「TANTALUM PENTOXIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

According to the arrangement, direct contact between copper and tantalum pentoxide is prevented.例文帳に追加

かくして、銅と五酸化タンタルが直接接触しない。 - 特許庁

MOM STRUCTURE HAVING LAMINATED STRUCTURE OF COPPER/ TANTALUM NITRIDE/TANTATLUM PENTOXIDE例文帳に追加

銅／窒化タンタル／五酸化タンタルの積載構造を有するＭＯＭ構造 - 特許庁

METHOD FOR FORMING TANTALUM PENTOXIDE LAYER ON CARRIER MATERIAL例文帳に追加

担体材料上に五酸化タンタル層を形成するための方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated circuit capacitor using a tantalum pentoxide layer.例文帳に追加

五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサの製造方法。 - 特許庁

To provide an MOM constitution having laminated structure of copper/ tantalum nitride/tantalum pentoxide.例文帳に追加

銅／窒化タンタル／五酸化タンタルの積載構造を有するＭＯＭ構成を提供することにある。 - 特許庁

After a tantalum pentoxide film 2 is formed on a semiconductor 1, the tantalum pentoxide film 2 is crystallized through heat treatment in non- oxidizing gas atmosphere 5 and then a tantalum pentoxide film 6 is subjected to oxidation treatment in oxidizing atmosphere 8 at a temperature which is lower than a crystallization temperature.例文帳に追加

半導体１上に５酸化タンタル膜２を形成したのち、非酸化性ガス雰囲気５中で熱処理を行って５酸化タンタル膜２を結晶化し、次いで、結晶化温度よりも低い温度において、酸化性雰囲気８中で５酸化タンタル膜６を酸化処理する。 - 特許庁

In the case of operating wavelengths of about 193 nm, the filter coating film mainly consists of tantalum pentoxide.例文帳に追加

約１９３ｎｍの作動波長の場合、フィルタ被膜は主に五酸化タンタルで構成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TANTALUM PENTOXIDE - ALUMINUM OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT UTILIZING THE SAME例文帳に追加

五酸化タンタル−酸化アルミニウム膜の製造方法及びこれを適用した半導体素子 - 特許庁

Accordingly, oxidation of the metal is avoided and a high quality tantalum pentoxide is produced.例文帳に追加

これによって、金属の酸化が防止され、高品質の五酸化タンタルが形成される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT CAPACITOR USING TANTALUM PENTOXIDE LAYER例文帳に追加

五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法 - 特許庁

A tantalum pentoxide film is formed in two-stage constitution and a tantalum pentoxide grain having an average grain size larger than that of the grain of granular silicone is formed by lowering crystallizing heat treatment temperature to control the thickness of an interface SiON film.例文帳に追加

五酸化タンタル膜の二段階形成と、結晶化熱処理温度の低温化によって粒状シリコン結晶粒の平均粒径よりも大きい五酸化タンタル結晶粒を形成することと、界面ＳｉＯＮ膜厚制御を行う。 - 特許庁

The step 48 for forming the tantalum pentoxide layer preferably includes chemical vapor deposition of the tantalum pentoxide at a temperature below about 500°C.例文帳に追加

五酸化タンタル層を形成するステップ４８は、好ましくは、五酸化タンタルを、約５００℃より低い温度にて、化学蒸着することによって行なわれる。 - 特許庁

This method includes a process providing a layer (a layer 108 in figures 1a-1d) which covers a substrate (a substrate 104 in figures 1a-1d), has an upper surface and contains tantalum pentoxide; and a process forming the structure containing tantalum and nitrogen by nitriding the upper surface of the layer of tantalum pentoxide.例文帳に追加

本方法は、基板（図１ａ−１ｄの基板１０４）を覆って、上部表面を有する五酸化タンタルを含む層（図１ａ−１ｄの層１０８）を提供する工程、および五酸化タンタルの層の上部表面を窒化して、タンタルおよび窒素を含む構造を形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a metal tantalum nanosheet with a high specific surface area utilizing a metal tantalum nanosheet obtained by reducing a tantalum pentoxide nanosheet obtained by a fluidized interfacial sol-gel process.例文帳に追加

流動界面ゾル−ゲル法により得られる五酸化タンタルナノシートを還元して得られる金属タンタルナノシートを利用し、高比表面積の金属タンタルナノシートを提供する。 - 特許庁

Adjacent oxide layers 104 are separated by an insulating separation layer 106 made of tantalum pentoxide.例文帳に追加

また、隣り合う酸化物層１０４の間が、五酸化タンタルからなる絶縁分離層１０６により素子分離されている。 - 特許庁

A metal-oxide-metal(MOM) capacitor of an integrated circuit is provided with a first electrode, a tantalum pentoxide layer formed on the first electrode, a first barrier layer formed on the tantalum pentoxide layer, and a second copper electrode formed on the first barrier layer.例文帳に追加

本発明は、第１の電極と、第１の電極上に形成した五酸化タンタル層と、五酸化タンタル層上に形成した第１の障壁層と、第１の障壁層上に形成した第２の銅電極とを具備する、集積回路の金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）コンデンサを提供する。 - 特許庁

In the Faraday rotator 4, a first periodic dielectrics multiplayer film 3a consisting of silicon dioxide SiO_2 and tantalum pentoxide Ta_2O_5 is formed on a substrate 1, a magneto-optical thin film 7 is formed thereon and further a second periodic dielectrics multiplayer film 3b consisting of tantalum pentoxide Ta_2O_5 and silicon dioxide SiO_2 is formed thereon.例文帳に追加

ファラデー回転子４は、基板１の上に二酸化ケイ素SiO_2と五酸化タンタルTa_2O_5とからなる第１の周期的誘電体多層膜３ａが形成され、その上には磁気光学薄膜７が形成され、さらにその上に五酸化タンタルTa_2O_5と二酸化ケイ素SiO_2とからなる第２の周期的誘電体多層膜３ｂとが形成されている。 - 特許庁

The inventive method comprises a step for forming a first electrode 110 on a semiconductor wafer, a step for forming a layer 120 of tantalum pentoxide on the first electrode 110, a step for forming a first barrier layer 130 on the layer 120 of tantalum pentoxide, and a step for forming a second electrode 140 containing copper on the first barrier layer 130.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体ウエハ上に第１電極１１０を形成するステップと、前記第１電極１１０の上に五酸化タンタル製の層１２０を形成するステップと、前記五酸化タンタル製の層１２０の上に第１バリア層１３０を形成するステップと、前記第１バリア層１３０の上に銅を含有する第２電極１４０を形成するステップとを有する製造方法である。 - 特許庁

The infrared reflecting film 24 is constituted of a lamination film made of a high refraction layer 241 consisting of titanium oxide TiO_2 (or tantalum pentoxide Ta_2O_5) and a low refraction layer 242 consisting of silica SiO_2.例文帳に追加

赤外線反射膜２４は、酸化チタンＴｉＯ_２（又は五酸化タンタルＴａ_２Ｏ_５）からなる高屈折層２４１とシリカＳｉＯ_２からなる低屈折層２４２の積層膜で構成されている。 - 特許庁

To restrain increase of EOT(Equivalent Oxide Thickness) involved in treatment process for improving film quality of a tantalum pentoxide film and prevent generation of plasma damage.例文帳に追加

５酸化タンタル膜の製造方法に関し、５酸化タンタル膜の膜質向上のための処理工程に伴う酸化膜容量換算膜厚ＥＯＴの増加を抑制するとともに、プラズマダメージの発生を防止する。 - 特許庁

A layer (A) of which main component is SiOx (1≤x≤2) is formed on a molding composed of a polymer resin containing an alicyclic structure, and then a layer (B) of which main component is tantalum pentoxide is further formed on its surface.例文帳に追加

脂環式構造含有重合体樹脂からなる成形体上に、ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）を主成分とする層（Ａ）を形成し、さらにその上に五酸化タンタルを主成分とする層（Ｂ）を形成する。 - 特許庁

The birefringence plate 1 is provided with a birefringent vapor- deposited film 3 formed by obliquely vapor depositing tantalum pentoxide and an impregnated layer 4 composed of polydiacetylene impregnated in gaps 3a of the columnar structure, polymerized and hardened.例文帳に追加

複屈折板１は、五酸化タンタルを斜め蒸着することにより形成した複屈折作用を有する蒸着膜３と、この柱状組織構造の隙間３ａに含浸させて重合硬化させたポリジアセチレンからなる含浸層４とを備えている。 - 特許庁

In the birefringent plate 1, a substrate film 3 consisting of a vacuum deposition film, an oblique vapor deposition film 4 consisting of a metal oxide film of, e.g. tantalum pentoxide (Ta2O5) to which double refractivity is imparted by an oblique vapor deposition method, and an antireflection coating 5 are formed on the surface of a transparent glass substrate 2 in this order.例文帳に追加

複屈折板１では、透明なガラスの基板２の表面に、真空蒸着膜からなる下地膜３、斜め蒸着法により複屈折性が付与された五酸化タンタル（Ｔａ__2Ｏ_5）等の金属酸化膜からなる斜め蒸着膜４、および反射防止膜５がこの順に形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing tantalum pentoxide which is stable thermodynamically, has a good quality, and can be fabricated into an integrated circuit; and to provide a method for manufacturing a high-elastic dielectric which has a resistance to a mechanical stress and an excellent core-forming quality.例文帳に追加

熱力学的に安定で品質の良い、集積回路に組込み可能な五酸化タンタルを低温で製造する方法、および機械的応力に耐性があり、核形成品質に優れた高弾性誘電体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Then, a tantalum pentoxide film of a monolayer that is an ink resistant film 75 as a liquid resistant film is formed at a part of a second ink contacting part as the wetted part of a sealing substrate 30 as the substrate by reaction of an oxygen radical and a penta-ethoxy-tantalum film formed at a part of the second ink contacting part of the sealing substrate 30.例文帳に追加

また、酸素ラジカルと基板としての封止基板３０の接液部としての第２接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に液耐性膜としてのインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

The precipitate for a sputtering target is obtained by providing at least the surface of the particle of an element and/or a compound composing a sputtering target with at least one oxide selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, zinc oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, indium oxide, stannic oxide, lanthanum oxide, tantalum pentoxide and lead monoxide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを構成する元素および／または化合物の少なくとも粒子の表面に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化ランタン、五酸化タンタルおよび一酸化鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を有することを特徴とするスパッタリングターゲット用沈殿物とする。 - 特許庁