| 例文 (11件) |
between-lot variationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
According to this method, the tendency of sizes of level differences d of respective wafers included in one lot can be canceled, whereby the variation between wafers can be suppressed.例文帳に追加
このことによって、１つのロットに含まれる各ウェハの段差ｄの大小の傾向を相殺でき、ウェハ間のばらつきを抑制することが出来る。 - 特許庁
Thereafter, the variation of the light exposure and focal point of an exposure apparatus and the changing direction of the focal point between the step of preparing the data and the step of exposing the lot in the step are estimated (SA5), and the light exposure and the focal point of the exposure apparatus for a next lot are adjusted appropriately based on the estimated variation and direction (SA6).例文帳に追加
そして、前述のデータを作成する工程とそのロットの露光工程との間の、露光装置の露光量の変化量、焦点位置の変化量、および、焦点位置の変化方向を推定する（ＳＡ５）ことにより、次のロットの露光装置の露光量および焦点位置を適切に調整する（ＳＡ６）。 - 特許庁
To provide a cleaning method for plasma etching equipment that can control variation in width between interconnections among wafers in a lot and improve throughput in a cleaning step.例文帳に追加
ロット内のウェハ間において配線間幅のばらつきを抑制するとともに、クリーニング工程におけるスループットを向上させることができるプラズマエッチング装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁
To provide polypropylene for an electric material with high level of electric insulating property, the variation range of which is suppressed to substantially zero between production lots or within a production lot.例文帳に追加
高いレベルの電気絶縁特性を、生産ロット間あるいはロット内での変動幅を実質的にゼロに抑えた電気材料用ポリプロピレンを提供すること。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device and the manufacturing device for the semiconductor device for suppressing the variation of level differences between respective wafers included in one lot more simply.例文帳に追加
１つのロットに含まれる各ウェハ間の段差のばらつきをより簡便に抑制するための、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide polypropylene for an electric material with high level of electric insulating property, the variation range of which is suppressed to substantially zero between production lots or within a production lot.例文帳に追加
高いレベルの電気絶縁特性を、生産ロット間あるいはロット内での変動幅を実質的にゼロに抑えたポリプロピレンを提供すること。 - 特許庁
To provide a method of adjusting a secondary battery voltage for absorbing a variation in the internal resistance between the secondary batteries in the same lot, and for shortening time for setting the voltage to the target voltage of the secondary battery.例文帳に追加
同一ロット内の二次電池間の内部抵抗のばらつきを吸収するとともに、二次電池のターゲット電圧に設定する時間を短縮することが可能な二次電池の電圧調整方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an image display device capable of correcting a variation in wiring resistance of a power source line between image display devices manufactured within the same lot.例文帳に追加
同じロット内で製造される画像表示装置間の電源線の配線抵抗のばらつきを補正することができる画像表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a Bi_12XO_20 powder having such an average particle diameter as to substantially avoid aggregation, while suppressing compositional variation between production lots and within the same production lot.例文帳に追加
凝集しにくい平均粒子径を有するＢｉ_12ＸＯ_20粉末を製造ロット間および同一製造ロット内の組成ばらつきを抑制して製造する。 - 特許庁
At the same time, a lot diameter variation that is a diameter difference between the greatest cylindrical roller and least cylindrical roller in the outside diameter of the cylindrical surface portion 11 of the above cylindrical rollers is 0.2 μm or less.例文帳に追加
これと共に、上記複数の円筒ころ７のうち、上記円筒面部１１の外径が最も大きい円筒ころと同じく最も小さい円筒ころとの当該外径の差である外径相互差を、０．２μｍ以下とする。 - 特許庁
To obtain a process for producing a semiconductor product in which variation in the pattern dimensions incident to resist regeneration processing can be reduced, finishing dimensions of a transfer pattern can be brought close to target dimensions in a lithography process, and dimensional variation of semiconductor devices is suppressed between lots or within a lot in production.例文帳に追加
半導体製品の製造方法に関し、レジスト再生処理を経ることで生じるパターン寸法変動の低減を可能にし、リソグラフィ工程に於ける転写パターンの完成寸法を本来の目的寸法に近付け，また、ロット間或いはロット内に於ける半導体装置毎の寸法ばらつきを小さくする。 - 特許庁
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