「cladding layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A mold 20 for forming an over-cladding layer is made by molding with a model 40 with a projection 41 of identical shape with the over-cladding layer and a projected rim 42 formed around the projection 41, using a translucent resin 20A as a forming material.例文帳に追加

オーバークラッド層形成用の成形型２０を、透光性樹脂２０Ａを形成材料とし、オーバークラッド層の形状と同一形状の突起部分４１と、その突起部分４１の周囲に形成された突条部分４２とを有する型部材４０を用いて型成形することにより作製する。 - 特許庁

In a light emitting diode 1, a light transmitting layer 3, a p-type AlGaAs active layer 4, and an n-type AlGaAs cladding layer 5 are epitaxially grown and sequentially formed on a p-type GaAs semiconductor substrate 2.例文帳に追加

発光ダイオード１において，ｐ型ＧａＡｓの半導体基板２の上に，透過層３，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４，ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５が順次エピタキシャル成長によって形成されている。 - 特許庁

A Sn-based layer 11a is formed by cladding or press forming as an outermost layer of an alloy foil 13 which comprises Sn 11b and Al 12 as major components and which has an Al content of 40 mass% or less, thereby removing an oxide film from the alloy surface layer.例文帳に追加

Sn１１bとAl１２を主成分とする合金箔１３でありAl含有率が40mass%以下の合金箔１３の最表層にSn系層１１aをクラッドまたは加圧成形して、合金表層の酸化膜を除去する。 - 特許庁

A reinforcing block 5 for connection of the optical fiber is mounted on a surface of the optical waveguide layer 2 where the heater 6 is disposed by adhesion via an adhesive layer 7 which has a refractive index lower than that of the cladding 3 of the optical waveguide layer 2.例文帳に追加

光導波層２のヒータ６が設けられている側の面に、光ファイバ接続用の補強ブロック５を、光導波層２のクラッド３よりも屈折率が低い接着層７を介して接合して設ける。 - 特許庁

In the joining layer, an Al-Cu layer consisting substantially of Al and Cu is formed on the structure 10 side, and a mixed layer of the hard metal for cladding by welding with a metal consisting mainly of Cu is formed on the hard built-up layer 53 side.例文帳に追加

また、接合層中には、実質的にＡｌ及びＣｕよりなるＡｌ−Ｃｕ系層が構造体本体１０側に形成される一方、肉盛硬質金属とＣｕ主体の金属との混合層が硬質肉盛層５３側に形成される。 - 特許庁

Light signals can be transmitted along the optical waveguide layer 3 by total reflection on the interface between the core layer 1 and the cladding layer 2, and at the same time electric signals can be transmitted by the conductive metal layer 4 that is formed on the optical waveguide layer 3 having electric insulating properties.例文帳に追加

コア層１とクラッド層２の界面で全反射させることによって光導波層３に沿って光信号を伝送させることができると共に、電気絶縁性を有する光導波層３の表面に形成した導電金属層４によって電気信号を伝送させることができる。 - 特許庁

The cladding material for the stem of the semiconductor device is equipped with a base layer 1 formed of iron steel material, a copper layer 2 formed of pure copper or a copper-based copper alloy and laminated on the base layer 1, and an iron coating layer 3 which is formed of soft steel and laminated on the copper layer 2.例文帳に追加

本発明の半導体素子のステム用クラッド材は、鉄鋼材で形成された基層１と、純銅あるいは銅を主成分とする銅合金で形成され、前記基層１に積層された銅層２と、軟鋼で形成され、前記銅層２の上に積層された鉄被覆層３とを備える。 - 特許庁

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, where both of an n-type cladding layer and a p-type one are mainly made of the same kind of mixed crystal, resistance can be reduced, and type I junction with an active layer can be achieved.例文帳に追加

ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。 - 特許庁

After cores 2A and 2B are formed into a cross pattern, a branched pattern or a linear pattern, a photosensitive resin layer 3A for forming an over-cladding layer is formed to cover the cores 2A and 2B.例文帳に追加

コア２Ａ，２Ｂを交差パターン，分岐パターンまたは直線パターンに形成した後、このコア２Ａ，２Ｂを被覆するようオーバークラッド層形成用の感光性樹脂層３Ａを形成する。 - 特許庁

The second upper cladding layer 16 remaining on a first etching stopper layer 15 in a side part of the first ridge 32 is selectively removed by wet etching, using the resist 31 as a mask.例文帳に追加

レジスト３１をマスクとしたウェットエッチングにより、第１のリッジ３２の横の部分において第１のエッチングストッパ層１５上に残っている第２の上クラッド層１６を選択的に除去する。 - 特許庁

The hard built-up layer 53 consists mainly of a hard metal for cladding by welding which is a metal or an alloy higher in hardness than the structure 10.例文帳に追加

硬質肉盛層５３は、構造体本体１０よりも高硬度の金属又は合金である肉盛硬質金属を主体に構成される。 - 特許庁

In the optical waveguide 10 with photoelectric conversion element, an over-cladding layer 13 includes a thick portion 13b and a thin portion 13c.例文帳に追加

光電変換素子付光導波路１０は、オーバークラッド層１３に、厚みの厚い厚肉部１３ｂと、厚みの薄い薄肉部１３ｃを有する。 - 特許庁

The cladding layers are each formed of a semiconductor having a band gap wider than energy equivalent to a peak wavelength of an EL spectrum of the active layer.例文帳に追加

クラッド層は、活性層のＥＬスペクトルのピーク波長に相当するエネルギよりも広いバンドギャップを有する半導体で形成されている。 - 特許庁

A p-type AlGaInP upper cladding layer 40 of the 650 nm wavelength band laser 14 is etched halfway to form ridge waveguides 44.例文帳に追加

６５０ｎｍ帯波長レーザ１４のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０は途中までエッチングされてリッジ導波路４４が形成されている。 - 特許庁

To avoid this problem, selective etching is performed on a first cap layer 5 by using a phosphoric acid based etchant after the layer is subjected to etching using the hydrochloric acid-based etchant so as to remove the first cap layer 5 including a portion of the second cap layer 6 and the alteration product D that remain on the first cap layer 5 from a cladding layer 4.例文帳に追加

そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 - 特許庁

After irradiated with the active energy rays for pattering, the second resin layer 2 is developed with a solvent, and thereby an optical waveguide is formed with the second resin layer 2 remaining after development as a core layer 26 and the first resin layer 1 as a cladding layer 27; after that, electric wiring 24 is formed by printed wiring processing of the metal layer 13.例文帳に追加

第二樹脂層２に活性エネルギー線をパターン照射した後に溶剤で現像することによって、現像後に残る第二樹脂層２がコア層２６、第一樹脂層１がクラッド層２７となった光導波路を形成し、この後、金属層１３をプリント配線加工して電気配線２４を形成する。 - 特許庁

A cladding material 1A comprises: a Ni layer 4 formed of Ni or Ni alloy; a Ti layer 6 which is arranged on one side of the Ni layer 4 and formed of Ti or Ti alloy; and a first Al layer 7 which is arranged on the Ti layer 6 at a side opposed to the Ni layer 4 and formed of Al or Al alloy.例文帳に追加

クラッド材1Aは、Ｎｉ又はＮｉ合金で形成されたＮｉ層４と、Ｎｉ層４の片側に配置されたＴｉ又はＴｉ合金で形成されたＴｉ層６と、Ｔｉ層６のＮｉ層４配置側とは反対側に配置されたＡｌ又はＡｌ合金で形成された第１のＡｌ層７と、を備える。 - 特許庁

A wafer 220 for nitride-based compound semiconductor elements is formed by laminating an n-type cladding layer formed of a nitride-based compound semiconductor containing Al at least partially, an active layer formed of a nitride-based compound semiconductor, and a p-type cladding layer formed of a nitride-based compound semiconductor layer containing Al at least partially on a substrate 201 formed of a nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体素子用ウェハー２２０は、窒化物系化合物半導体からなる基板２０１の上に、少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｎ型クラッド層、窒化物系化合物半導体からなる活性層及び少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｐ型クラッド層が積層されてなる。 - 特許庁

A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method, and the first laminate ST1 except for a region of forming a first semiconductor light emitting element is removed.例文帳に追加

基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成し、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体ＳＴ１を残して、他の領域の第１積層体ＳＴ１を除去する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The two photosensitive resin layers 3A and 4A are heated, whereby a resin of the unexposed portion 3a of the core formation photosensitive resin layer 3A and a resin of the over-cladding layer formation photosensitive resin layer 4A are melt-mixed together to form a mixture layer 5A.例文帳に追加

つぎに、上記２層の感光性樹脂層３Ａ，４Ａを加熱し、上記コア形成用の感光性樹脂層３Ａの未露光部分３ａの樹脂とオーバークラッド層形成用の感光性樹脂層４Ａの樹脂とを溶融して混合し混合層５Ａにする。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４は、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層４１と、その高濃度層４１上に形成され、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層４２とを備えている。 - 特許庁

However, in the subsequent step, (a second) photosensitive resin layer 4A for forming an over-cladding layer is formed with a non-solvent type photosensitive resin composition and is heated prior to exposure and, thereby, the interface part between the core 3 and the photosensitive resin layer 4A is formed into a mixed layer 5.例文帳に追加

しかし、その後、オーバークラッド層形成用の（第２の）感光性樹脂層４Ａを、非溶剤系の感光性樹脂組成物で形成し、露光に先立って加熱することにより、コア３と感光性樹脂層４Ａとの界面部分を、混合層５に形成する。 - 特許庁

A ridge stripe 150 is constituted by: a p-type GaAs top cap layer 111 of a ridge stripe shape; a p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110; a p-type GaAs bottom cap layer 109; and a p-type Al_xGa_1-xAs second cladding layer 108.例文帳に追加

リッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０、ｐ型ＧａＡｓ下キャップ層１０９及びｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層１０８でリッジストライプ１５０を構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for inhibiting the generation of crystal defects and at the same time putting a quantum well layer into disorder even in a semiconductor device that has an arbitrary layer structure and at the same time an upper-cladding-layer thickness of 500 nm or less.例文帳に追加

任意の層構造を有し、かつ上クラッド層の厚さが５００ｎｍ以下の半導体装置においても、結晶欠陥の発生が抑制でき、かつ量子井戸層の無秩序化が可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for cladding with a laser beam welding with which a clad layer can suitably and easily be formed in a simple constitution at a low cost.例文帳に追加

簡単な構成で、クラッド層を適切かつ容易に低コストで形成することができるレーザクラッド加工装置と、レーザクラッド加工方法とを提供する。 - 特許庁

On a metallization layer 9 formed on the pad electrode 3, many concave portions 10 to 13 are formed by cladding the open regions 5 to 8.例文帳に追加

パッド電極３上に形成される金属層９には、前記開口領域５〜８を被覆することで、複数の凹部１０〜１３が形成されている。 - 特許庁

This light-emitting structure has a laminate structure in which both the top and bottom of an active layer composed of a semiconductor are sandwiched by a pair of cladding layers each composed of a semiconductor.例文帳に追加

この発光構造は、半導体からなる活性層の上下を、半導体からなる一対のクラッド層で挟んだ積層構造を有する。 - 特許庁

The first coating is sufficiently hardened to match the fracture characteristics of the silica core and cladding layer to facilitate crimp and cleave termination.例文帳に追加

第１の被覆はクリンプおよびクリープによる終端を容易にするためにシリカのコアおよびクラッド層の破断特性に適合するよう十分に硬化させられる。 - 特許庁

The silicon layer 21 is oxidized so that the silicon to be etched away changes into silicon dioxide, thereby forming the core 13 and over cladding 14 at the same time (f).例文帳に追加

エッチング除去すべきシリコンが二酸化シリコンに変質するようにシリコン層２１を酸化して、コア１３とオーバークラッド１４とを同時に作製する（図２（ｆ）。 - 特許庁

The electric field applying section is installed for applying an electric field to the pair of optical waveguides 2, 3 and the cladding layer 9 in the optical coupling sections 4.例文帳に追加

電界印加部は、光結合部４において、１対の光導波路２、３およびクラッド層９に電界を印加するために設けられている。 - 特許庁

In this case, the radiating energy of the laser beam in the melting layer forming step is set to be larger than the radiating energy of the laser beam in the laser cladding step.例文帳に追加

そして、溶融層形成工程時におけるレーザの照射エネルギーを、レーザクラッド加工工程時におけるレーザの照射エネルギーより大とする。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

As a specific example of the inorganic tie layer, an inorganic adhesive or a thin metal film formed in the magnesium alloy piece when hot cladding is carried out is mentioned.例文帳に追加

無機接合層の具体例としては、無機系接着剤や、ホットクラッドを行う際にマグネシウム合金片に形成される金属薄膜が挙げられる。 - 特許庁

The soft reference layer (17) includes a read conductor (19) a cladding (21), that completely surrounds the read conductor (19) to form a cladded read conductor.例文帳に追加

軟らかいリファレンス層(17)は、読出し導体(19)、及びクラッディングされた読出し導体を形成するために読出し導体を完全に包囲するクラッディング(21)を含む。 - 特許庁

To provide a method of cladding by laser welding improving a material yield and also suppressing defect generation in a clad layer.例文帳に追加

材料歩留りを向上させるとともに肉盛層での欠陥の発生を抑制できるレーザ肉盛溶接方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A thickness H_2 from the lower surface of the upper cladding layer 108 to the lower surface of a buried layer 115 in the second stripe side area 152 is smaller than a thickness H_1 in the first stripe side area 151.例文帳に追加

第２ストライプサイド領域１５２における上クラッド層１０８下面から埋め込み層１１５下面までの厚さＨ_２は、第１ストライプサイド領域１５１における厚さＨ_１よりも小さい。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor region 29 including a contact layer 27 and a cladding layer 25 is etched by a mask 35a to form a group III nitride region 33c and an epitaxial region 29b.例文帳に追加

コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。 - 特許庁

In one embodiment, a photosensitive cladding layer is exposed by chemical rays that transmit a first gray scale mask, is patterned, thereafter, is developed to define a groove having the curved major bottom surface within a layer.例文帳に追加

一実施例では、感光性クラッディング層が、第１グレースケールマスクを通過した化学線にさらされてパターニングされ、その後に現像され、湾曲した主底面を有する溝を層内に規定する。 - 特許庁

A core formation photosensitive resin layer 3A is formed on a surface of an under-cladding layer 2, and then exposed in a predetermined pattern, and an exposed portion is formed in the core 3.例文帳に追加

アンダークラッド層２の表面に、コア形成用の感光性樹脂層３Ａを形成した後、そのコア形成用の感光性樹脂層３Ａを所定パターンに露光し、その露光部分をコア３に形成する。 - 特許庁

A thickness of the aluminum layer 3 is preferred to be 15 to 95% of a whole thickness of the cladding material, and an average hardness of the nickel alloy layer 2 is preferred to be Hv100 or less.例文帳に追加

前記アルミニウム層３の厚さはクラッド材の全体厚さの１５〜９５％程度にすることが好ましく、またニッケル合金層２の平均硬さはＨｖ１００以下にすることが好ましい。 - 特許庁

A 1st cladding layer is formed by applying a solution of 1st polyamide fluoride of a low refractive index to a substrate 50, and a 1st core layer is formed by applying a solution of 2nd polyamide fluoride of a high refractive index thereto.例文帳に追加

基板５０に低屈折率の第１フッ素化ポリイミド溶液を塗布して第１クラッド層を形成し、高屈折率の第２フッ素化ポリイミド溶液を塗布して第１コア層を形成する。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁