「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

The light source device comprises a cathode structure, an anode structure, a fluorescent layer disposed between the cathode structure and the anode structure, and a low-pressure gas layer filled between the cathode and anode structures and having an electroconductive function, wherein the low-pressure gas layer has a mean free electron path capable of causing at least sufficient quantities of electrons to directly hit the fluorescent layer at the operating voltage.例文帳に追加

カソード構造と、アノード構造と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に配置された蛍光層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に充填され、導電の機能を有する低圧ガス層とを備え、前記低圧ガス層は、作動電圧の下で少なくとも十分な量の電子を前記蛍光層に直接的に衝突させる電子平均自由行程を備えている。 - 特許庁

In detecting defects in a TFT array on a TFT substrate by applying a voltage to the TFT array and detecting secondary electrons obtained by irradiation with an electron beam, the voltage pattern of applying the voltage to the source and/or the gate of the TFT is set to such characteristics parameters as increase a leak current due to an internal leak in the TFT depending on the voltage level and/or the timing of application.例文帳に追加

ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁

An SEM image formed by signals obtained by scanning electrons on a sample is obtained by an electrooptical system composed of an electron source for generating the electrons on a silicon substrate with a part of a semiconductor integrated circuit formed thereon, and an electromagnetic lens or electrostatic lens; a reference image is obtained by averaging a plurality of images or by automatic generation from design data; and shape dispersion and superposition accuracy of a pattern are statistically calculated by comparing them.例文帳に追加

半導体集積回路の一部が形成されたシリコン基板上で、電子を発生させる電子源と電磁レンズあるいは静電レンズからなる電子光学系により試料上で上記電子を走査して得られる信号により構成したＳＥＭ画像を取得して、複数の画像を平均化あるいは設計データから自動生成によって参照画像をもとめ、比較して、パターンの形状ばらつきや重ねあわせ精度を統計的に算出する。 - 特許庁

This method for forming a thin film comprises the steps of: evaporating a film material 6 by heating it in a vacuum; negatively ionizing the evaporated material by attaching electrons with low energy emitted from an electron source 9 to the evaporated film material; and accelerating the ionized evaporated material toward a substrate 2 to be treated by using an electric field (101), to vapor-deposit the material on the substrate.例文帳に追加

膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料を蒸発させる工程と、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、電子源９から放出された低エネルギーの電子を付着させ、該蒸発材料を負イオン化する工程と、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板２に向けて加速し、該被処理基板上に該材料を蒸着させる工程とを有し、薄膜を形成する構成とする。 - 特許庁