「SILICON METAL」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In this way, the silicon sludge and silicon lump contaminated with metal at high concentration are reutilized, and a molten raw material for producing a silicon-based solar battery can be produced.例文帳に追加

これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 - 特許庁

To manufacture a silicon substrate for solar cells by an out-of-standard silicon wafer, that is produced in a process for manufacturing semiconductor devices and is disposed, and a silicon waver that has a surface layer that is informative by a metal-based laminated circuit.例文帳に追加

半導体デバイス製造過程において発生し、廃棄されることになった規格外のシリコンウエハ、金属系積層回路により情報化された表層をもつシリコンウエハより太陽電池用シリコン基板を製造する。 - 特許庁

To provide a method for producing silicon which ensures high efficiency of such a reaction that a silicon halide is reduced with a metal to form silicon.例文帳に追加

ハロゲン化シリコンを金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a metal film is formed on the surface of a silicon substrate by the use of a sputtering apparatus, moisture is removed in advance from the surface of a silicon substrate 1 through thermal treatment, and then the silicon substrate 1 is transferred into the sputtering device.例文帳に追加

シリコン基板表面にスパッタ装置で金属膜を成膜する場合に、予め加熱処理によりシリコン基板１表面の水分を除去しその後に、シリコン基板１をスパッタ装置内に搬送する。 - 特許庁

To provide a cleaning method capable of sufficiently reducing the concentration of contamination metal in a silicon wafer and/or a silicon-based member in a heat treatment furnace: and to provide a method for manufacturing the silicon wafer using the same.例文帳に追加

シリコンウエハや熱処理炉内のシリコン系部材における汚染金属の濃度を十分に低減できる洗浄方法及びそれを用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a silicon oxide film 7 is deposited, an interconnecting via 10 and a structure supporting via 11 that are connected to the metal lines 3 and the silicon nitride film 4 respectively, are formed by opening this silicon oxide 7.例文帳に追加

更にシリコン酸化膜７を堆積し、このシリコン酸化膜７を開口して金属配線３及びシリコン窒化膜４に接続する夫々配線接続用ビア１０及び構造支持用ビア１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for analysis of a silicon wafer capable of analyzing the metal impurities contained in the outer periphery of the silicon wafer with high sensitivity by certainly removing the membrane on the outer periphery of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハの外周部の膜を確実に除去し、シリコンウェーハの外周部に含まれる金属不純物を高感度に分析可能なシリコンウェーハの分析方法を提供する。 - 特許庁

In this case, nitrogen is prevented from being transmitted through the high dielectric metal oxynitride film 21-1 in the first layer to reach the surface of the silicon layer(first electrode 12), and a silicon nitride(SiN) layer will no longer be prevented from being formed on the interface of the silicon layer.例文帳に追加

このとき、窒素が１層目の高誘電体金属酸窒化膜２１−１を突き抜けてシリコン層（第１電極１２）の表面に到達することがなく、ＳｉＮ層がシリコン層の界面に形成されることがなくなる。 - 特許庁

A protective film 7 is formed on the TFT element at the deposition temperature of 200°C or lower by a metal oxide film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon carbide film or an organic-matter film or the laminated film of the organic-matter film and a metallic film.例文帳に追加

そのＴＦＴ素子上に金属酸化物膜、シリコン酸化物膜、シリコン窒化物膜、シリコン炭化物膜、有機物膜あるいは有機物膜と金属膜の積層膜により保護膜７を２００℃以下の成膜温度で形成する。 - 特許庁

Hydroxy ketone can be efficiently dehydrated by using a metal oxide excluding an alkaline earth oxide and an alkaline earth metal oxide, for example, by using a titanium oxide, a titanium oxide-metal oxide composite material, silicon oxide and a silicon oxide-metal oxide composite material as a catalyst.例文帳に追加

アルカリ土属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物を除く金属酸化物、例えば、酸化チタン、酸化チタン−金属酸化物複合物、二酸化ケイ素、二酸化ケイ素−金属酸化物複合物などを触媒として用いることにより、ヒドロキシケトンの脱水を効率的に行うことができる。 - 特許庁

The ceramic-metal composite material having the metal in the pores of the porous ceramic composed of silicon nitride is characterized in that crystal particles of the silicon nitride at the boundary surfaces of the porous ceramic and the metal are bonded to each other via the metal.例文帳に追加

窒化珪素からなる多孔質セラミックスの気孔内に金属を有するセラミックス−金属複合体であって、前記多孔質セラミックスと金属との境界面における窒化珪素の結晶粒子同士が前記金属を介して結合されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a polycrystalline silicon film in which a lightly doped metal layer having a uniform distribution of metal particles is formed on a glass substrate, and in which crystallization of amorphous silicon is accelerated by the metal to fundamentally reduce contamination due to the metal particles while lowering the temperature of crystallization.例文帳に追加

低濃度でかつ均一な金属粒子分布度を持つ金属層をガラス基板上に形成し、この金属により非晶質シリコンの結晶化速度を増大して結晶化温度を低減しながら金属粒子による汚染を根本的に軽減する多結晶シリコン薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method of this invention comprises a process to form a metal layer 34 on a silicon substrate 10, a process to expose the metal layer 34 to plasma, and a process to form a metal silicide layer 38 by performing the heat treatment of the silicon substrate 10 and the metal layer 34.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１０上に金属層３４を形成する工程と、金属層３４をプラズマに晒す工程と、シリコン基板１０と金属層３４とを熱処理し金属シリサイド層３８を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a metal substrate or a substrate provided with a metal film, a copper (Cu) plating film on the metal substrate or the metal film, a barrier film on the Cu plating film, a single-crystal silicon film on the barrier film, and an electrode layer on the single-crystal silicon film.例文帳に追加

金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。 - 特許庁

The shift mask has a region containing a metal silicide produced by coupling a metal and silicon as the main structural element in the substances constituting the single layer film or multilayered film, and at least one of the metal not silicified and silicon not forming a compound with metal elements is incorporated into the aforementioned region.例文帳に追加

前記単層膜若しくは多層膜を構成する物質の内、金属とシリコンの間で結合した金属シリサイドを主要構成要素とする領域中に、シリサイド化されていない金属及び金属元素と化合物になっていないシリコンの少なくとも一方が含有されていることを特徴とする。 - 特許庁

This process for producing bonded silicon carbide comprises the step where one or more silicon metal (plates) of ≥98% purity are intervened between the surface of two or more sintered silicon carbides of 2-10 wt.% free carbon content and the step where the sintered silicon carbides nipping the silicon metal sheets are heated at elevated temperature.例文帳に追加

遊離炭素含有率が２〜１０重量％の２以上の炭化ケイ素焼結体の面間に、純度９８％以上のシリコン金属を該面に接するように挟持させる工程と、シリコン金属を挟持する炭化ケイ素焼結体を高温加熱する加熱工程とを含む炭化ケイ素接合体の製造方法である。 - 特許庁

The metal catalyst support particle is configured such that a catalyst particle consisting of a silver catalyst only or a noble metal excluding a silver catalyst particle and silver is supported on the surface of a silicon carbide particle or a silicon nitride particle, and a crystalline silicon dioxide layer is then created on the surface of the silicon carbide particle or silicon nitride particle by oxidizing the catalyst particle in an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

本発明の金属触媒担持粒子は、炭化ケイ素粒子または窒化ケイ素粒子の表面に、銀触媒粒子のみ、または、銀触媒粒子及び銀を除く貴金属からなる触媒粒子を担持させ、その後、酸化性雰囲気中にて酸化することにより、この炭化ケイ素粒子または窒化ケイ素粒子の表面に、結晶性の酸化ケイ素層を生成した。 - 特許庁

The photonic crystal having a column array structure is made by forming a metal thin film pattern (gold pattern) 25 on the surface of the (111) face single crystal silicon layer 23 on a substance layer (silicon dioxide layer)22 different from silicon in refractive index and growing silicon single crystal columns 26 on a metal thin film pattern formation part in a high- temperature silicon tetrachloride gas atmosphere to form the columns.例文帳に追加

屈折率がシリコンと異なる物質層（二酸化シリコン層）２２上の（１１１）面単結晶シリコン層２３の表面に金属薄膜パターン（金パターン）２５を形成し、高温の四塩化珪素ガス雰囲気中で金属薄膜パターン形成部にシリコン単結晶柱２６を成長させることにより柱状体を形成し、柱状体配列構造を有するフォトニック結晶を作製する。 - 特許庁

When the crystallized silicon layer is formed, a metal catalyst layer 8 and a first amorphous silicon layer 4x are formed on a substrate body 10d and heat-treated to replace the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.例文帳に追加

結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁

A silicon germanium layer 6b is sandwiched between a metal film 6c and a polycrystalline silicon film 6a which constitute a gate electrode 6, a tunnel barrier between the metal film 6c and the silicon germanium layer 6b is relatively reduced, and contact resistance between the metal film 6c and the polycrystalline silicon film 6a is reduced.例文帳に追加

ゲート電極６を構成する金属膜６ｃと多結晶シリコン膜６ａとの間に、シリコンゲルマニウム層６ｂを挟むことにより、金属膜６ｃとシリコンゲルマニウム層６ｂとのトンネル障壁を相対的に低くして、金属膜６ｃと多結晶シリコン膜６ａとの間の接触抵抗を低減する。 - 特許庁

The metal silicate film 8 is formed by forming a silicon oxide film on the silicon substrate by a thermal oxidation method, forming a metal oxide film on this silicon oxide film, and then heating the silicon oxide film and the metal oxide film at 800°C or lower in at least one gas atmosphere of inert gas and nitrogen gas.例文帳に追加

金属シリケート膜８は、シリコン基板上に熱酸化法によってシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜の上に金属酸化膜を形成した後、不活性ガスおよび窒素ガスの少なくとも一方のガス雰囲気下において、８００℃以下の温度でシリコン酸化膜および金属酸化膜を加熱することによって形成される。 - 特許庁

The reflection layer 11 is composed of a multilayer film made of silicon dioxide/metal/silicon dioxide or titanium dioxide/metal/titanium dioxide and, preferably, has transmissivity of 15 to 60%.例文帳に追加

反射層１１は、二酸化珪素／金属／二酸化珪素、又は二酸化チタン／金属／二酸化チタン等の多層膜からなり、好ましくは１５％から６０％の透過率を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal silicon nitride film by a circulating film deposition in a plasma atmosphere using a metal amide, a silicon precursor and a nitrogen source gas as precursors.例文帳に追加

金属アミド、ケイ素前駆体及び窒素源ガスガスを前駆体として用いてプラズマ雰囲気下で循環式膜被着によって金属ケイ素窒化物膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The N_2 gas flow is then stopped to deposit by sputtering a third refractory metal-silicon-nitrogen layer 18 on top of the second refractory metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、Ｎ_2ガスのフローが停止され、第３の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１８が第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上にスパッタ付着される。 - 特許庁

Then, the termination of an OH group on the silicon substrate surface is allowed to react to silazane with a hydrocarbon group containing the metal element, and an organic molecule layer containing the metal element is formed on the silicon substrate surface.例文帳に追加

引き続き、シリコン基板表面のOH基終端と金属元素を含む炭化水素基を有するシラザンとを反応結合させ、シリコン基板表面に金属元素を含む有機分子層を形成する。 - 特許庁

In the method of refining metallic silicon, when a plasma jet is jetted on the molten metal of metallic silicon, gaseous oxygen and gaseous ammonia are added to the molten metal.例文帳に追加

本発明に係る金属シリコンの精製方法は、金属シリコンの溶湯に対してプラズマジェットを噴射する際に、溶湯に酸素ガス及びアンモニアガスを添加することを特徴とする。 - 特許庁

The mixing ratio of at least one of the metallic silicon, the metal zirconium, the metal titanium and the silicon carbide is 1 to 30 wt.%.例文帳に追加

この金属珪素と、金属ジルコニウムと、金属チタンと、炭化珪素の少なくともいずれかの顔料における混合割合は、１〜３０重量％とする。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which help prevent metal contamination of a semiconductor silicon wafer and a semiconductor silicon wafer which is least contaminated with metal.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハの金属汚染防止に資するエッチング液及びエッチング方法並びに金属汚染を大幅に低減した半導体シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

The programmable element is provided with a resistor 7 having a polycrystalline silicon film 10, and a metal silicide film 11 or a metal film laminated on this polycrystalline silicon film.例文帳に追加

プログラマブル素子は、多結晶シリコン膜１０と、この多結晶シリコン膜に積層された金属珪化物膜１１または金属膜とを有する抵抗体７を備えている。 - 特許庁

To provide a silicon wiring board in which excellent insulation can be maintained between metal wiring layers, and adhesion of an insulation layer and the metal wiring layer on a silicon substrate is enhanced.例文帳に追加

金属配線層間の絶縁を良好に維持することが可能で、シリコン基体上の絶縁層と金属配線層との密着性を向上したシリコン配線基板を提供する。 - 特許庁

Then, the flow of N_2 gas is stopped and a third heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer is adhered in the sputtering manner onto the second heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、Ｎ_２ガスのフローが停止され、第３の耐熱金属−ケイ素−窒素の層が第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上にスパッタ付着される。 - 特許庁

Alternatively, the charge block layer 14 is made of silicon oxide or silicon nitride, and the control gate electrode 15 is made of metal or a metal silicide.例文帳に追加

又は、電荷ブロック層１４は、シリコン酸化物又はシリコン酸窒化物により形成し、制御ゲート電極１５は、金属又は金属シリサイドにより形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an MIPS gate structure and prevented in diffusion of silicon from a polycrystalline silicon layer to a metal layer without forming a notch shape on the metal layer.例文帳に追加

金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The nanocarbon material composite 1 consists of silicon oxide particles 2 and nanocarbon fibers 3 formed on the surface of the silicon oxide particles 2 directly or through a metal or metal compound.例文帳に追加

ナノ炭素材料複合体１は、酸化シリコン粒子２と酸化シリコン粒子２の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維３とからなる。 - 特許庁

To provide a technique for producing polycrystalline silicon, with which heavy metal pollution caused by a metal chloride and production of silicon powder are inhibited without lowering productivity.例文帳に追加

生産性を低下させることなく、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制し得る多結晶シリコンの製造技術を提供すること。 - 特許庁

Any of boron, phosphorus and aluminum is incorporated in an amount of 0.1 ppm to 100 ppm into an evaporation material of silicon metal to be evaporated by being irradiated with arc discharge plasma to form an evaporation material of electrical conducting silicon metal.例文帳に追加

アーク放電プラズマを照射させて蒸発させるシリコン金属の蒸着材料に、硼素、燐、アルミニウムのいずれかの元素を０．１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ含有させて導電性のシリコン金属の蒸着材料とする。 - 特許庁

Thus, silicon of a first surface layer is decomposed, and metal impurities contained in the first surface layer are accumulated in a surface layer of the silicon wafer after the decomposition of the first surface layer while maintaining positions of the metal impurities.例文帳に追加

これにより、第１表層のシリコンが分解され、該第１表層に含まれる金属不純物がその位置をほぼ維持したまま第１表層分解後のシリコンウェハ表層に蓄積する。 - 特許庁

This silicone rubber composition (S) contains an inorganic filling material (F) and a ground mineral fiber (M), wherein the inorganic filling material (F) is selected from a metal oxide, silicon oxide, and a silicon-metal-mixed oxide.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の対象は、金属酸化物、及び酸化ケイ素、及びケイ素−金属−混合酸化物から選択される無機充填材（Ｆ）と、粉砕された鉱物繊維（Ｍ）とを含有する、シリコーンゴム組成物（Ｓ）である。 - 特許庁

Since the surface is coated with a silicon nitride coating, adhesion (wettability) of the surface to a metal is lowered and elution of silicon into a molten metal can be reduced.例文帳に追加

表面が窒化珪素の被膜により被覆されているため、表面の金属への付着性（ぬれ性）を低くし、金属溶湯への珪素の溶出を低減することができる。 - 特許庁

The activator particles are obtained by adding the core particles made of silicon or a silicon alloy in alkaline solution of pH7 or higher containing metal in an ionic state, and depositing the metal on the surface of the core particles.例文帳に追加

該活物質粒子は、金属がイオンの状態で存在しているｐＨ７以上のアルカリ性溶液中に、シリコン又はシリコン合金からなるコア粒子を投入して、該コア粒子の表面に前記金属を析出させることで得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a hologram recording material that contains fine particles of an organic group-containing composite metal compound containing silicon and a metal other than silicon, and a photopolymerizable compound, and has excellent uniformity and stability.例文帳に追加

ケイ素とケイ素以外の他の金属とを含む有機基含有複合金属化合物微粒子と、光重合性化合物とを含み、均質性及び安定性に優れるホログラム記録材料を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Then, the silicon substrate 1 after the second process is heat-treated, thus forming a metal silicide layer 9 by allowing the silicon substrate 1 and the gate electrode 4 to react with the metal film 7.例文帳に追加

次に、第２工程後のシリコン基板１を熱処理することで、シリコン基板１およびゲート電極４と金属膜７を反応させて金属シリサイド層９を形成する。 - 特許庁

The joint article includes a porous SiC article and a jointing layer of metal silicon, in which the thickness of an impregnated layer of the metal silicon impregnated in the porous SiC article is ≤50 μm.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体と金属シリコンの接合層とを含む接合体であって、ＳｉＣ多孔体に浸透した金属シリコンの浸透層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする接合体。 - 特許庁

After a gate insulating layer is formed on a silicon substrate, a metal gate substance layer including at least a metal layer is deposited on the silicon substrate on which the gate insulating layer is formed.例文帳に追加

シリコン基板上にゲート絶縁層を形成した後、前記ゲート絶縁層が形成されたシリコン基板上に少なくとも金属層を含む金属ゲート物質層を蒸着する。 - 特許庁

The silicon-containing compound has a composition of 10 to 95 at% silicon, 0 to 60 at% oxygen, 0 to 57 at% nitrogen, and 0 to 35 at% transition metal, and the transition metal is, for example, molybdenum (Mo).例文帳に追加

ここで、珪素含有化合物は、珪素１０〜９５ａｔ％、酸素０〜６０ａｔ％、窒素０〜５７ａｔ％、遷移金属０〜３５ａｔ％、の範囲の組成とされ、遷移金属は例えばモリブデン（Ｍｏ）とされる。 - 特許庁