「SiGe」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p-type dopant can be added to a gate electrode material coated on the layer of silicon or SiGe, and can diffuse toward the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加

ｐ型ドーパントは、シリコン又はSiGe層に被覆するゲート電極材料に付加され得、シリコン又はSiGe層に向かって拡散し得る。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SiGe THIN FILM例文帳に追加

ＳｉＧｅ薄膜の成長方法 - 特許庁

SiGe-ON-INSULATOR SUBSTRATE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＧｅオンインシュレータ基板材料 - 特許庁

The smaller the diffusion coefficient of B in the SiGe layer is the higher the Ge compsn. is.例文帳に追加

SiGe層中のBの拡散係数はGe組成が高いほど小さくなる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING RELAXED SiGe LAYER例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ層の形成方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING RELAXED SiGe LAYER例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ基板の製造方法 - 特許庁

The SiGe layer comprises a polycrystalline Si region and an SiGe base region.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は多結晶Ｓｉ領域及びＳｉＧｅベース領域を含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRAIN RELAXING SiGe SUBSTRATE例文帳に追加

歪み緩和ＳｉＧｅ基板の製造方法 - 特許庁

SiGe CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＳｉＧｅ結晶およびその製造方法 - 特許庁

SiGe DEVICE INCLUDING SiGe-EMBEDDED DUMMY PATTERN FOR REDUCING MICRO LOADING EFFECT例文帳に追加

マイクロローディング効果を軽減するためのＳｉＧｅ埋め込みダミーパターンを備えたＳｉＧｅ装置 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SiGe JUNCTION FOR ADVANCED DEVICE例文帳に追加

最新デバイス用の多結晶ＳｉＧｅ接合 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY USING SiGe MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＧｅ材料を使用する抵抗性メモリー - 特許庁

Preferably, the SiGe layer comprises carbon.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は、炭素を含むことが好ましい。 - 特許庁

The dopant can have its peak concentration within the layer of silicon or SiGe near an interface with the underlying layer of the gate electrolyte material.例文帳に追加

このドーパントは、シリコン又はSiGe層の、下にあるゲート誘電体材料の層との界面近くのシリコン又はSiGe層内でピーク濃度を有し得る。 - 特許庁

A high-power, high frequency (1-100 GHz) power amplifier (18) is made using SiGe transistors.例文帳に追加

大電力・高周波（１〜100ＧHz）の電力増幅器（１８）は、SiGeトランジスタを使用して形成される。 - 特許庁

The layer of silicon or SiGe can be formed in the thickness of about 5 to 120nm, and is doped by a dopant such as, for instance, indium (In) in order to prevent the p-type dopant from passing through the layer of silicon or SiGe.例文帳に追加

シリコン又はSiGeの層は、約5から120ナノメートルの厚みに形成され得、ｐ型ドーパントがシリコン又はSiGe層を通り抜けることを阻止するように、例えば、インジウム(In)などのドーパントでドープされる。 - 特許庁

An SiGe layer is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 having a selection ratio smaller than that of the SiGe layer is formed on the SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層を形成し、ＳｉＧｅ層よりもエッチングの選択比が小さなＳｉ層５をＳｉＧｅ層上に形成する。 - 特許庁

To suppress variations sof Ge concentration in a SiGe film and film thickness of the SiGe film in FET where the SiGe film is used for a channel region.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜をチャネル領域に用いるＦＥＴにおいて、このＳｉＧｅ膜中のＧｅ濃度及びＳｉＧｅ膜の膜厚のばらつきを抑制する。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

An SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 is formed on the SiGe layer 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３上にＳｉ層５を形成する。 - 特許庁

The SiGe film 18 is composed of an SiGe buffer layer 18x, an SiGe gradient composition layer 18a and an upper SiGe layer 18b, with which a Ge content is almost fixed or change in the Ge content is smaller than that of the SiGe gradient composition layer 18a.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜１８は、ＳｉＧｅバッファ層１８ｘと、ＳｉＧｅ傾斜組成層１８ａと、Ｇｅ含有率がほぼ一定又はＧｅ含有率の変化がＳｉＧｅ傾斜組成層１８ａよりも小さいＳｉＧｅ上部層１８ｂとによって構成されている。 - 特許庁

An SiGe layer 10 is grown in the groove 9.例文帳に追加

溝９内にＳｉＧｅ層１０を成長させる。 - 特許庁

To provide an improved SiGe device including an SiGe-embedded dummy pattern which surrounds the SiGe device and is specially designed so as to reduce micro loading effect during epitaxial growth of SiGe.例文帳に追加

ＳｉＧｅ装置を取り囲んで、ＳｉＧｅのエピタキシャル成長時にマイクロローディング効果を軽減できるように特別に設計されたＳｉＧｅ埋め込みダミーパターンを備えた改良されたＳｉＧｅ装置を提供する。 - 特許庁

The photodetecting element comprises an SiGe graded buffer layer 2 of an n-conductivity disposed on an Si layer 1, an i-SiGe layer 3 which is an intrinsic semiconductor absorbing light disposed on the SiGe graded buffer layer, and an SiGe layer 4 of a p-conductivity disposed on the i-SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１上に位置するｎ導電型のＳｉＧｅグレーデッドバッファ層２と、ＳｉＧｅグレーデッドバッファ層上に位置し、光吸収を行なう真性半導体であるｉ-ＳｉＧｅ層３と、そのｉ-ＳｉＧｅ層上に位置するｐ導電型のＳｉＧｅ層４とを備える。 - 特許庁

Subsequently, dry etching of the SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer exposed from the underside of the support material 22 forms a groove h2 which exposes a lateral side of the SiGe layer.例文帳に追加

続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。 - 特許庁

An SiGe layer 9 is selectively grown in the groove 8.例文帳に追加

溝８内にＳｉＧｅ層９を選択成長させる。 - 特許庁

C IMPLANTING FOR IMPROVING YIELD OF SiGe BIPOLAR例文帳に追加

ＳｉＧｅバイポーラの歩留りを向上させるＣ打込み - 特許庁

The first base semiconductor layer 40 is made of SiGe.例文帳に追加

第１ベース半導体層４０はＳｉＧｅ層よりなる。 - 特許庁

An SiGe layer 11 is formed on an Si substrate 1 and an Si layer 13 is formed on the SiGe layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１を形成し、ＳｉＧｅ層１１上にＳｉ層１３を形成する。 - 特許庁

SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer are filmed on an Si substrate 1, and a groove for a support material is formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層を成膜し、支持体用の溝を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiGe heterojunction bipolar transistor which reduces the SiGe base resistance.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース抵抗が低減されるＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

CMOS OF SiGe/SOI AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳｉＧｅ／ＳＯＩのＣＭＯＳおよびその製造方法 - 特許庁

TRENCH CAPACITOR USING SiGe AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ＳｉＧｅを利用したトレンチキャパシタ及びその形成方法 - 特許庁

The transistors Tr_1 and Tr_2, resistors R_1 and R_2, and a constant current source I can be manufactured easily using Si semiconductors and/or SiGe semiconductors.例文帳に追加

トランジスタTr_1,Tr_2,抵抗R_1,R_2,定電流源Iは、Si半導体及び／又はSiGe半導体で容易に作製可能である。 - 特許庁

To control the work function of n+SiGe.例文帳に追加

ｎ^+ＳｉＧｅの仕事関数を制御できるようにする。 - 特許庁

SiGe-ON-INSULATOR SUBSTRATE MATERIAL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＧｅオンインシュレータ基板材料及びその製造方法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR OF SIGE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＳｉＧｅチャンネルのＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SUBSTANTIALLY METASTABLE SiGe LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

実質的に準安定なＳｉＧｅ層とその形成方法 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

The base of the bipolar transistor is made of an SiGe alloy.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのベースはＳｉＧｅ合金で形成される。 - 特許庁

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＧｅヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

Annealing is performed to loosen the distorted SiGe layer.例文帳に追加

この歪みＳｉＧｅ層を緩和するためにアニールを実施する。 - 特許庁

SiGe DIFFERENTIAL CASCODE AMPLIFIER WITH MILLER EFFECT RESONATOR例文帳に追加

ミラー効果共振器を有するＳｉＧｅ差動カスコード増幅器 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR SiGe MIXED-CRYSTAL SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉＧｅ混晶半導体結晶のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

After the insulating layer 20 and the SiGe alloy layer 16 are jointed, the relaxing SiGe alloy layer 12 is completely removed.例文帳に追加

絶縁層２０とＳｉＧｅ合金層１６が接合されたのち緩和ＳｉＧｅ合金層１２を完全に除去する。 - 特許庁