「Vpe」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The voltage Vrgb applied to the potential wiring Ui is controlled, based on the potential difference between the input-end potential vp and terminal potential Vpe of power supply wiring PS in the voltage control circuit.例文帳に追加

電圧制御回路で、この電位配線Ｕｉに与える電圧Ｖｒｇｂを電源配線ＰＳの入力端電位Ｖｐと末端電位Ｖｐｅとの電位差を基に制御する。 - 特許庁

A data measurement device 20a measures presence or absence of the supply of AC power to the rectifier 10a, and measures a supply voltage Vdc, a supply current Idc, and a tube-to-ground electrical potential Vpe, at a prescribed time interval.例文帳に追加

データ計測装置２０ａは，整流器１０ａへの交流電力の供給の有無を計測するとともに，通電電圧Ｖｄｃ，通電電流Ｉｄｃ，および管対地電位Ｖｐｅを所定の時間間隔で計測する。 - 特許庁

As a result of this control, the lower the potential Vpe becomes due to the potential drop of the power supply wiring SP, the voltage Vrgb closer to the the power supply voltage Vp is obtained.例文帳に追加

この制御により、電源配線ＳＰの電位ドロップにより電位Ｖｐｅが低くなる程、電源電圧Ｖｐに近づく電圧Ｖｒｇｂを得る。 - 特許庁

Furthermore, since the potential Vpe becomes high, if white display is made with dark video for the background, the voltage Vrgb becomes low, and peak luminance characteristic is obtained where the luminance of the white pixels becomes high.例文帳に追加

また、背景が暗い映像で白表示をすれば電位Ｖｐｅが高くなるので、電圧Ｖｒｇｂが低くなり、白画素の輝度が高くなるピーク輝度特性が得られる。 - 特許庁

Accordingly, in an image of full-surface white display, since the voltage Vpe becomes low, the voltage Vrgb becomes high, and a display device 1 where the luminance of each pixel lowers is obtained.例文帳に追加

この結果、全面白表示の画像では、電位Ｖｐｅが低くなるので電圧Ｖｒｇｂが高くなり、各画素の輝度が低下する表示装置１が得られる。 - 特許庁

When the boosting power source VPP is lowered to the prescribed voltage or less by current consumption of the load circuit, an activation signal VPE outputted from a voltage detecting section 21 is made 'H', and given to an oscillation section 22 and an AND 23.例文帳に追加

負荷回路の消費電流によって、昇圧電源ＶＰＰが所定電圧以下に低下すると、電圧検知部２１から出力される活性化信号ＶＰＥが“Ｈ”となり、発振部２２及びＡＮＤ２３に与えられる。 - 特許庁

As a result, those crosstalks cancel each other out, and a potential variation caused by the crosstalk of a liquid crystal drive voltage VPE(1') of each of a plurality of pixels of a lowermost line in a divided pixel region adjacent to respective pixels of an uppermost line of the adjacent divided pixel region becomes nearly 0 as shown by a dotted line in (H).例文帳に追加

その結果、それらのクロストークが相殺され、隣接分割画素部の最上段のラインの各画素に隣接する分割画素部内の最下段のラインの複数の各画素の液晶駆動電圧ＶＰＥ(1')は、（Ｈ）に点線で示すように、クロストークによる電位変動はほぼ０となる。 - 特許庁

The data measurement device 20a obtains respective mean values, the maximum values, and the times at which the measurements are performed, for the supply voltage Vdc, the supply current Idc, and the tube-to-ground electrical potential Vpe, obtains the minimum values and the times at which the measurements are performed, and provides them to a data reading computer 21.例文帳に追加

そして，データ計測装置２０ａは，通電電圧Ｖｄｃ，通電電流Ｉｄｃ，および管対地電位Ｖｐｅのそれぞれの平均値，最大値およびその計測時刻，ならびに最小値およびその計測時刻を求め，データ読み取りコンピュータ２１に与える。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27.例文帳に追加

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A ZnO film 2 of a prescribed thickness is deposited on the surface of the primary seed crystal 21 by a vapor phase growth process (VPE) for the purpose of preventing the influence of the crystal defect regions, by which the arrival of the crystal defect regions at the surface of the ZnO film 2 is prevented.例文帳に追加

この結晶欠陥領域の影響を防止するために気相成長法（ＶＰＥ）によって、１次種結晶２１の表面に所定厚さのＺｎＯ膜２を成膜し、結晶欠陥領域がＺｎＯ膜２の表面まで到達しないようにする。 - 特許庁

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。 - 特許庁

The step in which the VPE waveguide material structure is handled by one or more steps selected from the group consisting of a post- thermal annealing step and an additional reversed proton-exchange step to complete the fabrication of the waveguide, by which the refractive index profile of the fabricated waveguide can be flexibly optimized.例文帳に追加

ＶＰＥ導波路材構造が、ポストアニーリング工程及び付加的な反転陽子交換工程からなるグループから選択される一つ又はそれ以上工程により取扱うことで導波路の製造を完了させ、これによって製造された導波路の屈折率プロフィルは柔軟に最適化することが可能な工程。 - 特許庁

A hydride VPE system has a cylindrical reactor 1 and a heating body 2 provided on its outer circumference, a susceptor 4 for placing a substrate 3 is provided inside the reactor 1 and a supply passage of each of ammonia and hydrogen chloride is provided at the upstream side of the susceptor 4 to introduce respective gases through a group V gas introducing pipe 5 and a group III gas introducing pipe 6.例文帳に追加

本発明のハイドライドＶＰＥ装置は、円筒形の反応管１と、その外周に設けられた加熱体２を持ち、反応管１の内部に基板３を載置するサセプタ４が設けられ、サセプタ４の上流には、アンモニアおよび塩化水素の供給経路が設けられ、それぞれのガスがＶ族ガス導入管５およびIII族ガス導入管６を通じて反応管１内に導入される構成である。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa.例文帳に追加

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。 - 特許庁