「device layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 20, a first layer 30, and a second layer 40.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板２０と、第１層３０と、第２層４０とを備える。 - 特許庁

PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION OF PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND PRODUCTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層の製造方法、光起電力素子の製造方法及び半導体層の製造装置 - 特許庁

INORGANIC ALIGNMENT LAYER, INORGANIC ALIGNMENT LAYER FORMING METHOD, SUBSTRATE FOR ELECTRONIC DEVICE, LIQUID CRYSTAL PANEL AND ELECTRONIC APPLIANCE例文帳に追加

無機配向膜、無機配向膜の形成方法、電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SINGLE LAYER CARBON NANOTUBE, AND METHOHD FOR PRODUCING SINGLE LAYER CARBON NANOTUBE-APPLIED DEVICE例文帳に追加

単層カーボンナノチューブの製造方法および単層カーボンナノチューブ応用装置の製造方法 - 特許庁

ANTIREFLECTION LAYER, MANUFACTURING METHOD OF ANTIREFLECTION LAYER, OPTICAL FILM, POLARIZING PLATE, AND PICTURE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

反射防止層、反射防止層の作製方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置 - 特許庁

DEVICE STRUCTURE HAVING SEMIPOLAR NITRIDE, AND CHARACTERIZED IN NITRIDE NUCLEATION LAYER OR BUFFER LAYER例文帳に追加

半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE LAYER ON GATE OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ANNEALING THE NITRIDE LAYER例文帳に追加

半導体装置のゲート酸化膜上に窒化珪素層を形成し、窒化物層を熱処理する方法 - 特許庁

FILM-DEPOSITING METHOD OF ANTIREFLECTION LAYER PROVIDED WITH ANTIFOULING LAYER AND FILM-DEPOSITING DEVICE THEREFOR例文帳に追加

防汚層を備えた反射防止層の成膜方法及び同成膜を行うための成膜装置 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF METAL OXIDE PRECURSOR LAYER, PRODUCTION METHOD OF METAL OXIDE LAYER, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

金属酸化物前駆体層の作製方法、金属酸化物層の作製方法及び電子デバイス - 特許庁

FORMING METHOD OF AuSn LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING AuSn LAYER例文帳に追加

ＡｕＳｎ層の形成方法及びＡｕＳｎ層を有する半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

FLEXIBLE MULTI LAYER WIRING BOARD, FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE MULTI LAYER WIRING BOARD例文帳に追加

フレキシブル多層配線板、フレキシブル半導体装置及びフレキシブル多層配線板の製造方法 - 特許庁

ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR MONITORING DEVICE AND METHOD OF PREDICTING REMAINING LIFE TIME OF THE ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR例文帳に追加

電気二重層キャパシタシステムの監視装置及び電気二重層キャパシタの余寿命予測方法 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type body region 10 is formed in the surface layer portion of an N-type epitaxial layer 6.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層６の表層部には、Ｐ型のボディ領域１０が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device 1 comprises a substrate side reflection layer 3 formed on a substrate 2, an n-type clad layer 4, a light emitting layer 5, a p-type clad layer 6, a p-type contact layer 7, and an electrode side reflection layer 8.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２上に形成された基板側反射層３と、ｎ型クラッド層４と、発光層５と、ｐ型クラッド層６と、ｐ型コンタクト層７と、電極側反射層８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulating layer, a first silicon layer arranged on the insulating layer, and a field effect transistor (FET) arranged in the first silicon layer as well as on the first silicon layer, above the insulating layer.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁層と、絶縁層上に配置された第１シリコン層と、絶縁層の上方で第１シリコン層内および第１シリコン層上に配置された電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、を含む。 - 特許庁

This plasma treatment device 10 is provided with: a first electrode layer 2A; a first ceramic layer 1A for embedding the first electrode layer 2A therein; a second electrode layer 2B; and a second ceramic layer 1B for embedding the second electrode layer therein.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、第一の電極層２Ａ、第一の電極層２Ａを埋設する第一のセラミック層１Ａ、第二の電極層２Ｂ、および第二の電極層を埋設する第二のセラミック層１Ｂを備える。 - 特許庁

A multi-layer electric device comprises a first layer 50 comprising PbZr1-xTixO3, SrBi2Ta2O9, BaSrxTi1-xO3, or other ferroelectric material, second layer 12 comprising non-ferroelectric material, and diaphragm layer 48 provided between the first layer and the second layer.例文帳に追加

多層電気装置はPbZr_1-xTi_xO_3，SrBi_2Ta_2O_9，BaSr_xTi_1-xO_3あるいは他の強誘電材料を含む第1の層（５０）と非強誘電材料を含む第2の層（１２）と前記第1の層と前記第2の層との間に配置される隔壁層（４８）とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device uses a compound semiconductor material as a semiconductor layer, forms a buffer layer containing conductive organic compound and inorganic compound respectively between the semiconductor layer and a source electrode layer, and between the semiconductor layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has an SOI substrate structure, comprising a semiconductor support substrate, an insulating layer formed on the semiconductor support substrate, and an SOI layer formed on the insulating layer.例文帳に追加

また、素子破壊に至る許容電力を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An FS (Field Stop) layer 2a, p^++-type collector layer 1a, and n^++-type cathode layer 1b are formed, in advance, before forming a MOS device structure.例文帳に追加

ＭＯＳデバイス形成前に予めＦＳ層２ａやｐ^++型コレクタ層１ａおよびｎ^++型カソード層１ｂを形成する。 - 特許庁

ALIGNMENT LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND COMPOSITION FOR FORMING ALIGNMENT LAYER, AND LIQUID CRYSTAL CELL HAVING ALIGNMENT LAYER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

配向膜、その製造方法及び配向膜形成用組成物、ならびにそれを有する液晶セル及び液晶表示装置 - 特許庁

The optical device includes a shaped layer 11, an optical function layer 13, and an embedding resin layer 12.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る光学素子は、形状層１１と、光学機能層１３と、包埋樹脂層１２とを具備する。 - 特許庁

To excellently form a poreseal insulating layer covering a porous insulating layer in a semiconductor device including the porous insulating layer.例文帳に追加

ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。 - 特許庁

The device (16) comprises a reference layer (20c) and a storage layer (20a) separated by a semiconductor or insulating layer (20b).例文帳に追加

前記装置（１６）は、半導体又は絶縁体の層（２０ｂ）によって分離された基準層（２０ｃ）と記憶層（２０ａ）とを備える。 - 特許庁

To provide a laser beam machining device capable of forming a large hole on an insulating layer and a metal layer on the insulating layer in a short time.例文帳に追加

絶縁層及びその上の金属層に、短時間で大きな穴を形成することが可能なレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

An FS layer 2a, a p^++-type collector layer 1a, and an n^++-type cathode layer 1b are previously formed before an MOS device is formed.例文帳に追加

ＭＯＳデバイス形成前に予めＦＳ層２ａやｐ^++型コレクタ層１ａおよびｎ^++型カソード層１ｂを形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device including a transistor having an oxide semiconductor layer, the oxide semiconductor layer is provided for a trench formed in an insulation layer.例文帳に追加

また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。 - 特許庁

When an amorphous silicon layer of a photodiode device 18 on the etching stopper layer 35 is etched, the circuit board 17 is protected by the etching stopper layer 35.例文帳に追加

エッチングストッパ層35上でフォトダイオード素子18のアモルファスシリコン層をエッチングする際、エッチングストッパ層35で回路基板17を保護する。 - 特許庁

If a sufficient film thickness is given to the titan nitride layer and then the titan layer is removed, a device having the titan nitride layer as a substrate is obtained.例文帳に追加

窒化チタン層に十分な膜厚を与えておいて、チタン層を除去すれば窒化チタン層を基板とした素子が得られる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the amorphous silicon layer 103 is deposited on an aluminum layer 102, then is subjected to anneal thereby undergoing layer conversion.例文帳に追加

アルミニウム層１０２上に非晶質シリコン層１０３を堆積した後、アニールを行うことで層転換を行わせる。 - 特許庁

FILM THICKNESS MEASURING DEVICE FOR COAT LAYER OF THIN-FILM COATED FINE POWDER, AND THE FILM THICKNESS MEASURING DEVICE例文帳に追加

薄膜コート微粉体のコート層膜厚測定方法および膜厚測定装置 - 特許庁

MANUFACTURING DEVICE AND METHOD OF ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE例文帳に追加

配向膜の製造装置、配向膜の製造方法、液晶装置、及び電子機器 - 特許庁

FORMING MEMBER OF DEVELOPER LAYER AND DEVELOPING DEVICE AND IMAGE FORMING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

現像剤層形成部材、これを用いた現像装置および画像形成装置 - 特許庁

TRANSPARENT PROTECTIVE LAYER, LIGHT DIFFUSING PLATE FOR BACKLIGHT, BACKLIGHT DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

透明保護層、バックライト用光拡散板、バックライト装置および液晶表示装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR OPTICAL MEASUREMENT FOR THICKNESS OF DIELECTRICS LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体デバイス内の誘電体層厚さの光学的測定方法及び装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, LIGHT IRRADIATION DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

液晶配向膜の製造方法、光照射装置及び液晶表示装置 - 特許庁

This dampening device 1 is pref. constituted as an emulsion thin layer dampening device.例文帳に追加

この湿し装置１は有利にはエマルジョン薄層湿し装置として構成されている。 - 特許庁

STABLE RESISTANCE LAYER FOR FIELD EMISSION DEVICE, FIELD EMISSION DEVICE AND DISPLAY例文帳に追加

電界放出装置のための安定抵抗層、電界放出装置およびディスプレイ - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER, DEPOSITING METHOD, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR LUMINESCENT DEVICE例文帳に追加

半導体層とその成膜方法、半導体発光素子、及び半導体発光装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体装置の製造方法、半導体装置および半導体層の形成方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING COATING LAYER OF GLASS PLATE GLASS PLATE MACHINING DEVICE HAVING THE DEVICE例文帳に追加

ガラス板の皮膜層を除去する方法及びその装置並びにその装置を具備したガラス板加工装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR ELIMINATING MEMBRANE LAYER ON GLASS PANE AND DEVICE FOR PROCESSING GLASS PANE PROVIDED WITH ITS DEVICE例文帳に追加

ガラス板の皮膜層除去方法及びその装置並びにその装置を具備したガラス板の加工装置 - 特許庁

FORMING METHOD OF ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DEVICE AND PROJECTION TYPE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

配向膜の形成方法、液晶装置、液晶装置の製造方法及び投射型表示装置 - 特許庁

The semiconductor laser device has a multilayer structure comprising an n-AlInP clad layer, super-lattice active layer section, p-AlInP first clad layer, GaInP etching stop layer, p-AlInP second clad layer, GaInP protective layer, and p-GaAs contact layer.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層、超格子活性層部、ｐ−ＡｌＩｎＰ第一クラッド層、ＧａＩｎＰエッチングストップ層、ｐ−ＡｌＩｎＰ第二クラッド層、ＧａＩｎＰ保護層、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層構造を備える。 - 特許庁