「Wheatstone's bridge」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An occupant weight sensor 1 (32) to be arranged between a flame 7 attached in a chassis and a second frame 8 for supporting a vehicle seat has a detection element 2 to which piezo resistors R1, R2, R3 and R4 interconnected electrically in a Wheatstone bridge constitution.例文帳に追加

車台に取り付けたフレーム７と車両シートを支持する第２フレーム８との間に配置させるための乗員重量センサ１（３２）は、ホイートストーン・ブリッジ構成で電気的に接続されたピエゾ抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が取り付けられた検知素子２を有する。 - 特許庁

Additionally, in order to obtain a smaller the absolute value for the output voltage between C and D, when input voltage is applied between A and B, when all the load cells are no-load, a zero balance adjustment resistor 183 or a second adjustment resistor is also prepared in the Wheatstone bridge circuit.例文帳に追加

また、全てのロードセルが無荷重である場合の、入力電圧がＡＢ間に印加された際のＣＤ間の出力電圧の絶対値が最小となるべく第２の調整用抵抗である零バランス調整抵抗１８３もこのホイートストンブリッジ回路中に設けられる。 - 特許庁

To reduce complexity in a typical Wheatstone bridge sensor, using a single square silicon (SSS) sensor, to reduce an on-chip voltage by enhancing pressure sensitivity to reduce average electric power use, and to reduce a temperature gradient between a pressure measured value and a temperature measured value.例文帳に追加

単一方形シリコン（ＳＳＳ）センサを使用し、典型的なホイートストンブリッジセンサの複雑さを低減すること、圧力感度を高めてオンチップ電圧を減少し、平均電力使用を低減すること、および圧力測定値と温度測定値との間の温度勾配を低減することができる。 - 特許庁

This high temperature distortion measuring instrument measures the distortion using the Wheatstone bridge circuit, and comprises a measuring apparatus for individually measuring resistances of two resistors built in a high temperature sensor part and a resistance change rate converter for calculating a resistance charge rate using a conversion value from the resistances.例文帳に追加

ホイーストンブリッジ回路にてひずみを計測する装置であって、高温センサー部に組み込まれた２つの抵抗体の抵抗値を個別に測定する測定器を有するとともに、該抵抗値からの換算値を用いて、抵抗変化率を計算する抵抗変化率換算器を有することを特徴とする高温ひずみ計測装置。 - 特許庁

Another embodiment includes an electromagnetic sensor array having a plurality of MR sensors arranged in an array configuration, where each MR sensor includes a plurality of MR elements forming a Wheatstone bridge circuit, and where each MR sensor is adapted to produce a time-varying output voltage in response to a time-varying external magnetic field.例文帳に追加

別の実施例は、複数のＭＲセンサがアレイの構成で配置された電磁センサアレイを含み、各ＭＲセンサは、ホイートストンブリッジ回路を形成する複数のＭＲ素子を含み、各ＭＲセンサは、経時変化する外部磁場に応答して経時変化出力電圧を発生させるように適合される。 - 特許庁

The gate of MOSFET 101 wherein an ion detecting resistor 102 is connected across a gate and a source is connected to at least one of a pair of electrodes 11 and 12 to which voltage is applied by a DC power supply 109, for example, the electrode 11 and a Wheatstone bridge is constituted of the ion detecting resistor 102 between the drain and the source and other resistors 105, 106 and 104A.例文帳に追加

直流電源１０９により電圧が印加された一対の電極１１，１２のうちの少なくとも一方の電極、例えば電極１１に、ゲート−ソース間にイオン検出用抵抗１０２が接続されたＭＯＳＦＥＴ１０１のゲートを接続すると共に、そのドレイン−ソース間抵抗と、他の抵抗１０５，１０６，１０４Ａとによりホイートストンブリッジを構成する。 - 特許庁

In order to obtain a smaller variations for temperature change of load cell for output voltage between C and D when input voltage is applied between A and B in a case where all load cells are no-load, a temperature compensating resistor 182 or a first adjustment resistor is prepared in a Wheatstone bridge circuit corresponding to a load cell 10.例文帳に追加

全てのロードセルが無荷重である場合の、入力電圧がＡＢ間に印加された際のＣＤ間の出力電圧のロードセルの温度変化に際しての変動が小さくなるべく第１の調整用抵抗である温度補償抵抗１８２がロードセル１０に対応するホイートストンブリッジ回路中に設けられる。 - 特許庁