and does not contain a silicon compound.例文帳に追加

グリコール類及びアルコール類からなる群から選択される融点降下剤を主成分とする冷却液組成物であって、（ａ）フッ化物から選択される１種以上の腐食抑制剤、（ｂ）アルカリ土類金属化合物から選択される１種以上の腐食抑制剤、及び（ｃ）イオン封鎖剤を含み、且つ珪素化合物を含まないことを特徴とする冷却液組成物。 - 特許庁

The creep resistant die-casting magnesium alloy with high strength includes 4.0% to 9.0% aluminum and 0.8% to 2.0% silicon so as to keep the balance with 0.1% to 1.2% magnesium, and further 0.1% to 1.3% calcium and 0.01% or 1.5% a rare earth metal.例文帳に追加

４．０ないし９．０％のアルミニウム、０．８ないし２．０％のシリコンおよび０．１ないし１．２％のマグネシウムとから成り、アルミニウムおよびシリコンが、マグネシウムとのバランスを取りながら含まれるとともに、０．１ないし１．３％のカルシウムが含まれ、０．０１ないし１．５％の希土類金属が含まれている高強度ダイカスト用耐クリープマグネシウム合金。 - 特許庁

In a laminated film provided with an organic layer, an inorganic barrier layer and a transparent conductive thin film layer on at least one side of a transparent polymer film having ≥120°C glass transition temperature, being essentially amorphous and having ≤15 nm retardation value at 200 μm film thickness, the organic layer has an isocyanulate structure and a hydrolyzed metal alkoxide or organic silicon compound.例文帳に追加

ガラス転移温度が１２０℃以上で実質的に非晶質であり、フィルム厚み２００μｍでのリターデーション値が１５ｎｍ以下である透明な高分子フィルムの少なくとも片側に有機層、無機バリア層、透明導電薄膜層を設けた積層フィルムにおいて、上記有機層がイソシアヌレート構造と、金属アルコキシドまたは有機珪素化合物の加水分解物を有する積層フィルムである。 - 特許庁

By irradiating the peripheral part of the laminated film of the thin-film solar cell panel having the laminated film having a transparent electrode film, a silicon film and a metal film on a transparent substrate formed on the base layer with a laser beam oscillated from a CW laser of output power ≥200W, the laminated film is removed over the whole circumference of the peripheral part including the base layer.例文帳に追加

下地層の形成された透明基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及び金属膜からなる積層膜を有している薄膜太陽電池パネルの積層膜の周縁部に、出力２００Ｗ以上のＣＷレーザーから発振せしめたレーザービームを照射し、周縁部の全周に亘って積層膜をその下地層を含めて除去すること。 - 特許庁

The deviated abrasion is prevented by hardening the insulation layer with addition of chromium, titanium, silicon or the like and by disposing a hard film composed of aluminum nitride, diamond-like carbon, tetrahedral amorphous carbon or the like between the insulation layer and a metal layer or between the substrate and the insulation layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、基板上に電磁変換のための磁気回路層、絶縁層を形成してなるが、絶縁層をクロム、チタン、シリコンなどの添加によって硬質化、また、絶縁層と金属層との間、基板と絶縁層との間に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド状炭素、テトラヘドラルアモルファス状炭素などの硬質膜を設置することなどで偏摩耗量を抑制する。 - 特許庁

The silicone resin composition is obtained by polymerization-reacting a silicone derivative having an alkoxysilyl group at a molecular end or side chain with fine metal oxide particles having reactive functional groups on the surfaces of the fine particles, wherein the alkoxysilyl group is a silyl group having an aromatic group and an alkoxy group as a functional group directly bound to silicon.例文帳に追加

分子末端又は側鎖にアルコキシシリル基を有するシリコーン誘導体と、微粒子表面に反応性官能基を有する金属酸化物微粒子とを重合反応させて得られ、前記アルコキシシリル基がケイ素に直接結合する官能基としてアルコキシ基と芳香族基とを有するシリル基である、シリコーン樹脂組成物。 - 特許庁

A heterojunction field effect semiconductor device includes an electron traveling layer 31; first and second electron supply layers 32, 33; a cap layer 34; a source electrode 8; a drain electrode 9; a gate electrode 10; an insulation film 11 made of a silicon oxide; and a p-type metal oxide semiconductor film 12.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層３１と、第１及び第２の電子供給層３２，３３と、キャップ層３４と、ソース電極８と、ドレイン電極９と、ゲート電極１０と、シリコン酸化物から成る絶縁膜１１と、ｐ型金属酸化物半導体膜１２とを有している。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.例文帳に追加

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁

In an apparatus 1 for producing trichlorosilane in which metal silicon powder supplied into a reactor 2 is reacted with hydrogen chloride gas while being fluidized by the gas, thereby taking out trichlorosilane generated by the reaction from the upper part of the reactor 2, a plurality of gas flow controlling members 32 are installed at the internal space of the reactor 2 along the vertical direction.例文帳に追加

反応炉２内に供給された金属シリコン粉末を塩化水素ガスによって流動させながら反応させ、この反応により生成されたトリクロロシランを反応炉２の上部から取り出すトリクロロシラン製造装置１において、反応炉２の内部空間に、複数本のガス流制御部材３２が上下方向に沿って設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas.例文帳に追加

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition allowing selective removal of photoresist and etching residues from a substrate without exerting a destructive chemical action on metal possibly also exposed to the composition, and to provide a composition exhibiting a very minute amount of silicon oxide and generally a low etching rate on an insulating material.例文帳に追加

基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

The photomask blank is for dry-etching processing and has, in order from the light-transmissive substrate side, a layer comprising a material having metal, silicon, oxygen, and/or nitrogen as main components and a layer comprising a material mainly containing chromium and nitrogen and substantially having a diffraction peak of CrN(200) in X-ray diffraction.例文帳に追加

該フォトマスクブランクは、ドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、透光性基板側から、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料からなる層と、主にクロムと窒素とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ(２００)からなる層とを有する。 - 特許庁

Using an electrolyzer 1 where a porous structure composed of the particles of a prescribed metal such as silicon is used as a cathode side electrode 3a, and further, a solid polymer electrolyte membrane 2 is inserted into a space between an anode and a cathode, the electrolysis of methanol under the electrolytic voltage of ≤10 V is made possible.例文帳に追加

カソード側電極３ａとして、シリコン等の所定の金属の粒子で構成される多孔質構造体を用いるとともに、アノードとカソードの間に固体高分子電解質膜２を挿入した電気分解装置１を用いることにより、メタノールを１０Ｖ以下の電解電圧で電気分解することが可能になった。 - 特許庁

The cement C consists of an incineration ash formed by incinerating a municipal waste and an incineration ash formed by incinerating sewage sludge and contains components such as calcium oxide, silicon dioxide, aluminum oxide, ferric oxide and sulfur trioxide in almost same way as that of ordinary cement (e.g. Portland cement) and the components causing metal corrosion such as chlorine content is removed.例文帳に追加

また、セメントＣは、都市ゴミを焼却して生成した焼却灰や、下水汚泥を焼却して生成した焼却灰からなるセメントであり、通常のセメント（例えばポルトランドセメント）と略同様に、酸化カルシウム、二酸化けい素、酸化アルミニウム、酸化第二鉄、三酸化硫黄などの成分を含み、塩素分等の金属さびの原因となる成分を除去したセメントである。 - 特許庁

The black fine particle comprises a fine particle that is mainly composed of an AgSn alloy, has an average particle size of at least 1 nm and at most 300 nm, and has a surface covered with an insulation film comprised of a metal oxide such as silicon oxide (silica) or aluminum oxide (alumina) or an organic polymer compound such as a polyamine compound.例文帳に追加

本発明の黒色微粒子は、ＡｇＳｎ合金を主成分とし平均粒子径が１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下の微粒子の表面が、酸化ケイ素（シリカ）、酸化アルミニウム（アルミナ）等の金属酸化物、あるいはポリアミン化合物等の有機高分子化合物からなる絶縁膜により被覆されていることを特徴とする。 - 特許庁

The inorganic antimicrobial agent 26 is inorganic, and the water glass 28, which fixes the inorganic antimicrobial agent 26 in the vitrified grinding wheel structure, is a combination (Na2O.SiO2) of sodium oxide and silicon dioxide, which provides an antimicrobial vitrified grinding wheel safer than oxide metal, such as silver Ag, zinc Zn and copper Cu, and having antimicrobial activity.例文帳に追加

この無機抗菌剤２６は無機物であり、その無機抗菌剤２６をビトリファイド砥石組織内に固着する水ガラス２８も酸化ナトリウムおよび二酸化珪素の結合体（Ｎａ_2 Ｏ・ＳｉＯ_2 ）であることから、銀Ａｇ、亜鉛Ｚｎ、銅Ｃｕなどの酸化物系金属よりも安全性が高く、抗菌力を備えた抗菌性ビトリファイド砥石が得られる。 - 特許庁

The fiber finished article is obtained by treating the surface of a synthetic fiber containing the radioactive mineral with an alcohol chelate solution of titanic acid, silicic acid and zirconic acid or a borane solution of a chromium polyacrylate, and coating a dispersion of a magnetic body powder, electroconductive metal nanopowder, carbon nanopowder or silicon carbide powder dispersed in a binder as a coating material thereon.例文帳に追加

放射性鉱物の入った合成繊維に、チタン酸、シリコン酸、ジルコニュウム酸のアルコ−ルキレ−ト液やポリアクリル酸クロムのボラン液で表面処理すると、次に塗布する磁性体粉、導電性ナノ金属粉、ナノカ−ボン粉、炭化珪素粉を接合剤に分散したものを塗料として塗着する。 - 特許庁

A coating solution for an under coat layer, which is used for producing the electrophotographic photoreceptor having the under coat layer and a photosensitive layer formed in this order on a conductive support body, comprises at least a binder resin and metal oxide particles subjected to surface treatment with an anhydrous silicon dioxide.例文帳に追加

導電性支持体上に、下引き層、感光層を順次形成してなる電子写真感光体を製造するための下引き層用塗布液が、少なくともバインダー樹脂と、無水二酸化ケイ素で表面処理を施した金属酸化物粒子とを含有することを特徴とする電子写真感光体により課題を解決する。 - 特許庁

In a state that a voltage is not applied across a conductive pad 3 mounted on a silicon substrate 5 and a conductive pad 4 mounted on a glass substrate 6, since a liquid metal 2 is on an electrical contact 63 of a cavity 10 and is not on an electrical contact 64, there is electric insulation between the electrical contacts 63, 64.例文帳に追加

シリコン基板５に設けられる導電性パッド３と、ガラス基板６に設けられる導電性パッド４との間に電圧を印加していない状態では、液体金属２が空洞部１０の電気接点部６３上にはあるが、電気接点部６４上にはないので、電気接点部６３，６４間は絶縁状態である。 - 特許庁

The two or more types of process chambers are used to deposit the one or more silicon-containing layers and the one or more metal-containing layers in the same substrate processing system without breaking the vacuum, taking the substrate out of the substrate processing system to prevent surface contamination, oxidation, etc., such that additional cleaning or surface treatment steps can be eliminated.例文帳に追加

２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。 - 特許庁

The stencil mask 10 comprises a mask layer 13, having an opening part 14 which has one or a plurality of openings 15, a support base 11 composed of other parts 16 than the opening part 14 for supporting the mask layer 13, and a metal-containing silicon oxide film layer 12 provided between the mask layer 13 and the base 11.例文帳に追加

一つ或いは複数個の開口１５を有する開口部１４を有するマクス部層１３、当該開口部１４以外の部分１６からなるマクス部層１３を支持する支持台部１１及び当該マスク部層１３と当該支持台部１１との間に設けられている金属を含んだシリコン酸化膜層部１２とで構成されているステンシルマスク１０。 - 特許庁