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device layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21675件
The electrode of the semiconductor optical device is formed of three layers including an adhesive layer, a diffusion prevention layer, and an Au layer, and the stepped shape or the taper shape is formed by a difference of the thickness of the Au layer or the thickness of the adhesive layer/diffusion prevention layer/Au layer.例文帳に追加
半導体光装置の電極は、接着層/拡散防止層/Auの3層で形成され、ステップ形状またはテーパ形状は、Au層の膜厚差または接着層/拡散防止層/Auの膜厚さにより、形成される。 - 特許庁
The electroluminescent device comprises a first electrode layer 201, a phosphor layer 202 on the first electrode layer 201, a layer 203 with permanent accumulated charges on the phosphor layer 202, and a second electrode layer 204 on the layer 203 with permanent accumulated charges.例文帳に追加
エレクトロルミネセント素子は、第1電極層201と、第1電極層201上の蛍光体層202と、蛍光体層202上の蓄積電荷保持層203と、蓄積電荷保持層203上の第2電極層204とを含む。 - 特許庁
IMAGE CARRIER PROTECTING AGENT, PROTECTION LAYER FORMING DEVICE, PROCESS CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加
像担持体保護剤、保護層形成装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - 特許庁
COATING LAYER DETECTION METHOD AND DEVICE AND CYLINDRICAL STICKING METHOD AND DEVICE USING IT例文帳に追加
塗布層検知方法及び装置、及びそれを用いた筒貼り方法及び装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
半導体層とこの半導体層を用いた半導体装置および表示装置 - 特許庁
UPPER LAYER METAL POWER SUPPLY STANDARD CELL, AREA COMPRESSION DEVICE AND CIRCUIT OPTIMIZING DEVICE例文帳に追加
上層メタル電源スタンダードセル、面積圧縮装置および回路最適化装置 - 特許庁
DEVICE FOR SHUTTING OFF AIR LAYER ACCOMPANYING ROTATION OF GRINDING WHEEL AND GRINDING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
砥石連れ回り空気層遮断装置及び同装置を用いた研削装置 - 特許庁
DEVELOPER LAYER FORMING MEMBER AND DEVELOPING DEVICE AND IMAGE FORMING DEVICE USING THE MEMBER例文帳に追加
現像剤層形成部材、それを用いた現像装置および画像形成装置 - 特許庁
METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER, METHOD OF MANUFACTURING MEMS DEVICE, AND MEMS DEVICE例文帳に追加
犠牲層のエッチング方法、MEMSデバイスの製造方法およびMEMSデバイス - 特許庁
The organic EL device has a positive electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light-emitting layer 5, an electron transport layer 6, and a negative electrode 7, which are stacked on a substrate.例文帳に追加
基板上に正電極2、正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、負電極7が積層されている。 - 特許庁
The method for manufacturing the CMOS device of the double vertical channel thin film transistor comprises the steps of covering a gate layer 20 formed on a substrate 10 with a first insulating layer 30, and forming a semiconductor layer 40 on the first insulating layer.例文帳に追加
基板10上に形成されたゲート層20を第一絶縁層30で被覆し、第一絶縁層上に半導体層40を形成する。 - 特許庁
An upper metal layer 27 as a protective layer is formed on a top surface of a uppermost free layer 26 of the magnetoresistance effect layer forming a TMR device 2.例文帳に追加
TMR素子2を構成する磁気抵抗効果層の最上層のフリー層26の上面の上面に、保護膜として、上部金属層27を形成する。 - 特許庁
The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加
n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。 - 特許庁
The copper layer, the second barrier layer, and the aluminum barrier layer are polished to the upper face of the dielectric layer to form a copper interconnection and complete an IC device.例文帳に追加
銅層、第2バリア層及びアルミニウム・バリア層が誘電層の頂面に至るまでポリッシングされて、銅配線を画成し、集積回路装置を完了する。 - 特許庁
The light emitting device structure 11 consisting of a lower clad layer containing Al, an active layer, and an upper clad layer containing Al is formed on the underlying layer 21.例文帳に追加
下地層21の上に、Alを含む下部クラッド層と、活性層と、Alを含む上部クラッド層からなる発光素子構造11を形成する。 - 特許庁
The conductor layer 2G serves as a grounding conductor layer 2G connected to the grounding terminal of the surface acoustic wave device 20, and the conductor layer 2 serves as the other conductor layer.例文帳に追加
導体層2Gは、弾性表面波素子20の接地用端子に接続される接地導体層であり、導体層2はその他の導体層である。 - 特許庁
An electroluminescence display unit 16 (an organic EL device) has a transparent substrate 27, an anode layer 31, an insulating layer 40, an organic layer 45, and a cathode layer 50.例文帳に追加
発光表示部16(有機EL素子)は、透明基板27と、陽極層31と、絶縁層40と、有機層45と、陰極層50とを備える。 - 特許庁
For a ferroelectric layer of the magnetoresistive device, an exchange coupling type ferrimagnetic layer or an amorphous layer and interface magnetic layer is used to reduce a diamagnetic field.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。 - 特許庁
The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加
n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。 - 特許庁
In the semiconductor laser device, an active layer is formed on a p-side clad layer side and an n-side guide layer has an index of refraction higher than the p-side guide layer.例文帳に追加
半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。 - 特許庁
A one-layer metal wiring layer 20b and a two-layer metal wiring layer 40b to be a large pattern are laid on regions 13b of a semiconductor device 1.例文帳に追加
半導体装置1の領域13bには、大パターンである1層金属配線層20bおよび2層金属配線層40bが配置されている。 - 特許庁
To provide a layer-to-layer slippage preventive device of multilayer stacked sheets capable of certainly preventing layer-to-layer slippage easy to be caused when printing on the multilayer stacked sheets.例文帳に追加
多層重ね用紙に印字する際に生じやすい層間ずれを確実に防止することのできる多層重ね用紙の層間ずれ防止装置を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a semiconductor layer; and a semi-insulating layer formed on the semiconductor layer and having electric conductivity lower than that of the semiconductor layer.例文帳に追加
半導体装置であって、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。 - 特許庁
An optical device (300) includes in sequence a silicon dioxide layer (304), a buried silicide layer (306), a contact layer (308) and a silicon surface layer (310).例文帳に追加
二酸化シリコン層(304)と、埋込ケイ化物層(306)と、接点層(308)と、シリコン表面層(310)とをこの順に含む光学デバイス(300)。 - 特許庁
A liquid crystal device comprises: a front electrode layer; a rear electrode layer; and liquid crystal material located between the front electrode layer and the rear electrode layer.例文帳に追加
液晶デバイスは、正面電極層、背面電極層、及び正面電極層と背面電極層との間に位置する液晶材料料を備える。 - 特許庁
That is, a semiconductor device including the source electrode layer, an oxide semiconductor layer in contact with the source electrode layer, the drain electrode layer in contact with the oxide semiconductor layer, the gate electrode layer part of which overlaps with the source electrode layer, the drain electrode layer, and the oxide semiconductor layer, and a gate insulation layer in contact with entire surface of the gate electrode layer is provided.例文帳に追加
つまり、ソース電極層と、ソース電極層に接した酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接したドレイン電極層と、一部がソース電極層、ドレイン電極層および酸化物半導体層と重畳したゲート電極層と、ゲート電極層の全ての面に接するゲート絶縁層と、を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁
FULL-COLOR ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING COLOR ADJUSTMENT LAYER例文帳に追加
カラー調節層を有するフールカラー有機電界発光素子 - 特許庁
BOARD WITH BASE LAYER, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加
下地層付き基板、磁気記録媒体及び磁気記録装置 - 特許庁
To improve the yield of a video display device constituted so that the layer of a micro optical device is layered on the layer of a micro actuator.例文帳に追加
マイクロアクチュエータの層に、マイクロ光学素子の層を積層した構成の映像表示デバイスの歩留まりを向上する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR例文帳に追加
電気二重層キャパシタの製造方法および製造装置 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR REMOVING LINING LAYER OF FIRE RESISTANT WALL例文帳に追加
耐火壁のライニング層の除去装置及び除去工法 - 特許庁
OPTICAL DISK DEVICE AND FOCUSING LAYER DISCRIMINATING METHOD FOR OPTICAL DISK例文帳に追加
光ディスク装置及び光ディスクの合焦層判別方法 - 特許庁
THICKNESS MEASURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL LAYER AND THICKNESS MEASURING DEVICE THEREOF例文帳に追加
液晶層の厚み測定方法および厚み測定装置 - 特許庁
ELECTROCONDUCTIVE POLYMER, ELECTROCONDUCTIVE LAYER, ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
導電性高分子、導電層、電子デバイスおよび電子機器 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND COMPOSITION FOR FORMING LIQUID CRYSTAL LAYER例文帳に追加
液晶表示装置及び液晶層形成用組成物 - 特許庁
To provide a polymer device of a layer structure of a polymer.例文帳に追加
ポリマーの層状構造体のポリマーデバイスを提供すること。 - 特許庁
To reduce height of a layer structure of a photoelectric conversion device.例文帳に追加
光電変換装置の層構造の高さを低減する。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING DOUBLE LAYER SLIDE BEARING例文帳に追加
複層滑り軸受の製造方法及びその製造装置 - 特許庁
SUBSTRATE WITH SUBSTRATE LAYER, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加
下地層付き基板、磁気記録媒体及び磁気記録装置 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR SELECTIVELY READING MULTIPLEX HOLOGRAM RECORDING LAYER例文帳に追加
多重ホログラム記録層選択読み取り方法及び装置 - 特許庁
PROTECTIVE LAYER FORMING DEVICE, IMAGE FORMING APPARATUS AND PROCESS CARTRIDGE例文帳に追加
保護層形成装置、画像形成装置およびプロセスカートリッジ - 特許庁
To form a protective layer simply and inexpensively by the same device.例文帳に追加
同一の装置で、簡便かつ安価に保護層を形成する。 - 特許庁
TRANSFER FILM FOR MULTIPLE PARALLEL LAMINATION, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH RESIN LAYER, SUBSTRATE WITH RESIN LAYER, MATERIAL FOR DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
多丁ラミ用転写フィルム、樹脂層付き基板の製造方法、樹脂層付き基板、表示装置用材料、表示装置 - 特許庁
ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING STATE OF ITS PHYSICAL LAYER CIRCUIT例文帳に追加
電子機器およびその物理層回路のステート制御方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INTRA-LAYER LENS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
TRANSLUCENT LAYER OF LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加
発光ダイオード装置の透光層及びその形成方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING BARRIER LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
バリア層形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
INTER-LAYER MOVING METHOD AND DEVICE FOR OPTICAL MULTI- LAYER RECORDING MEDIUM, AND INFORMATION SIGNAL RECORDING AND/OR REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
光学式多層記録媒体の層間移動方法、層間移動装置、及び情報信号の記録及び/または再生装置 - 特許庁
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