「SILICON METAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal film 8 is formed in a part of the surface of a laminated sheet wherein a base layer 2, a silicon oxide layer 4 and a single crystal silicon layer 6 are stacked.例文帳に追加

ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が積層されている積層板の表面の一部に金属膜８を形成する。 - 特許庁

A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。 - 特許庁

It is characterized that the aluminum content in the metal silicon in the penetrating layer is not more than that in the silicon alloy.例文帳に追加

前記浸透層の金属シリコンは、前記シリコン合金のアルミニウム含有量以下のアルミニウムを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon nitride filter of high strength using metal silicon particles as its starting material, which is suitable for removing dust.例文帳に追加

金属ケイ素粒子を出発原料とし、高強度で、除塵や脱塵に最適な窒化ケイ素質フィルタの製造法を提供する。 - 特許庁

The carbon fiber reinforced silicon carbide composite material is obtained by impregnating a carbon fiber reinforced carbon composite (C/C composite material) with melted metal silicon.例文帳に追加

炭素繊維強化炭素複合材（Ｃ／Ｃ複合材）に金属シリコンを溶融含浸させて得られる炭素繊維強化炭化ケイ素複合材。 - 特許庁

A silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a method of fabricating the silicon carbide MOSFET are provided.例文帳に追加

炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）および炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの製造方法が提供されている。 - 特許庁

By covering the upper surface of the placing table 23 by the cover 35 made of silicon or the like, the metal contamination of the lower surface of the silicon substrate W is suppressed.例文帳に追加

載置台２３の上面をシリコン等のカバー３５で覆うことにより、シリコン基板Ｗ下面の金属汚染を抑制する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide sintered compact which is dense and is free from defects by eliminating crack or metal vein of the silicon carbide sintered body.例文帳に追加

炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。 - 特許庁

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon carbide sintered compact which is dense and is free from defects by eliminating crack or metal vein of the silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。 - 特許庁

The string-like carbonaceous material is impregnated with the liquid metal silicon to react with the string-like carbonaceous material to produce silicon carbide.例文帳に追加

液体金属ケイ素を紐状炭素質材料に含浸させ紐状炭素質材料と反応させて炭化ケイ素化する。 - 特許庁

Since the lower surface of the pulled melted silicon L-Si is supported on the melted metal S, the formation of the thin platy silicon S-Si can stably be realized.例文帳に追加

引き出された溶融シリコンＬ−Ｓｉの下面は溶湯Ｓ支持されているので板状シリコンＳ−Ｓｉの薄肉化は安定して実現される。 - 特許庁

Imposition of export quotas, export duties etc. for bauxite, coke, fluorspar, magnesium, manganese, silicon-carbide, silicon metal, yellow phosphorus, and zinc) 例文帳に追加

ボーキサイト、コークス、蛍石、マグネシウム、マンガン、シリコンカーバイド、シリコンメタル、黄リン、亜鉛の輸出数量制限・輸出税の賦課等 - 経済産業省

The silicon carbide semiconductor device 10 comprises a first conductivity type hexagonal silicon carbide semiconductor substrate 1, a first conductivity type first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2, a first conductivity type second hexagonal silicon carbide epitaxial layer 3, a Schottky metal layer 5, and an ohmic metal layer 4.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置１０は、第１導電型の六方晶炭化珪素半導体基板１と、第１導電型の第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と、第１導電型の第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３と、ショットキー金属層５と、オーミック金属層４とを備える。 - 特許庁

A method for forming electrodes on a silicon carbide substrate includes a step of depositing a metal on which a carbide can be formed on a silicon carbide substrate on which a graphite is formed on its surface and a step of forming the carbide between a metal layer and the silicon carbide substrate by annealing the silicon carbide substrate.例文帳に追加

表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属を被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。 - 特許庁

After a metal hafnium layer 12 is formed on a silicon substrate 10, the surface of the silicon substrate 10 and the metal hafnium layer 12 are oxidized, thus forming a silicon oxide film 14 containing Hf set to be a high-k film on the surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上に金属ハフニウム層１２を形成した後、シリコン基板１０の表面部及び金属ハフニウム層１２を酸化することによって、high-k膜となるＨｆ含有シリコン酸化膜１４をシリコン基板１０の表面部に形成する。 - 特許庁

The charge block layer 14 is made of metal oxide having a larger relative dielectric constant than a silicon nitride, and the control gate electrode 15 is made of metal, metal silicide, or silicon containing a dopant.例文帳に追加

電荷ブロック層１４は、比誘電率がシリコン窒化物の比誘電率よりも高い金属酸化物により形成し、制御ゲート電極１５は、金属、金属シリサイド又はドーパントを含有するシリコンにより形成する。 - 特許庁

The silicon bench has a metal-mixed layer formed at least on a part of the silicon substrate surface, and a metal coat formed on the metal-mixed layer.例文帳に追加

シリコン基板の表面の少なくとも一部分に金属混入層を有し、該金属混入層上に金属被膜を有することを特徴とするシリコンベンチ。 - 特許庁

In this case, a metal layer 103 exists between the low-melting-point metal member and the silicon substrate, and an adhesive layer 104 exists between the silicon substrate and the metal layer.例文帳に追加

その際、前記低融点金属部材と前記シリコン基板との間に金属層１０３を有する構成とし、また前記シリコン基板と前記金属層との間に、接着層１０４を有する構成とすることができる。 - 特許庁

The silicon film 100 is formed on the metal pattern by applying a voltage on the metal pattern of the microheater to heat the metal pattern and exposing the microheater in a source gas including silicon.例文帳に追加

マイクロヒーターの金属パターンに電圧を印加して金属パターンを加熱し、シリコンを含むソース気体にマイクロヒーターを露出させて金属パターン上にシリコン膜１００を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for evaluating metal contamination of a silicon single crystal, by which the circumstances of metal impurity generated in a pulling apparatus that causes metal contamination in a silicon single crystal is surely grasped.例文帳に追加

シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。 - 特許庁

The metal contaminated sample of the silicon wafer is fabricated performing CMP (chemical mechanical polishing) on the silicon wafer used as a sample to cause heavy metal contamination by using a polishing slurry added with a heavy metal.例文帳に追加

重金属を添加した研磨スラリーを用い、試料用のシリコンウェーハにＣＭＰ（化学機械研磨）を施して重金属を汚染させることにより、シリコンウェーハの金属汚染試料を作製する。 - 特許庁

The photomask blank 10 has a light shielding film 2 on a light transmitting substrate 1, wherein the light shielding film 2 contains metal and silicon (Si), the content of the metal is over 20 atomic% with respect to the total of the metal and silicon (Si).例文帳に追加

透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し２０原子％を超える量である。 - 特許庁

To inhibit increase of the contact resistance at an interface between a metal layer and a silicon plug in a wiring structure, in which the silicon plug is formed on the top of the metal layer and connected to the metal layer.例文帳に追加

金属層の上部にシリコンプラグを形成して両者を接続する配線構造において、金属層とシリコンプラグとの界面の接触抵抗の増大を抑制する。 - 特許庁

This method of producing the catalyst comprises mixing a metal complex containing the group VIII metal and/or a metal salt containing the same with a specific hydrogenated silicon compound to form an intermediate product, and further adding a specified hydrogenated silicon compound to the intermediate product in a specified ratio.例文帳に追加

第８族金属を含む錯体及び／又は金属塩に特定の水素化珪素化合物を混合して中間生成物を得、更に特定の水素化珪素化合物を特定の割合で添加する。 - 特許庁

A silicon-based cermet coating layer relating to any combination selected from metal silicon, silicon nitride and silicon oxide is applied as an undercoat on the surface of a silicon carbide substrate, and then a ceramic coating layer containing zirconia is applied as a topcoat on the undercoat.例文帳に追加

炭化ケイ素質基材の表面に、アンダーコートとして金属ケイ素、ケイ素窒化物およびケイ素酸化物のうちから選ばれるいずれかの組み合わせに係るケイ素系サーメットの被覆層を設け、そのアンダーコートの上にトップコートとして、ジルコニアを含むセラミックスの被覆層を設けたこと。 - 特許庁

A method of manufacturing a polycrystal silicon layer is provided including a step of forming an amorphous silicon layer using a gas containing silicon atoms and a hydrogen gas on a substrate, and a step of crystallizing the amorphous silicon layer into a polycrystal silicon layer using a crystallization induction metal.例文帳に追加

基板上に、シリコン原子を含むガス及び水素ガスを用いて非晶質シリコン層を形成する工程と、前記非晶質シリコン層を、結晶化誘導金属を用いて多結晶シリコン層に結晶化させる工程とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the inductor wiring formed on a silicon substrate, there are formed a silicon layer having resistance lower than that of the silicon substrate, an alloy layer made of silicon, metal and the like in the vicinity of the inductor wiring which is present on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に形成するインダクタ配線において、インダクタ配線近傍の前記シリコン基板上に、前記シリコン基板よりも低抵抗のシリコン層、シリコンと金属の合金層等を形成することを特徴とするインダクタである。 - 特許庁

To provide an electromagnetic casting apparatus of a silicon ingot, which prevents contacting of a silicon raw material with a plasma torch involved in charge of the silicon raw material in a cooled crucible, suppresses metal impurity contamination of a molten silicon, and can stabilize melting of the silicon raw material.例文帳に追加

冷却ルツボへのシリコン原料の投入に伴ってシリコン原料がプラズマトーチと接触するのを防止し、溶融シリコンの金属不純物汚染を抑制するとともに、シリコン原料の融解を安定させることができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing the raw material for a silicon-based solar cell, by which a molten raw material for producing a silicon-based solar cell is produced by utilizing silicon sludge and a silicon lump generated at various silicon processing processes and contaminated with metal to high concentration.例文帳に追加

各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The objective sintered silicon oxynitride comprises the main constitution phase selected from silicon oxynitride, a mixture of silicon oxynitride with silicon dioxide and silicon nitride and the subconstitution phase of a rare-earth metal oxide and has a pore number of ≤10/mm2 on the mirror- polished surface.例文帳に追加

酸窒化珪素、または酸窒化珪素と二酸化珪素および窒化珪素のうちのいずれかとの混合相を主構成相とし、希土類元素酸化物を副構成相としてなり、鏡面研磨面における気孔数が１０個／mm^２以下の酸窒化珪素焼結体。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 - 特許庁

In a method of crystallizing an amorphous silicon thin film by the use of a transition metal silicide, the amorphous silicon thin film is oriented in the {100} plane through a seed method of bringing a part of the amorphous silicon thin film into contact with a silicon substrate or a high- temperature annealing method of making the amorphous silicon thin film reach a higher annealing temperature at a high speed.例文帳に追加

遷移金属シリサイドを用いて非晶質シリコン薄膜を結晶化させる方法において、非晶質シリコン薄膜の一部をシリコン基板に直接接触させるシード法や、より高温のアニール温度により高速に到達させる高温アニール法により、｛１００｝面に方位制御する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a preheating step of heating the surface of a silicon layer during formation of a metal film, when the metal film is formed on the silicon layer and then the silicon layer is heated to make the metal film react with the silicon layer and to form the silicide layer on the silicon layer.例文帳に追加

シリコン層の表面に金属膜を形成し、次いで、このシリコン層を加熱して金属膜とシリコン層とを反応させ、シリコン層の表面にシリサイド層に形成するに際し、金属膜の形成時にシリコン層の表面を加熱する前加熱工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The processing method involves a process in which a metal film 8 is formed on a silicon layer 5a; and a process in which a current of such a magnitude as to cause electromigration in metal is passed through the metal film 8 and further the metal film 8 is heated to form a silicide layer 8a between the silicon layer 5 and the metal film 8.例文帳に追加

シリコン層５ａ上に金属膜８を形成する工程と、金属がエレクトロマイグレーションを起こす大きさの電流を金属膜８に流すとともに金属膜８を加熱することにより、シリコン層５と金属膜８の間にシリサイド層８ａを形成する工程を含む。 - 特許庁

A compound which can produce an active sulfur species thermally acting on the metal atom of a cross-linking silicon group condensation catalyst in the coexistence of the cross-linking silicon group condensation catalyst having the metal atom is compounded in a specific amount based on the cross- linking silicon group condensation catalyst having the metal atom.例文帳に追加

金属原子を有する架橋性ケイ素基縮合触媒の共存下、加熱により架橋性ケイ素基縮合触媒の金属原子に作用する活性硫黄種を生成し得る化合物を金属原子を有する架橋性ケイ素基縮合触媒に対して特定量配合する。 - 特許庁

In a state where a region, at the surface of the substrate, free from deposition of vapor grown film, is coated with a silicon-metal-containing film containing silicon metal, a vapor grown film on a region other than the above region having vapor grown film on a region other than the above region having the silicon-metal-containing film thereon.例文帳に追加

基体の表面のうち気相成長膜を形成しない領域を、珪素金属を含有する珪素金属含有被膜によって被覆した状態で、基体を気相成長プロセスに供することによって、珪素金属含有被膜以外の領域に気相成長膜を形成する。 - 特許庁

The molten-metal-resistant member comprises a silicon nitride-based sintered material having crystals of the silicon nitride and a grain boundary layer containing at least one of a metal element of ≥1,000°C in melting point, wherein the concentration of the metal silicide on the surface of the silicon nitride-based sintered material is made lower than that of the interior thereof.例文帳に追加

窒化珪素の結晶と、融点が１０００℃以上のうち少なくとも１つの金属元素からなる金属珪化物を含む粒界層とを有した窒化珪素質焼結体からなる耐溶融金属用部材であって、前記窒化珪素質焼結体の表面における金属珪化物の濃度が内部より低くする。 - 特許庁

a substance as germanium or silicon whose electrical conductivity is intermediate between that of a metal and an insulator 例文帳に追加

ゲルマニウムやシリコンのように電気伝導率が鉄と絶縁体の中間であるような物質 - 日本語WordNet

ARTICLE USING MICROCRYSTAL BORIDE-CONTAINING NICKEL- CHROMIUM-SILICON METAL ALLOY AS BASE MATERIAL例文帳に追加

微結晶ホウ化物を含むニッケル−クロム−ケイ素金属合金を基材とする物品 - 特許庁

The semiconductor or the metal consists of any of silicon, aluminum, chromium and titanium.例文帳に追加

半導体もしくは金属は、シリコン、アルミニウム、クロムもしくはチタンのいずれかよりなる。 - 特許庁

The photo-recording material contains photochromic transition metal oxide particles coated with silicon oxide.例文帳に追加

酸化珪素で被覆されたフォトクロミック性遷移金属酸化物粒子を含む光記録材料。 - 特許庁

METAL CATALYST DOPING DEVICE FOR LOW TEMPERATURE SILICON CRYSTALLIZATION AND DOPING METHOD UTILIZING THE SAME例文帳に追加

シリコン低温結晶化のための金属触媒ドーピング装置及びこれを利用したドーピング方法 - 特許庁

The semiconductor structure includes: a base layer; a silicon layer; a photodiode layer; and a metal layer.例文帳に追加

半導体構造はベース層と、シリコン層と、フォトダイオード層と、金属層とを含む。 - 特許庁

The amorphous silicon layer 3 contains catalytic metal particles 5 for generating the carbon fiber film 4.例文帳に追加

アモルファス珪素層３は、炭素繊維膜４の生成のための触媒金属粒子５を含む。 - 特許庁