「electric burn」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The fuel cell system 1 is provided with a power generation cell 8 to take out electric power by electrochemical reaction of fuel gas, the combustor 9 to burn non-reacted fuel gas discharged from the power generation cell 8, and combustion fuel supply passage 61, 68 to transfer the non-reacted gas from the power generation cell 8 to the combustor 9.例文帳に追加

燃料ガスの電気化学反応により電力を取り出す発電セル８と、発電セル８から排出される未反応の燃料ガスを燃焼させる燃焼器９と、発電セル８から燃焼器９へ未反応の燃料ガスを搬送する燃焼燃料供給流路６１，６８とを備える燃料電池システム１である。 - 特許庁

The electric foot warmer A is provided inside with far infrared radiation generating parts 1 each provided with a paint film 12 containing powder tourmaline, on the surface of aluminum foil 11, and a low temperature burn preventing net 13 provided to protect the paint film 12 containing powder tourmaline, and generates far infrared radiation under heating.例文帳に追加

アルミ箔１１の表面に粉末トルマリンを含有する塗膜１２を設層するとともに、該粉末トルマリン含有塗膜１２を保護するように低温火傷防止用ネット１３が設けられた遠赤外線発生部１をこたつの内部に設け、加温下に遠赤外線を発生させることを特徴とする電気こたつＡ。 - 特許庁

A first type of fuse, e.g. a laser actuation fuse, is principally used for repairing a wafer level defect and a second type of fuse, e.g. an electric starting fuse, is used for repairing a defect found after an IC chip is mounted on a module and a stress is applied to the module during burn-in test.例文帳に追加

第１タイプのヒューズ、例えばレーザ起動ヒューズが、主としてウェハ・レベルの欠陥を修復するために使用され、第２タイプのヒューズ、例えば電気起動ヒューズが、モジュール上にＩＣチップを搭載し、バーンイン・テストでモジュールに応力をかけた後に見つかった欠陥を修復するために使用される。 - 特許庁

Protection diodes D11, D13, D15 within the semiconductor device are turned on when a PIN 1 terminal of the burn-in substrate 2 is connected normally to a control terminal of the the semiconductor device to make a current flow into an electric power source VCC side, a voltage of the PIN 1 terminal goes down thereby in the vicinity of 0 V, and a monitor output comes to zero therein.例文帳に追加

バーンイン基板２のＰＩＮ１端子と半導体装置の制御端子との接触が正常である場合には、半導体装置内の保護ダイオードＤ１１、Ｄ１３、Ｄ１５がＯＮとなり電源ＶＣＣ側へ電流が流れ込むため、ＰＩＮ１端子の電圧は０Ｖ近くまで降下し、モニター出力は０Ｖとなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof for suppressing a drop in yield in manufacture to overcome the problem that the yield in manufacture may drop in manufacturing a semiconductor device by performing wafer burn-in while covering with an insulating resin an electrode terminal of a semiconductor integrated circuit element determined to be defect by performing an electric characteristic test on the semiconductor integrated circuit element of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの半導体集積回路素子に対し電気特性の試験を行い、その試験で不良であると判断された半導体集積回路素子の電極端子を絶縁性樹脂で覆ったのちにウェハバーンインを行い、半導体装置を製造すると、製造歩留まりが低下する場合があり、製造歩留低下を抑制するための半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁