「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A device forming layer (an integrated solar battery forming layer 4) having the predetermined functions is laminated over this metal layer 14 to be removed, and a thin film base material 1 is then laminated over this device forming layer.例文帳に追加

この被除去金属層１４上に所定の機能を有するデバイス構成層（集積型太陽電池構成層４）を積層し、このデバイス構成層上に薄膜基材１を積層する。 - 特許庁

This wiring structure in the semiconductor device consists of a lower layer conductive region 18 formed on a semiconductor substrate 10, an upper layer wiring layer 32 formed on an insulation layer 22B for covering the lower layer conductor region 18, and a connection hole 28 that electrically connects the lower layer conductive layer to the upper layer wiring layer.例文帳に追加

半導体装置における配線構造は、半導体基板１０に形成された下層導体領域１８と、下層導体領域１８を被覆する絶縁層２２Ｂ上に形成された上層配線層３２と、下層導体層と上層配線層とを電気的に接続する接続孔２８とから成る。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor layer on an insulated surface, wet-oxidizing the edge of the semiconductor layer to form a first insulation layer, forming a second insulation layer on the semiconductor layer and the first insulation layer, and forming a gate electrode on the semiconductor layer and the first insulation layer via the second insulation layer.例文帳に追加

絶縁表面上に半導体層を形成し、半導体層の端部をウェット酸化して第１の絶縁層を形成し、半導体層上および第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層を介して、半導体層上および第１の絶縁層上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor layer formed on a substrate, an insulating layer, the semiconductor layer while is so patterned as to expose a part of the semiconductor layer, a barrier layer formed over parts of the exposed insulating layer and semiconductor layer, and a conductive layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体デバイスは、基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層の一部を露出させるようにパターニングされた絶縁層と、絶縁層および半導体層の露出部分上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された導電層とを含んでいる。 - 特許庁

An adhesive b between the semiconductor device C of a first layer and the semiconductor F of a second layer is different in material from an adhesive c between the semiconductor device F of the second layer and the semiconductor device G of a third layer.例文帳に追加

第１層目の半導体装置Ｃと第２層目の半導体装置Ｆとの間の接着剤ｂと、第２層目の半導体装置Ｆと第３層目の半導体装置Ｇとの間の接着剤ｃとは、材質が異なる。 - 特許庁

This manufacturing device 100 of a light emitting device is equipped with a luminous layer forming device 107, a cathode forming device 108, and a sealing device 110.例文帳に追加

発光装置の製造装置１００は、発光層形成装置１０７と、カソード形成装置１０８と、封止装置１１０と、を備える。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ADHESIVE LAYER USED THEREFOR例文帳に追加

液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、及びそれに用いる粘着層 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ALIGNMENT LAYER, METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE, LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND RETARDATION PLATE例文帳に追加

配向膜の製造方法、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び位相差板 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LAYER例文帳に追加

有機電界発光素子の作製方法、有機電界発光素子、及び有機電界発光層 - 特許庁

DEVELOPER LAYER DETECTION DEVICE, DEVELOPING DEVICE USING THE SAME, AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

現像剤層検出装置並びにこれを用いた現像装置及び画像形成装置 - 特許庁

DEVICE FOR ORGANIC LAYER DEPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

有機層蒸着装置及びこれを用いた有機発光ディスプレイ装置の製造方法 - 特許庁

INFILTRATION LAYER DIGGING-OUT DEVICE FOR EMBEDDED CULVERT AND THE DIGGING-OUT DEVICE FOR EMBEDDED CULVERT例文帳に追加

埋設済みの暗渠排水管の浸透層掘出装置及び暗渠排水管掘出装置 - 特許庁

GLASS MEMBER WITH SEALING MATERIAL LAYER, ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR COPPER LAYER, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅層の形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置 - 特許庁

THIN LAYER TRANSISTOR, ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE USING IT, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

薄層トランジスタ、それを用いたアクティブマトリックス型表示装置、及び、液晶表示装置 - 特許庁

OUTDOOR DAYLIGHT SHIELDING LAYER, FILTER FOR DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME例文帳に追加

外光遮蔽層、これを含むディスプレイ装置用フィルタ及びこれを含んだディスプレイ装置 - 特許庁

VIRTUAL LARGE-CAPACITY PATH CONTROL METHOD, PATH COMMUNICATION DEVICE, AND LOWER LAYER COMMUNICATION DEVICE例文帳に追加

仮想大容量パス制御方法およびパス通信装置および下位レイヤ通信装置 - 特許庁

DEVICE STRUCTURES WITH SELF-ALIGNED DAMAGE LAYER AND METHODS FOR FORMING SUCH DEVICE STRUCTURES例文帳に追加

自己整合損傷層を有するデバイス構造体及びそのデバイス構造体の形成方法 - 特許庁

EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEALING INNER LAYER OF MULTIPLY MOLDED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多重モールド半導体装置の内層封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - 特許庁

METHOD OF FORMING ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＺｎＯ半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

The semiconductor device is constituted by mounting a semiconductor device 3 on a two-layer packaging substrate 2.例文帳に追加

半導体装置は、２層のパッケージ基板２に半導体デバイス３を搭載して成る。 - 特許庁

INTERFACE ROUGHNESS REDUCING FILM, WIRING LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

界面ラフネス緩和膜、配線層、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING LOWER LAYER WIRING, AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

半導体装置、下層配線設計装置、下層配線設計方法およびコンピュータプログラム - 特許庁

To improve safety of a light emitting device by easily forming a channel layer of a light emitting device.例文帳に追加

発光素子のチャネルレイヤを容易に形成し、発光素子の安全性を向上させる。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR FORMING TRANSPARENT MOISTURE-PROOF LAYER, AND MOISTURE-PROOF OLED DEVICE例文帳に追加

透明防湿層を形成するための方法及び装置並びに防湿型ＯＬＥＤデバイス - 特許庁

The drive panel 10 includes organic light-emitting devices 10R, 10G, 10B on a drive substrate 11 through a drive device layer 40 and a coating layer 50 covering the drive device layer 40.例文帳に追加

駆動パネル１０は、駆動用基板１１上に、駆動素子層４０およびこれを覆う被覆層５０を介して、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有している。 - 特許庁

An outside electrode 42 is connected to a P type layer 26 of the 2nd PIN device 14 and a center layer 40 is connected to an N type layer 30 of the second PIN device 14.例文帳に追加

外側電極（４２）が、第２ＰＩＮデバイス（１４）のＰ型層（２６）に接続され、中央層（４０）が第２ＰＩＮデバイス（１４）のＮ型層（３０）に接続される。 - 特許庁

COLORED COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE TRANSFER MATERIAL, SHADING LAYER FOR DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE LAYER, COLOR FILTER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, AND SHADING LAYER-HAVING SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

着色組成物及び感光性転写材料、表示装置用遮光層及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びに表示装置用遮光層付き基板 - 特許庁

According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, and a low-refractive-index layer.例文帳に追加

本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The light-emitting device 10 has: a buffer layer 22; a first-conductivity-type semiconductor layer; and a thin-film crystal layer including an active structure 25 and a second-conductivity-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。 - 特許庁

The Pd layer which is an outermost layer has its layer thickness set so that the Pd layer wears away before the magnetic one-component developer stored in the developing device is consumed.例文帳に追加

最外層であるＰｄ層は、この現像装置内に収容された磁性一成分現像剤が消費されるまでに摩耗消滅するように層厚を設定する。 - 特許庁

To improve the reliability of a wiring layer and a via plug layer in regard to a semiconductor device with the wiring layer containing copper (Cu) and the via plug layer containing aluminum (Al).例文帳に追加

Ｃｕを含有する配線層及びＡｌを含有するビアプラグ層を備える半導体装置に関し、配線層及びビアプラグ層の信頼性を向上させること。 - 特許庁

The organic electroluminescence device including at least an anode 1, a hole injection layer 2, a hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, an electron transport layer 5 and a cathode 6 is concerned.例文帳に追加

少なくとも陽極１、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、陰極６を含んでなる有機電界発光素子に関する。 - 特許庁

On the void-containing layer, a semiconductor device layer is formed, which includes an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer each made of a group III nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

空洞含有層の上に、III族窒化物系化合物半導体からなるｎ型半導体層およびｐ型半導体層を含む半導体デバイス層を形成する。 - 特許庁

In the organic semiconductor device, the conductive layer and the ohmic layer may have patterns nearly identical to each other when viewed from a direction vertical to the interfacial surface between the conductive layer and the ohmic layer.例文帳に追加

上記有機半導体基板において、導電層とオーミック層とは、導電層とオーミック層との界面に垂直な方向から見て略同一のパターンであってよい。 - 特許庁

The semiconductor device has an organic compound layer including an insulator on a first conductive layer and a second conductive layer on the organic compound layer including an insulator.例文帳に追加

第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層とを有する半導体装置とする。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor light-emitting device has: at least a first conductive type lower clad layer; a semiconductor layer containing a light-emitting layer; and a second conductive type upper clad layer on a substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体素子は、基板上に、少なくとも、第１導電型の下側クラッド層、発光層を含む半導体層、第２導電型の上側クラッド層を有する。 - 特許庁

A silicon layer 3 is formed on an underlying layer 2 formed on a substrate 1 and then annealed to recrystallize the layer 3, whereby a device-forming layer is obtained.例文帳に追加

基板１上に成膜された下地層２上にシリコン層３を堆積した後、これをアニール処理し、シリコン層３を再結晶化させることでデバイス形成層を得る。 - 特許庁

The device further includes a protective layer covering the resistance variable material layer within the trench, and a second insulating layer located within the trench and covering the protective layer within the trench.例文帳に追加

前記素子は、前記トレンチの内の可変抵抗物質膜を覆う保護膜、及び前記トレンチの内に位置し、前記トレンチの内の保護膜を覆う第２絶縁膜をさらに含む。 - 特許庁

This nitride compound semiconductor light-emitting device is equipped with an active layer 5 which is pinched between an upper and a lower clad layer, 4 and 6, and a current blocking layer 8a having an opening that serves as a current path is formed on the active layer 5.例文帳に追加

上下クラッド層４、６で挟まれた活性層５上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層８ａが設けられている。 - 特許庁

In the organic EL display device, a red light emitting layer 16CR and a green light emitting layer 16CG are formed by means of a coating method, and a blue light emitting layer 16CB is formed by means of a vapor deposition method as a common layer.例文帳に追加

赤色発光層１６ＣＲおよび緑色発光層１６ＣＧを塗布法、青色発光層１６ＣＢを蒸着法により共通層として形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device has a wiring layer having a three-layered structure of a first common wiring layer 101a, a customized layer 102, and a second common wiring layer 101b.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、配線層を下から第１の共通配線層１０１ａ、カスタマイズ層１０２、第２の共通配線層１０１ｂの３層構造とした。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate or a conductive layer (first conductive layer) 101, a second conductive layer 107, a catalyst layer 106 and a conductor 104.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.例文帳に追加

一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁

The ceramic package 10 for a light-emitting device is provided with a ceramic substrate 11, a metallized layer 42, a first nickel layer 43, a second nickel layer 44, a reflection metal layer 45, etc.例文帳に追加

本発明の発光素子用セラミックパッケージ１０は、セラミック基板１１、メタライズ層４２、第１ニッケル層４３、第２ニッケル層４４、反射金属層４５などを備える。 - 特許庁