「cladding layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes at least an n-type cladding layer 2, an active layer 4, a p-type cladding layer 6, and a p-type contact layer 8 stacked in this order on a substrate 1, and further includes a ridge portion 6a including the p-type cladding layer and the p-type contact layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。 - 特許庁

At least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 has compressive strain to the semiconductor substrate 101, and further, at least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 comprises a semiconductor layer 106 having tensile strain to the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して圧縮性の歪を有し、且つ、第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して引張性の歪を有する半導体層(106)を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes an n-type cladding layer 13, an active layer 14, a p-type cladding layer 15 containing AlGaInP, an intermediate layer 16, and a p-side contact layer 17 containing GaP, sequentially in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３、活性層１４、ＡｌＧａＩｎＰを含むｐ型クラッド層１５、中間層１６およびＧａＰを含むｐ側コンタクト層１７をこの順で備えている。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a lower cladding layer 32, an active layer 33, an upper cladding layer 34, and a contact layer 35 are formed on an opening 20A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。 - 特許庁

A spacer layer 14 is provided between an n-type cladding layer 12 (n-type graded layer 13) and an active layer 16 (guide layer 15).例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２（ｎ型グレーデッド層１３）と活性層１６（ガイド層１５）との間に、スペーサ層１４が設けられている。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁

In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.例文帳に追加

第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁

The optical waveguide includes a core layer and a cladding layer, wherein the core layer or the cladding layer is formed using a composition that contains a compound having a cage structure.例文帳に追加

コア層とクラッド層とを有する光導波路であって、該コア層または該クラッド層がカゴ型構造を有する化合物を含む組成物を用いて形成される光導波路。 - 特許庁

A groove 14 is formed in a p-type InP cladding layer 12 (a first semiconductor layer).例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）に溝１４を形成する。 - 特許庁

Each layer of a group-III nitride semiconductor light-emitting element is made of a group-III nitride semiconductor, and the group-III nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type-layer-side cladding layer 103, a light-emitting layer 104, and a p-type-layer-side cladding layer 106.例文帳に追加

各層がIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

An n-type first cladding layer 3, a first guide layer 4, a first enhancing layer 5, an active layer 6, a second enhancing layer 7, a second guide layer 8, and a p-type second cladding layer 9 are sequentially stacked on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型の第１クラッド層３、第１ガイド層４、第１エンハンス層５、活性層６、第２エンハンス層７、第２ガイド層８、ｐ型の第２クラッド層９が順次積層されている。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁

A plurality of optical waveguides 102 aligned with intervals in between are arranged on a lower cladding layer 101, and an upper cladding layer 103 is arranged on the plurality of optical waveguides 102 and the lower cladding layer 101.例文帳に追加

下部クラッド層１０１上に間隙を介して並ぶ複数の光導波路１０２を設け、複数の光導波路１０２および下部クラッド層１０１上に上部クラッド層１０３を設ける。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes a substrate 10, a first cladding layer 12 provided on the substrate 10, a multiquantum well layer 14 provided on the first cladding layer 12, a second cladding layer 16 provided on the multiquantum well layer 14, and a frost-processed layer 30 provided on the second cladding layer 16 and formed of an AlInGaP layer.例文帳に追加

基板１０と、基板１０上に配置された第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に配置された多重量子井戸層１４と、多重量子井戸層１４上に配置された第２クラッド層１６と、第２クラッド層１６上に配置され、ＡｌＩｎＧａＰ層で形成されたフロスト処理層３０とを備える半導体発光素子。 - 特許庁

The first cladding layer 3 having an adjusted grating constant is used as a foundation layer of the active layer 4.例文帳に追加

活性層４の下地層として、格子定数が調整された第１のクラッド層３が用いられている。 - 特許庁

METHOD FOR MULTI-LAYER CLADDING BY WELDING FOR HIGH HARDNESS METAL OF CAST IRON BASE MATERIAL例文帳に追加

鋳鉄母材の高硬度金属多層肉盛溶接方法 - 特許庁

The first coating is additionally provided with an index of refraction greater than the cladding layer to enable mode or energy striping from the cladding layer.例文帳に追加

さらに第１の被覆はクラッド層よりも大きな屈折率を付与されてクラッド層からのモードあるいはエネルギーストリッピングを可能にする。 - 特許庁

After cores 2 are formed on top surfaces of the under-cladding layers 1 and dummy under-cladding layers D, a photosensitive resin for over-cladding layer formation is applied all over the surface.例文帳に追加

ついで、アンダークラッド層１およびダミーアンダークラッド層Ｄの上面にコア２を形成した後、オーバークラッド層形成用の感光性樹脂を一面に塗布する。 - 特許庁

To provide a device for measuring a cladding rate more suitable for measuring objectively and quantitatively the cladding rate of a cladding layer formed on the surface of a core material.例文帳に追加

芯材の表面に形成されたクラッド層のクラッド率を客観的かつ定量的に測定するのにより好適なクラッド率測定装置を実現する。 - 特許庁

A diffraction grating 36 is formed along an interface between the SCH layer 52 and the cladding layer 16.例文帳に追加

ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、回折格子３６が設けられている。 - 特許庁

In addition, the p-type cladding layer 26 is composed of at least two layers where the composition is mutually different in a layer thickness direction, and a first p-type cladding layer 20 positioned near the active layer 17 has a lower refractive index than a second p-type cladding layer 21.例文帳に追加

さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。 - 特許庁

The flexible optical waveguide includes a lower cladding layer, a core layer and an upper cladding layer successively formed on the substrate, and the surface of the substrate of forming the lower cladding layer thereon has an arithmetic average roughness Ra of 0.03 μm or more.例文帳に追加

フレキシブル光導波路は、基板上に順次形成された下部クラッド層、コア層および上部クラッド層を有しており、下部クラッド層を形成する基板の表面の算術平均粗さＲａが０．０３μｍ以上である。 - 特許庁

A two-layer structure is provided to, for example, one cladding layer 4 of two cladding layers 3, 4 so stacked that a core layer 2 as an optical waveguide on which reference light B1 is made incident is held between these, and a hologram pattern is formed between the two layers of the cladding layer 4.例文帳に追加

参照光Ｂ１が入射される光導波路としてのコア層２を挟むようにして積層される２つのクラッド層３，４のうち、例えば一方のクラッド層４を二層としてこれらの間にホログラムパターンを形成する。 - 特許庁

The active layer 12 is an active layer 12 of a multi-quantum well structure including a plurality of well layers 34_1 to 34_M and a plurality of barrier layers 32_1 to 32_N, and is provided between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer.例文帳に追加

活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層とを含む多重量子井戸構造の活性層であり、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に設けられている。 - 特許庁

The refractive index in a region of the p-type cladding layer 8 closer to the active layer 5 is lower than the refractive index in another region of the p-type cladding layer 8 opposite to the active layer 5.例文帳に追加

そして、ｐ型クラッド層８内の活性層５側の領域の屈折率がｐ型クラッド層８内の活性層５側とは反対側の領域の屈折率よりも低くなっている。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 including an n-type cladding layer 13B, an active layer 14, and a p-type cladding layer 15B, which are stacked in order on a substrate 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁

The second cladding layer 116 includes a stripe-shaped ridge portion 116a.例文帳に追加

第２のクラッド層１１６は、ストライプ状のリッジ部１１６ａ有している。 - 特許庁

The laminated structure 170 on a semiconductor substrate 100 is provided with a lower cladding layer 103, an active layer 106, and upper cladding layers 108 and 110.例文帳に追加

半導体基板１００上の積層構造１７０は、下クラッド層１０３、活性層１０６、および上クラッド層１０８，１１０を備える。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR FORMING CLADDING LAYER, RESIN FILM FOR FORMING CLADDING LAYER USING THE SAME, AND OPTICAL WAVEGUIDE AND OPTICAL MODULE USING THESE例文帳に追加

クラッド層形成用樹脂組成物およびこれを用いたクラッド層形成用樹脂フィルム、これらを用いた光導波路ならびに光モジュール - 特許庁

The equipment is provided with a first conductive cladding layer, an active layer, and a second conductive cladding layer formed on a substrate; and has stripe structure for injecting a carrier.例文帳に追加

基板上に形成された、第１の導電型クラッド層と、活性層と、第２の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

A p-type cladding layer 110 is formed on the current-blocking layer 108 and the p-side optical confinement layer 107.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１１０は電流ブロック層１０８及びｐ側光閉じ込め層１０７の上に形成される。 - 特許庁

Then, the mixture layer 5A is exposed, whereby the exposed mixture layer 5A is formed in a third cladding layer 5.例文帳に追加

そして、上記混合層５Ａを露光し、その露光された混合層５Ａを第３のクラッド層５に形成する。 - 特許庁

A cladding layer 16 is formed on the upper surface of the SCH layer 52 located at an uppermost position.例文帳に追加

最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面にはクラッド層１６が設けられている。 - 特許庁

To increase an interlayer adhesion force between a lower cladding layer and a core layer without performing plasma treatment.例文帳に追加

プラズマ処理をすることなく下部クラッド層とコア層との層間密着力を高めること。 - 特許庁

An etching mask 9 is formed at one part of the cap layer 8, and a part to the third cladding layer 7 is removed.例文帳に追加

キャップ層８の一部にエッチングマスク９を形成し、第三クラッド層７まで除去する。 - 特許庁

A refractive index n_1 in the cladding layer 18 is smaller than a refractive index n_2 in the diffraction lattice layer GL.例文帳に追加

クラッド層１８の屈折率ｎ_１は、回折格子層ＧＬの屈折率ｎ_２よりも小さい。 - 特許庁

The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.例文帳に追加

第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device, a first cladding layer 112, an active layer 113, a second cladding layer 114, and a contact layer 117 are formed on a substrate, and a quantum well hetero barrier layer 116 having a contact barrier layer 116b and a contact well layer 116w is formed between the second cladding layer 114 and the contact layer 117.例文帳に追加

基板上に、第１クラッド層１１２と、活性層１１３と、第２クラッド層１１４と、コンタクト層１１７とが形成された半導体発光素子であって、第２クラッド層１１４とコンタクト層１１７との間に、コンタクトバリア層１１６ｂとコンタクトウェル層１１６ｗとを有する量子井戸へテロバリア層１１６が形成されている。 - 特許庁

The optical waveguide 10 is constituted, by laminating a cladding layer 11, a core layer 13 and a cladding layer 12 in this order from the lower side, and the core layer 13 has a core part 14 and two side face cladding parts 15 which interpose the core part 14 from the side.例文帳に追加

光導波路１０は、下側からクラッド層１１、コア層１３およびクラッド層１２をこの順に積層してなるものであり、コア層１３には、コア部１４と、コア部１４を側方から挟む２つの側面クラッド部１５とが形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor LD epitaxial structure 1 constituted by laminating thin film crystals of multi layers containing an N cladding layer 4, an active layer 5 and a P cladding layer 6 on a substrate 2, a thin film of the N cladding layer 4 is carried out in 500 nm or more, 1,000 nm or less.例文帳に追加

基板２上に、Ｎクラッド層４、活性層５、Ｐクラッド層６を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体ＬＤエピ構造１において、Ｎクラッド層４を５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満に薄膜化したものである。 - 特許庁

The waveguide device is characterized in that there are successively laminated on a substrate 201 a first electrode (lower electrode 202), a first cladding layer (lower cladding layer 203), a waveguide 204, a second cladding layer (upper cladding layer 205), and a second electrode (upper electrode 206), and that at least the second cladding layer 205 is configured to contain an organic compound having a conjugate structure.例文帳に追加

基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）が順次積層され、少なくとも第２クラッド層２０５が、共役構造を有する有機化合物を含有して構成されていることを特徴とする導波路デバイスである。 - 特許庁

An epitaxy structure (200) established on the surface of a substrate (100) includes, from bottom to top, a bottom cladding layer (210), a bottom waveguide layer (220), a light-emitting layer (230), an upper waveguide layer (240), an upper cladding layer (250), and an electrode contact layer (260).例文帳に追加

基板(100)表面に構築されたエピタキシー構造体(200)は、下部クラッド層(210)、下部導光層(220)、発光層(230)、上部導光層(240)、上部クラッド層(250)および電極接触層(260)を含み、これらの層は下から上に積み上げられる。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element has a structure in which an n-type contact layer 11, an ESD layer 12, an n-type cladding layer 13, a light-emitting layer 14, a p-type cladding layer 15, and a p-type contact layer 16 are stacked on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。 - 特許庁