「copper electroplating method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PROTECTIVE COVER FOR TITANIUM CASE FOR COPPER ELECTROPLATING, AND COPPER ELECTROPLATING METHOD例文帳に追加

電解銅めっき用チタンケースの保護カバーおよび電解銅めっき方法 - 特許庁

ROUGHENING TREATMENT METHOD AND COPPER ELECTROPLATING DEVICE例文帳に追加

粗化処理方法及び電解銅メッキ装置 - 特許庁

COPPER ELECTROPLATING METHOD USING INSOLUBLE ANODE例文帳に追加

不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法 - 特許庁

COPPER PLATING SYSTEM AND COPPER PLATING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROPLATING LIQUID例文帳に追加

銅メッキシステム並びに銅メッキ方法及び電解メッキ液の製造方法 - 特許庁

COPPER ELECTROPLATING METHOD USING INSOLUBLE ANODE例文帳に追加

不溶解性陽極を用いる電解銅めっき方法 - 特許庁

To provide a copper plating system and a copper plating method for performing high-accuracy electroplating, and recovering and reusing copper ions from electroplating liquid after electroplating to reduce a production cost.例文帳に追加

高精度の電解メッキが可能であり、電解メッキ後の電解メッキ液から銅イオンを回収して再利用し生産コストを低減する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING COPPER ELECTROPLATING LIQUID例文帳に追加

電気銅めっき液の分析方法及びその分析装置 - 特許庁

METHOD FOR DIRECT ELECTROPLATING OF COPPER ON PLATABLE LAYER WHICH IS NOT COPPER例文帳に追加

銅でないメッキ可能層の上への銅の直接電気メッキのための方法 - 特許庁

PHOSPHOR-CONTAINING COPPER ANODE FOR COPPER ELECTROPLATING, COPPER ELECTROPLATING METHOD USING PHOSPHOR-CONTAINING COPPER ANODE, AND SEMICONDUCTOR WAFER PLATED BY USING THEM WITH FEW ADHERING PARTICLES例文帳に追加

電気銅めっき用含リン銅アノード、該含リン銅アノードを使用する電気銅めっき方法、これらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - 特許庁

COPPER ELECTROPLATING METHOD, PURE COPPER ANODE FOR COPPER ELECTROPLATING, SEMICONDUCTOR WAFER PLATED BY USING THESE AND LESS DEPOSITED WITH PARTICLE例文帳に追加

電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - 特許庁

COPPER ELECTROPLATING METHOD, PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE FOR COPPER ELECTROPLATING, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH MINIMAL PARTICLE ADHESION PLATED BY USING THEM例文帳に追加

電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - 特許庁

ELECTROPLATING APPARATUS, PLATING SOLUTION RETAINING MEMBER FOR ELECTROPLATING APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING COPPER WIRING SEMICONDUCTOR例文帳に追加

電解めっき装置、電気めっき装置用めっき液保持部材、銅配線半導体の製造方法 - 特許庁

COPPER-ZINC ALLOY ELECTROPLATING BATH AND PLATING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法 - 特許庁

TIN-COPPER ALLOY ELECTROPLATING BATH AND PLATING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

錫−銅合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 - 特許庁

After copper foil having a thickness of ≤12 μm is patterned by a subtractive method, the pattern is plated with copper by the copper electroplating method.例文帳に追加

厚み１２μm以下の銅箔をサブトラクティブ法でパターニングした後、電解銅めっき法でパターン上に銅めっきする。 - 特許庁

ADDITIVE FOR COPPER PLATING, COPPER PLATING LIQUID USING THE ADDITIVE FOR COPPER PLATING AND COPPER ELECTROPLATING METHOD USING THE COPPER PLATING LIQUID例文帳に追加

銅めっき用添加剤及びその銅めっき用添加剤を用いた銅めっき液並びにその銅めっき液を用いた電気銅めっき方法 - 特許庁

COPPER-ZINC ALLOY ELECTROPLATING BATH, AND PLATING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

銅−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法 - 特許庁

ELECTROLYTIC SOLUTION FOR COPPER PLATING AND ELECTROPLATING METHOD FOR COPPER WIRING OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

銅メッキ用電解液およびこれを用いた半導体素子の銅配線用電気メッキ方法 - 特許庁

COPPER ANODE OR PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE, METHOD FOR ELECTROPLATING COPPER ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH PARTICLE NOT SIGNIFICANTLY DEPOSITED THEREON例文帳に追加

銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ - 特許庁

The next process in the method is electroplating the treated copper seed layer with a copper fill layer.例文帳に追加

次いで、その方法は、処理された銅シード層上に銅充填層を電気メッキする工程に進む。 - 特許庁

The copper electroplating method comprises performing copper electroplating by using pure copper as the anode and using the anode regulated in the crystalline grain size of the pure copper anode to ≤10 μm or ≥60 μm or unrecrystallized in performing the copper electroplating.例文帳に追加

電気銅めっきを行うに際し、アノードとして純銅を使用し、前記純銅アノードの結晶粒径を１０μｍ以下若しくは６０μｍ以上又は未再結晶であるアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 - 特許庁

ANODE FOR COPPER ELECTROPLATING, METHOD OF MANUFACTURING THIS ANODE, COPPER ELECTROPLATING METHOD USING THIS ANODE AND OBJECT TO BE PLATED WHICH IS PLATED BY USING THE SAME AND IS LESS STUCK WITH PARTICLES例文帳に追加

電気銅めっき用アノード、該アノードの製造方法、該アノードを用いた電気銅めっき方法及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない被めっき物 - 特許庁

ACID COPPER ELECTROPLATING SOLUTION AND METHOD FOR PRODUCING FINE WIRING CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

酸性電解銅めっき液およびこれを用いる微細配線回路の作製方法 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR ENHANCING IN-SITU ELECTROLESS COPPER SEED LAYER IN ELECTROPLATING SYSTEM例文帳に追加

電気めっきシステムにおいて原位置無電解銅シード層を強化するシステム及び方法 - 特許庁

To provide a phosphorus-containing copper anode electrode for copper electroplating of semiconductor wafer or the like wherein the production of anode slime and the occurrence of plating defect are suppressed, to provide a method of producing the phosphorus-containing copper anode electrode, and to provide a copper electroplating method using the phosphorus-containing copper anode electrode.例文帳に追加

アノードスライムの発生およびメッキ欠陥の発生を抑えた半導体ウエハ等の電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、該含リン銅アノード電極の製造方法およびこの含リン銅アノード電極を用いた電気銅メッキ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper electroplating solution which is substantially free from a cyanide or a chelating agent and is capable of forming a copper plating film with a high adhesivity to the surface of a member, and a copper electroplating method.例文帳に追加

シアン化合物及びキレート剤が実質的に非含有であって、部材表面に密着性が良好の銅めっき膜を形成し得る電解銅めっき液及び電解銅めっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electroplating liquid which suppresses the occurrence of defect of a copper plated layer caused by the dissolution of a seed layer serving as an electrode in the formation of a copper wiring layer by electroplating method, and an electroplating method using the plating liquid.例文帳に追加

銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。 - 特許庁

COPPER-TIN-ZINC ALLOY ELECTROPLATING BATH, AND METHOD FOR PRODUCING ALLOY PLATING FILM USING THE SAME例文帳に追加

銅−錫−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いた合金めっき被膜の製造方法 - 特許庁

To provide a method for forming copper interconnects having low electroresistivity and high electromigration resistance by using copper electroplating.例文帳に追加

銅電気メッキを用いて、低い抵抗率と高いエレクトロマイグレーション抵抗を持つ銅相互接続を形成する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR ELECTROPLATING LONG CONDUCTIVE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COPPER-COATED LONG CONDUCTIVE SUBSTRATE USING THE METHOD AND ROLL-TO-ROLL TYPE ELECTROPLATING APPARATUS例文帳に追加

長尺導電性基板の電気めっき方法およびこの方法を用いた銅被覆長尺導電性基板の製造方法並びにロール・ツー・ロールタイプの電気めっき装置 - 特許庁

To provide a high-purity copper anode for electroplating that can reduce the generation of slime and other particles, and plating failure caused thereby, a method for producing the same, and a copper electroplating method using the same.例文帳に追加

スライム等のパーティクルの発生およびこれに起因するめっき不良を低減することができる電気めっき用高純度銅アノード、その製造方法、これを用いた電気銅めっき方法を提供する。 - 特許庁

In the copper electroplating method using the insoluble anode, the dissolved oxygen in a copper electroplating bath is kept to ≤30 mg/L.例文帳に追加

不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法において、電解銅めっき液中の溶存酸素量を３０ｍｇ／Ｌ以下に維持することを特徴とする電解銅めっき方法。 - 特許庁

To provide a method of filling a through-hole by which copper is filled into the through-hole without applying pulse periodic reverse (PPR) copper electroplating.例文帳に追加

ＰＰＲ電解銅めっきを施すことなくスルーホール内に銅を充分に充填できるスルーホールの充填方法を提供する。 - 特許庁

A method provides a metal seed layer free of discontinuities on a substrate with an electroplating bath, which contains one or more sources of copper ions selected from copper sulfate, copper acetate, copper fluoroborate, or copper nitrate, and an acidic electrolyte.例文帳に追加

硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅又は硝酸銅から選択された１以上の銅イオン源と、酸性の電解質を含む電気めっき浴を用い、基体に不連続の無い金属シード層を形成する。 - 特許庁

COPPER-ZINC ALLOY ELECTROPLATING METHOD, STEEL WIRE USING THE SAME, STEEL WIRE-RUBBER BONDED COMPOSITE AND TIRE例文帳に追加

銅‐亜鉛合金電気めっき方法、それを用いたスチールワイヤ、スチールワイヤ‐ゴム接着複合体およびタイヤ - 特許庁

To prevent an electroplating layer formed on a part of a wiring board adjacent to its edge from becoming thinner than the other electroplating layer formed on a part of a wiring board located at a more inside part than the former electroplating layer in the case where a wiring board aggregate is manufactured through a semi-additive method where copper electroless plating and copper electroplating are used.例文帳に追加

無電解銅メッキ及び電解銅メッキを用いたセミアディティブ法による配線基板集合体の製造で、その端縁部に隣接する配線基板部位の電解メッキ層がそれより内側の配線基板部位の電解メッキ層より薄くなるのを防ぐ。 - 特許庁

The copper plating method includes: bringing an object to be plated into contact with a pre-treatment solution containing a bromide ion; and depositing copper by electroplating, using a copper plating solution.例文帳に追加

銅めっき方法において、被めっき物と臭化物イオンを含有する前処理液とを接触させ、銅めっき液を用いて電気めっきにより銅を析出する。 - 特許庁

To provide a method for measuring the leveler concentration in a copper sulfate electroplating liquid which is capable of measuring the concentration of the leveler which is an additive in the copper sulfate electroplating liquid considered heretofore infeasible even by the conventional CV method or CVS method.例文帳に追加

従来のＣＶ法又はＣＶＳ法でも不可能といわれてきた硫酸銅めっき液中の添加剤であるレベラーの濃度を測定できる硫酸銅めっき液中のレベラー濃度測定方法を提供すること。 - 特許庁

The electroplating liquid which contains copper ions and a complexing agent of the copper ions and has a pH ranging from 4 to 10, the plating method using such electroplating liquid, and the silicon wafer obtained by such plating operation.例文帳に追加

銅イオンおよび銅イオンの錯化剤を含み、ｐＨが４〜１０の範囲である電気めっき液、かかる電気めっき液を使用しためっき方法、およびかかるめっき操作により得られたシリコンウエハー。 - 特許庁

ELECTROPLATING METHOD, PRODUCTION OF CIRCUIT BOARD AND PRINTED CIRCUIT BOARD BY ELECTROPLATING, CIRCUIT BOARD HAVING CIRCUIT CONSISTING OF COPPER COATING FILM AND PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING WIRING CONSISTING OF COPPER COATING FILM例文帳に追加

電気めっき方法、電気めっきによる回路板及びプリント配線板の製造方法、並びに銅被膜からなる回路を有する回路板及び銅被膜からなる配線を有するプリント配線板 - 特許庁

To provide a novel copper plated body obtained by electroplating a substrate provided with holes or grooves as a body to be plated with copper and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって得られる新たな銅めっき体及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the copper electroplating method using a phosphorus- containing copper anode, the phosphorus-containing copper anode having >1,500 to 20,000 μm grain size is used.例文帳に追加

含リン銅アノードを用いる電気銅めっき方法において、１５００μｍ（超）〜２００００μｍの結晶粒径を有する含リン銅アノードを用いることを特徴とする電気銅めっき方法。 - 特許庁

To provide a copper electroplating method for a semiconductor wafer which prevents the deposition of particles to the semiconductor wafer by suppressing the generation of the particles of the sludge, etc., produced on an anode side in a plating solution in performing copper electroplating, a pure copper anode for copper electroplating and a semiconductor wafer which is plated by using these and is less deposited with the particles.例文帳に追加

電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a copper electroplating method for a semiconductor wafer by which the adhesion of particles generated on the anode side in a plating solution at copper electroplating to a material to be plated such as the semiconductor wafer, can be prevented, a phosphorus-containing copper anode for the copper electroplating, and the semiconductor wafer with minimal particle stuking plated by using them.例文帳に追加

電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するパーティクルの半導体ウエハ等の被めっき物への付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供することを課題とする。 - 特許庁

In the method, contacting copper in the copper electroplating bath with a substrate to be plated, and applying a current density for a period of sufficient time to deposit a copper layer on the substrate so as to deposit copper on the substrate.例文帳に追加

該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ；並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する：ことを含む、基体上に銅を堆積する。 - 特許庁