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device layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21674件
The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.例文帳に追加
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁
In this developing device that has a developer carrier 2 where an elastic layer 4 is covered by a conductive layer 5 as a constituting element, an intermediate layer 101 is installed in between the elastic layer 4 and the conductive layer 5 and volume resistivity of the intermediate layer is made greater than the volume resistivity of the elastic layer and that of the conductive layer.例文帳に追加
弾性層４を導電層５が被覆する現像剤担持体２を構成要素とする現像装置において、弾性層４と導電層５の間に中間層１０１を配設し、中間層の体積抵抗率が弾性層、導電層の体積抵抗率より大きくしたものである。 - 特許庁
A semiconductor laser device 100 is constituted by laminating a buffer layer 2, undoped GaN layer 3, n-GaN contact layer 4, n-InGaN crack preventing layer 5, n-AlGaN clad layer 6, light emitting layer 7, p-AlGaN clad layer 8, and p-GaN contact layer 9 upon another in this order.例文帳に追加
半導体レーザ素子１００は、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８およびｐ−ＧａＮコンタクト層９が順に積層されてなる。 - 特許庁
The semiconductor device includes at least two wiring layers on a substrate or in a surface layer of the substrate, and also includes a silicon carbide layer between the lower-layer wiring layer and upper-layer wiring layer of the two wiring layers when the lower-layer wiring layer is made of silicon.例文帳に追加
基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 - 特許庁
The multi-junction silicon thin film photoelectric conversion device is a thin-film photoelectric conversion device series-connected via the middle layer, wherein the middle layer has a transparent oxide layer/a metal layer/a transparent oxide layer stacked in this order.例文帳に追加
多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記中間層は透明酸化物層／金属層／透明酸化物層の順に積層することによる。 - 特許庁
The treating device is constituted substantially of a treating device A provided with an ionic material adding equipment, an oil-water separation device B for separating the treated liquid into the oil layer and the water layer and a membrane filter device C for filtering the water layer.例文帳に追加
処理装置は、本質的に、イオン性物質添加設備を備えた処理装置、処理液を油層と水層に分離する油水分離装置及び該水層を膜濾過する膜濾過装置から構成される。 - 特許庁
To provide a technique for suitably testing a layer-2 switch device.例文帳に追加
レイヤ２スイッチ装置を適切に試験する技術を提供する。 - 特許庁
CARD WITH IMAGE RECEIVING LAYER AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
受像層付きカード、その製造装置及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF EPITAXIALLY GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND GROWTH DEVICE例文帳に追加
化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び成長装置 - 特許庁
MASK FOR MANUFACTURING ALIGNMENT LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加
配向膜製造用マスク及び液晶装置の製造方法 - 特許庁
RELEASE LAYER PASTE AND METHOD FOR PRODUCTION OF MULTILAYER TYPE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加
剥離層用ペースト及び積層型電子部品の製造方法 - 特許庁
MAGNETIC DEVICE WITH WEAKLY EXCHANGE COUPLED ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL LAYER例文帳に追加
反強磁性物質層と弱い交換結合を有する磁気装置 - 特許庁
CONDUCTIVE PATH FORMATION LAYER, OPTICAL RESPONSE ELEMENT, AND OPTICAL RESPONSE DEVICE例文帳に追加
導電路形成層、光応答素子、および光応答装置 - 特許庁
NUCLEAR LAYER FOR IMPROVED LIGHT OUTPUT FROM LIGHT- EMITTING DEVICE例文帳に追加
発光デバイスからの光取り出し改良のための核形成層 - 特許庁
INSULATING LAYER, ELECTRONIC DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND POLYVINYLTHIOPHENOL例文帳に追加
絶縁層、電子デバイス、電界効果トランジスタ及びポリビニルチオフェノール - 特許庁
FORMATION METHOD OF INSULATING LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
絶縁層の形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
The organic light-emitting diode device comprises at least one light emitting layer.例文帳に追加
発光ダイオード装置は少なくとも一つの発光層を含む。 - 特許庁
The backlight device 5 is equipped with a light source 8 and an optical layer 6.例文帳に追加
バックライト装置５は、光源８と光学層６とを備える。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR例文帳に追加
電気二重層キャパシタの製造方法およびその製造装置 - 特許庁
To provide a light-emitting diode device which has a wavelength converting layer.例文帳に追加
波長変換層を有する発光ダイオード素子を提供する。 - 特許庁
SLURRY FLOW CONTROL DEVICE USED IN SLURRY INJECTOR OF SHALLOW LAYER TYPE例文帳に追加
浅層型スラリーインジェクタで用いるスラリーの流量制御装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加
垂直配向膜の製造方法および液晶表示装置 - 特許庁
METHOD FOR FORMING TUNNELING INSULATING LAYER OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加
不揮発性メモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING ALIGNMENT LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加
配向膜形成用組成物、液晶装置の製造方法 - 特許庁
MASK FOR MANUFACTURING ALIGNMENT LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加
配向膜製造用マスク及び液晶装置の製造方法 - 特許庁
CONSTRUCTION METHOD AND DEVICE FOR CONSOLIDATING AND COMPRESSING GROUND WITH GREAT VOID AND SEDIMENTARY LAYER例文帳に追加
間隙大地盤、堆積層圧密、圧縮工法及び装置 - 特許庁
POLARIZING PLATE, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND POLYMER FILM WITH MOISTURE PROOF LAYER例文帳に追加
偏光板、画像表示装置および防湿層付きポリマーフイルム - 特許庁
BAKING DEVICE OF DIFFUSION LAYER FORMING MATERIAL AND ITS BAKING METHOD例文帳に追加
拡散層形成材の焼成装置およびその焼成方法 - 特許庁
ELECTRICAL DOUBLE-LAYER CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加
電気二重層キャパシタとその製造方法および製造装置 - 特許庁
PAD PRINTING DEVICE, METHOD FOR FORMING COATING LAYER AND OPTICAL COMPONENT例文帳に追加
パッド印刷装置、コーティング層の形成方法、及び光学部品 - 特許庁
The display device 1 includes a light emitting layer 2 and an electrode part 3.例文帳に追加
表示装置１は、発光層２と電極部３とを備える。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND LAYER FORMATION CONTROL METHOD例文帳に追加
半導体装置の製造方法及び層生成制御方法 - 特許庁
DOUBLE ODD-BEL-LIKE OPENING NOZZLE DEVICE FOR FLUIDIZATION BASE LAYER JET MILL例文帳に追加
流体化基層ジェットミル用複奇数ベル状開口ノズル装置 - 特許庁
EXTERNAL SEMICONDUCTING LAYER STRIPPING METHOD, AND STRIPPING MARGIN FORMING DEVICE例文帳に追加
外部半導電層剥離工法及び剥ぎ取り代形成装置 - 特許庁
FORMATION OF SILICIDE LAYER AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
シリサイド層の形成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING COPPER WIRING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
銅配線層の形成方法、半導体装置の製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING COMPOSITE GATE DIELECTRIC LAYER例文帳に追加
半導体デバイスとゲート誘電体組み合わせ層の形成方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF SILICON LAYER AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
シリコン層の製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
DEVICE EQUIPPED WITH HYDROGEN-PERMEABLE METAL LAYER, AND FUEL CELL例文帳に追加
水素透過性金属層を備える装置および燃料電池 - 特許庁
WIRING LAYER FORMATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE HAVING MULTI-LAYER CIRCUIT BOARD例文帳に追加
多層回路基板を有する電子回路装置の製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF SILICON LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
シリコン層の製造方法、半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
METHOD OF FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING CHARGE TRAPPING LAYER例文帳に追加
電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁
ELECTROSTATICALLY ACTUATED DEVICE HAVING CORRUGATED MULTI-LAYER FILM STRUCTURE例文帳に追加
波形の多層膜構造を持つ、静電的にアクチュエートされるデバイス - 特許庁
SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING LAYER OF GRADUALLY CHANGING COMPOSITION例文帳に追加
漸変組成の発光層を有する半導体発光装置 - 特許庁
NEW MATERIAL FOR CONTACT ETCHING LAYER THAT ENHANCES DEVICE PERFORMANCE例文帳に追加
デバイス性能を向上させるコンタクト・エッチング層用の新材料 - 特許庁
SOUND INSULATING PANEL USING SOUND INSULATING AND ABSORBING DEVICE PROVIDED WITH AIR LAYER例文帳に追加
空気層を備える遮音・吸音装置を用いた防音パネル - 特許庁
METHOD FOR FORMING ALIGNMENT LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加
配向膜の形成方法及び液晶装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING GRAFT-POLYMERIZED LAYER, ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE例文帳に追加
グラフト重合層の形成方法、電子デバイスおよび電子機器 - 特許庁
TOMOGRAPH DEVICE FOR SUBJECT AND LAYER STRUCTURE SAMPLING METHOD例文帳に追加
被検体の断層撮影装置及び層構造抽出方法 - 特許庁
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