「cladding layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

The current constriction part 24 is sequentially provided, to the upper part from the side of the semiconductor active layer 15, with a second conductive upper first cladding layer 17 and a second conductive upper second cladding layer 19 having the width smaller than that of the upper first cladding layer and being embedded within a first conductive current block layer 21.例文帳に追加

電流狭窄部２４は、半導体活性層１５側から上方に、第２導電型上部第１クラッド層１７と、前記上部第１クラッド層の層幅より小さい層幅を有しかつ第一導電型電流ブロック層２１で埋め込まれた第２導電型上部第２クラッド層１９とを順次有する。 - 特許庁

A lower cladding layer 102 consisting of silicon oxide is provided on a substrate 101 consisting of silicon, and a core 103 and a core layer 104 consisting of silicon is provided on the lower cladding layer 102.例文帳に追加

シリコンから構成された基板１０１の上に、酸化シリコンからなる下部クラッド層１０２を備え、下部クラッド層１０２の上に、シリコンからなるコア１０３及びコア層１０４を備えている。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element has a lamination structure constituted by laminating a first cladding layer 103, an active layer 104 and a second cladding layer 105 on a semiconductor substrate 101, in this order from the side nearest the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板(101)上に、半導体基板(101)に近い側から順に、第１のクラッド層(103)、活性層(104)、及び第２のクラッド層(105)が積層されてなる積層構造を有する。 - 特許庁

Preferably, a liner 14 of steel, namely, an isolation layer 14, is arranged between the base 16 and the cladding layer 18.例文帳に追加

好ましくは、基部１２と合せ層部１８との間にスチールのライナー１４即ち分離層部１４を配す。 - 特許庁

The core layer 93 includes, inside of the layer, a cladding portion 95 and a core portion 94 which is an optical path for transmission light.例文帳に追加

コア層９３は、その層内に伝送光の光路であるコア部９４とクラッド部９５とを有している。 - 特許庁

A substrate 10 is provided between a lower DBR layer 18 and a lower cladding layer 11, i.e., in a cavity.例文帳に追加

下部ＤＢＲ層１８と下部クラッド層１１との間、すなわち、キャビティ内に基板１０が設けられている。 - 特許庁

In the parts other than projected part, the core layer 23 and the upper cladding layer 24 are laminated to compose an optical waveguide.例文帳に追加

凸部以外の部分には、コア層２３、上クラッド層２４が積層されて光導波路が構成されている。 - 特許庁

The optical switching element 1 includes: a substrate 8; a cladding layer 9; an optical waveguide layer 10; and an electric field applying section.例文帳に追加

光スイッチ素子１は、基板８と、クラッド層９と、光導波路層１０と、電界印加部とを備えている。 - 特許庁

Also, the diameter of the core layer is 50-100 μm and the thickness of the cladding layer is 12-38 μm.例文帳に追加

さらに前記コア層の径が５０μｍ〜１００μｍ、前記クラッド層の厚さが１２μｍ〜３８μｍである。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element that increases planarity of an active layer, and includes a cladding layer preventing surface oxidation.例文帳に追加

活性層の平坦性を高くすると共に、表面酸化しないクラッド層を備えた光半導体素子とする。 - 特許庁

The core layer (104) and the at least one cladding layer (102) may be alloys having different compositions.例文帳に追加

コア層（１０４）および少なくとも一つのクラッド層（１０２）は、異なる組成を有した合金である場合がある。 - 特許庁

On the n-type InP cladding layer 16, an insulating film 17 is formed so as to cover the upper part of the active layer 15.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

The diameter of each pit 20 at the interface between the n-type cladding layer 13 and the light-emitting layer 14 ranges from 110 to 150 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a laminate of an n-type cladding layer 12b, an absorbing layer 12c, a p-type cladding layer 12d and a p-type high concentration layer 12e is formed in a mesa type on an n-type high concentration layer 12a formed on the surface of a substrate 11 and used as a cathode of the photodiode.例文帳に追加

基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。 - 特許庁

The lower cladding layer has a first surface crossing in a predetermined direction, and a plurality of convex portions.例文帳に追加

下部クラッド層は、所定方向に交差する第１の面と、複数の凸部を有している。 - 特許庁

This process may further include applying an overcoat layer on the silver cladding.例文帳に追加

このプロセスは、銀クラッディングの上にオーバーコート層を塗布することをさらに含んでいてもよい。 - 特許庁

The coating layer is then annealed to form a wire having a silver cladding on its surface.例文帳に追加

次いで、コーティング層をアニーリングし、表面に銀クラッディングを有するワイヤを作成する。 - 特許庁

The optical waveguide includes an under cladding layer 2a formed on a substrate 1, core portions 3 formed in a predetermined pattern on the under cladding layer 2a for propagating an optical signal, and an over cladding layer 2b formed so as to cover the core portions 3.例文帳に追加

基板１上にアンダークラッド層２ａが形成され、上記アンダークラッド層２ａ上に、所定パターンで、光信号を伝搬するコア部３が形成され、さらに上記コア部３を包含するようにオーバークラッド層２ｂが形成されてなる光導波路である。 - 特許庁

The cladding material (1), (2) is constructed by cladding a first copper layer (11) comprising copper or its alloy on one surface side of a core material (10) comprising aluminum or its alloy, and further cladding a first aluminum layer (12) comprising aluminum or its alloy on the first copper layer (11).例文帳に追加

熱交換器用クラッド材(1)(2)は、アルミニウムまたはその合金からなる心材(10)の一面側に、銅またはその合金からなる第１銅層(11)がクラッドされ、さらにこの第１銅層(11)上にアルミニウムまたはその合金からなる第１アルミニウム層(12)がクラッドされてなる。 - 特許庁

The formation temperature of the amorphous layer is set to about 400°C, and the formation temperature of the layer above the p type cladding layer 309 is set to about 1,100°C.例文帳に追加

非結晶層の形成温度を約４００℃、ｐ型クラッド層３０９より上部の層の形成温度を１１００℃程度とする。 - 特許庁

Next, a first cladding layer 40, a waveguide layer 50, and a second cladding layer 60 are sequentially formed on the GaAs layer in such a way that the spontaneous polarization direction of the second region is the reverse of that of the first region.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓ層上に、第２領域の自発分極の方向が、第１領域の自発分極の方向に対して反転するように、第１クラッド層４０、導波路層５０、及び第２クラッド層６０を順に形成する。 - 特許庁

When a reverse electrostatic discharge voltage is applied between the second cladding layer 27 and a first cladding layer 21, a depletion layer is formed in the III-V compound semiconductor layer 25, thereby reducing the maximum electric field in the semiconductor ridge 15.例文帳に追加

第１のクラッド層２１と第２のクラッド層２７との間に逆方向の静電放電電圧が印加されるとき、III−Ｖ化合物半導体層２５に空乏層が生成されて、半導体リッジ１５における最大電界を低減できる。 - 特許庁

An InP:Mn/InGaAsP core layer 12 wherein an InP:Mn layer 12a is interposed between InGaAsP layers 12b is formed on an InP cladding layer 11 and an InP:Mn cladding layer 13 is formed thereon to form the waveguide type Faraday rotation element 10.例文帳に追加

ＩｎＰクラッド層１１上に、ＩｎＰ：Ｍｎ層１２ａがＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂで挟まれたＩｎＰ：Ｍｎ／ＩｎＧａＡｓＰコア層１２を形成し、その上にＩｎＰ：Ｍｎクラッド層１３を形成して、導波路型ファラデー回転素子１０を形成する。 - 特許庁

Mn can be effectively introduced to the InP:Mn layer 12a and the InP:Mn cladding layer 13 by introducing Mn when the InP:Mn layer 12a or the InP:Mn cladding layer 13 is formed or when a semiconductor layer to be the underlayer layer of these layers is grown.例文帳に追加

また、Ｍｎを、ＩｎＰ：Ｍｎ層１２ａやＩｎＰ：Ｍｎクラッド層１３の形成時あるいはこれらの層の下層になる半導体層の成長時に導入することにより、ＩｎＰ：Ｍｎ層１２ａおよびＩｎＰ：Ｍｎクラッド層１３にＭｎを有効に導入することができる。 - 特許庁

In a group III nitride compound semiconductor light emitting element 100, a sapphire substrate 10, a buffer layer comprising an aluminum nitride (AlN) not shown in a figure, an n-contact layer 11, an n-cladding layer 12, a multiple quantum well layer 13 having a light emitting wavelength of 470 nm, a p-cladding layer 14 and a p-contact layer 15 are formed.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、図示しない窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層、ｎコンタクト層１１、ｎクラッド層１２、発光波長４７０ｎｍの多重量子井戸層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が形成されている。 - 特許庁

When a semiconductor light-emitting device is to be constituted lamination is successively made so that a light emission layer formation part for pinching an active layer with smaller band gap than a clad layer is composed of an n-type cladding layer consisting of, for example, the ZnO compound semiconductor layer and a p-type cladding layer.例文帳に追加

半導体発光素子を構成する場合には、たとえばＺｎＯ系化合物半導体層からなるｎ形クラッド層とｐ形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。 - 特許庁

An Si-GaAs buffer layer 2, an Si-AlGaInP cladding layer 3, the active layer 4, an Mg-AlGaInP cladding layer 5, an Mg-AlGaInPBDR layer 6, and a Zn-GaAs contact layer 7 are laminated on an Si-GaAs substrate 1 in this order.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１の上には、Ｓｉ−ＧａＡｓバッファ層２、Ｓｉ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰＢＤＲ層６およびＺｎ−ＧａＡｓコンタクト層７が、この順に積層されている。 - 特許庁

Mass transport is caused in sides 37a of the second conductive cladding layer 37, and (110) face sides 37b are formed on the sides 37a of the second conductive cladding layer 37.例文帳に追加

そして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａにおいてマストランスポートを引き起こして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａに（１１０）面側面３７ｂを形成する。 - 特許庁

The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.例文帳に追加

また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

An opening reaching the mesa substrate through the contact layer, second cladding layer, and current block section is formed by wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。 - 特許庁

The third cladding layer 7 is subjected to epitaxial growth to form a contact layer 13, thus manufacturing a semiconductor light-emitting device 20.例文帳に追加

第三クラッド層７をエピタキシャル成長させてコンタクト層１３を形成して、半導体発光素子２０が製造される。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁

In an example of this invention, an optical waveguide of the semiconductor optical modulator is equipped with an optical waveguide layer 20 with an electro-optic effect, a cladding layer 10 composed of an n-type semiconductor, and an intermediate layer 40 arranged between the cladding layer and the optical waveguide layer.例文帳に追加

本発明の一実施例による半導体光変調器の光導波路は、電気光学効果を有する光導波層２０と、ｎ型半導体からなるクラッド層１０と、このクラッド層と光導波層との間に設けられた中間層４０とを備える。 - 特許庁

The optical waveguide substrate with an optical fiber fixation groove is produced by forming a lower cladding layer on a base substrate using a male stamp produced from a female stamp and then successively forming a core layer and an upper cladding layer thereon.例文帳に追加

光ファイバ固定溝付き光導波路基板は、凹型から作製された凸型を用いて、ベース基板上に下部クラッド層を形成した後、コア層および上部クラッド層を順次形成することにより製造される。 - 特許庁

The infrared laser element 2 has a double hetero structure wherein a GaAs system or AlGaAs system active layer 23 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 22 and a second conductive type cladding layer 24 containing a ridge 24a.例文帳に追加

赤外レーザ素子２は、第１導電型クラッド層２２と、リッジ２４ａを有する第２導電型クラッド層２４とによりＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ系活性層２３が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁

The light guide device 1 is formed by forming light extraction parts 2a in a base material 2, laminating a cladding layer 3 with openings 3a formed corresponding to the light extraction parts 2a on the base material 2, and overlaying a core layer 4 on the cladding layer 3.例文帳に追加

基材２に光取り出し部２ａを形成し、この上に開口部３ａが形成されたクラッド層３を積層し、さらにその上にコア層４を重ねることにより導光装置１を形成する。 - 特許庁

To obtain a large output at high temperatures by increasing the carrier concentration of a clad layer and preventing diffusion of impurities of the cladding layer into an active layer.例文帳に追加

クラッド層のキャリア濃度を高めると共に、クラッド層中の不純物の活性層への拡散を防止して、高温で大きな出力を得る。 - 特許庁

A flat surface optical waveguide 100 comprises a 1st cladding layer 101 and a guide layer including a plurality of quantum dots 103, namely, an active layer 102.例文帳に追加

平面導波路１００は、第１のクラッド層１０１および複数の量子ドット１０３を含むガイド層すなわち活性層１０２を含む。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a first conductivity-type cladding layer 3, an active layer 4 and a second conductivity-type cladding layer 5 are stacked in sequence on a first conductivity-type semiconductor substrate, a mesa construction is formed in the second cladding layer and block layers 9 and 21 for current narrowing are formed on both sides of the mesa construction.例文帳に追加

本半導体レーザは、第１導電型半導体基板の上に、第１導電型クラッド層３、活性層４、第２導電型クラッド層５を順次積層し、第２クラッド層にはメサ構造が形成されており、メサ構造の両脇には、電流狭窄のためのブロック層９，２１が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, on the primary GaN layer 103 and the primary oxidation layer 104, there are formed a secondary GaN layer 105, an n-type cladding layer 106, an activity layer 107, a p-type cladding layer 108, a p-type contact layer 109, an insulating film 110, a p-type electrode 111, a p-type pad 112, and a p-type electrode 113.例文帳に追加

さらに、第１のＧａＮ層１０３及び第１の酸化層１０４の上には、第２のＧａＮ層１０５、ｎ型クラッド層１０６、活性層１０７、ｐ型クラッド層１０８、ｐ型コンタクト層１０９、絶縁膜１１０、ｐ型電極１１１、ｐ型パッド１１２、Ｐ型電極１１３が形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (semiconductor light-emitting element) includes: an active layer 14 containing In; a p-type cladding layer 18 formed on the active layer 14; and an undoped AlGaN layer 16 and a p-type AlGaN layer 17 formed between the active layer 14 and the p-type cladding layer 18.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（半導体発光素子）は、Ｉｎを含む活性層１４と、活性層１４上に形成されたｐ型クラッド層１８と、活性層１４とｐ型クラッド層１８との間にそれぞれ形成された、アンドープＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＡｌＧａＮ層１７とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁