「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

A neutral atom of the element contained in the hair is ionized in the ion source 40 by electron beam irradiation or light irradiation, to mass-analyze an ion obtained therein of the element contained in the hair, by the analytical part 50.例文帳に追加

イオン源４０では、毛髪含有元素の中性原子を電子線照射または光照射によってイオン化し、これにより得られる毛髪含有元素のイオンを分析部５０で質量分析する。 - 特許庁

In addition, a field emission type electron supplying source 110 constituted of, for example, a plurality of carbon nanotubes is provided on the surface facing the lower electrode 102 of the upper electrode 103 which becomes an anode.例文帳に追加

加えて、アノードとなる上部電極１０３の下部電極１０２との対向面に、例えば複数のカーボンナノチューブから構成された電界放出型の電子供給源１１０を備える。 - 特許庁

Semiconductive films 20b are formed on surface of an insulating member 20a to constitute the spacer 20, and these semiconductive films 20b are connected electrically to the electron source 11 and the metal back electrode 19.例文帳に追加

スペーサ２０は、絶縁性部材２０ａの表面に半導電性膜２０ｂを形成したもので、この半導電性膜２０ｂが、電子源１１およびメタルバック１９に対して電気的に接続される。 - 特許庁

A TFT configuration 70 included in the electron device or the thin-film transistor comprises a gate electrode 78, an insulating layer 74, a source electrode 80, a drain electrode 82, a semiconductor layer 72 and a barrier layer 86.例文帳に追加

電子デバイスまたは薄膜トランジスタに含まれるＴＦＴ構成７０は、ゲート電極７８と、絶縁層７４と、ソース電極８０と、ドレイン電極８２と、半導体層７２と、バリヤー層８６と、を備える。 - 特許庁

The generation of a polarization phenomenon is prevented by repeating electrophoresis deposition and baking until an electron emission source is formed by the deposition of a plurality of carbon nanotubes on a cathode electrode layer.例文帳に追加

また、カソード電極層上に複数のカーボンナノチューブが均一に堆積されて電子放射源が形成されるまで電気泳動堆積とベーキングとを繰り返すことによって、分極現象の発生を抑制する。 - 特許庁

By adjusting film forming conditions such as temperature at spattering the upper part electrode AED constituting an electron source ELS on the cathode substrate SUB1, surface unevenness is increased, and reflectivity is reduced.例文帳に追加

カソード基板ＳＵＢ１上の電子源ＥＬＳを構成する上部電極ＡＥＤをスパッタする際の温度等の成膜条件を調整することにより表面凹凸を増大させ、反射率を低下させる。 - 特許庁

Electrons emitted by field emission from a cold cathode electron emission source in vacuum are made to collide against the ultraviolet phosphor thin film 4 at a high speed, thereby the film 4 is excited by the electrons to emit UV light.例文帳に追加

紫外蛍光薄膜４は、真空中で冷陰極電子放出源から電界放出させた電子を高速で衝突させることにより、電子により励起されＵＶ光を放出する。 - 特許庁

A ring-like electrode, provided at a periphery of the substrate as opposed to the electron source electrode, is used to generate a ring-like hollow cathode plasma that affects the variations of density distribution of the plasma.例文帳に追加

プラズマの密度分布の変化に影響を及ぼすリング状の中空陰極プラズマを作り出すために、電子源電極に対向するように基板の周囲に設けられたリング状電極が使用される。 - 特許庁

An ion source 2a is the part facing the ion drawing aperture 12 of a plasma generation vessel 4 that includes an electron-receiving aperture 26 arranged in the extension of the central axis 21 of the ion beam 20.例文帳に追加

このイオン源２ａは、プラズマ生成容器４のイオン引出し孔１２に対向する部分であって、イオンビーム２０の中心軸２１の延長線上に設けられた電子導入孔２６を有している。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor in a so-called normally-off operation wherein no current flows between the source electrode S and the drain electrode D when no voltage is applied to the gate electrode G.例文帳に追加

ゲート電極Ｇに電圧を加えていない状態では、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れないいわゆるノーマリーオフの動作する高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。 - 特許庁

X rays called synchrotron radiation and visible rays are generated through the meandering of an electron beam e^- when it passes between pairs of magnets 25a and 25b constituting an insertion light source 22 in an accelerator 21.例文帳に追加

加速器２１内の挿入光源２２を構成する複数対の磁石２５ａ、２５ｂ間を電子ビームｅ^-が通過する際電子ビームｅ^-が蛇行してシンクロトロンと呼ばれるＸ線や可視光が発生する。 - 特許庁

To provide an electron/ion source device, which suppresses effects on the functions of the device and controls the focusing of electrons/ions with a relatively simple structure, and also to provide its manufacturing method and a display device.例文帳に追加

装置の機能に与える影響を抑え、比較的簡易な構成で電子／イオンの収束を制御することが可能な電子／イオン源装置及びその製造方法と表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron source with a conductive film whose shape is considered and whose breakage is hardly caused, and its manufacturing method as well as a display device and electronic equipment.例文帳に追加

導電性膜の形状に配慮され、導電性膜において断線を起こしにくくすることができる電子源および電子源の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of suppressing the peak value of a discharge current even if discharge occurs between an electron source side and a phosphor screen side and of achieving high productivity, and to provide a manufacturing method for the image display device.例文帳に追加

電子源側と蛍光面側との間で放電が生じても、放電電流のピーク値を抑止でき、しかも生産性の高い画像表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an axial adjustment device of an ion source/electron gun device with a long life aimed at by receiving vacuum with tensile force with a movable part as a flexible plate in place of bellows and preventing generation of abnormal stress through restraint of movement of the flexible plate.例文帳に追加

イオン源・電子銃装置の軸調整装置に使用されているベローズを廃し該装置の真空部分の容積を縮小し且つ全長を短縮し、且つ調整を容易にする。 - 特許庁

The charge-up potential of the wafer W is complementarily detected by a wafer potential sensor 31 to adjust the amount of electrons generated at the electron source 28 so that this may not become negative more than predetermined.例文帳に追加

補完的に、ウェーハ電位センサ３１によってウェーハＷのチャージアップ電位を検出し、これが所定以上負にならないように電子発生源２８から発生させる電子の量を調整する。 - 特許庁

To provide a display device capable of facilitating the arrangement of spacers and of preventing the damage to an electron source formed on one substrate or a phosphor screen formed on the other substrate in arranging the spacers.例文帳に追加

スペーサの配置が容易になり、また、スペーサ配置の際に、一方基板に形成される電子源、あるいは他方の基板に形成される蛍光面に傷がつくのを防止できる表示装置を提供する。 - 特許庁

An X-ray source (radiation source) has an X-ray tube of a rotating anode type which generates X-rays when the rotating anode is irradiated with electron beams from a filament and constitutes a radiographic system along with an FPD (radiation detector) which is opposed to it across a subject.例文帳に追加

Ｘ線源（放射線源）は、フィラメントから回転陽極に電子ビームを照射することによりＸ線を発生する回転陽極型のＸ管を有しており、被検体を介して対向配置されたＦＰＤ（放射線検出器）とによりＸ線撮影システムを構成している。 - 特許庁

The transistor is provided with a source electrode 708, a drain electrode 709, a gate electrode 712 and an active layer that includes an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 10^18/cm^3 and is characterized in that the gate electrode and the source and drain electrodes are self-aligned.例文帳に追加

ソース電極７０８、ドレイン電極７０９、ゲート電極７１２、及び電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極が自己整合していることを特徴とする。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。 - 特許庁

This mass spectroscope is provided with: the ion source part for generating ions of a sample gas; a mass spectrometry part 412 for executing mass separation of the generated ions; a multipole electrode for generating two-dimensional high frequencies; a magnetic field generation means; a sample gas introduction system 409; a reaction gas introduction system 410; and an electron source 403.例文帳に追加

試料ガスのイオンを生成するイオン源部、生成されたイオンの質量分離を行なう質量分析部４１２、２次元高周波発生用多重極電極、磁場発生手段、試料ガス導入系４０９、反応ガス導入系４１０、電子源４０３を具備する。 - 特許庁

The ion beam device includes an electron source to irradiate ions to an emitter to emit the ions, and when the ion current becomes destabilized by impurities adhered to the emitter of the ion source, senses fluctuations of the ion current and irradiates the electrons to the emitter tip.例文帳に追加

本発明におけるイオンビーム装置では、イオンを放出するエミッタに電子を照射する電子源を備え、イオン源のエミッタへ付着する不純物によりイオン電流が不安定となった際には、そのイオン電流の変動を感知してエミッタ先端に電子を照射する。 - 特許庁

In the cold cathode electron source, in which a cathode electrode including the emitter causing field electron emission and gate electrodes controlling the electron emission from the emitter are spaced apart from each other by interposing an insulating region, an electrode width ratio Wk/Wg between both of the electrodes satisfies an expression of Wk/Wg≤1, wherein Wk represents the electrode width of the cathode electrode and Wg represents that of the gate electrode.例文帳に追加

電界電子放出するエミッタを備えたカソード電極と該エミッタからの電子放出を制御するゲート電極とを絶縁領域を介在させて離隔配置した冷陰極電子源において、カソード電極の電極幅をＷｋ、ゲート電極の電極幅をＷｇとして、上記両電極の電極幅比Ｗｋ／ＷｇがＷｋ／Ｗｇ≦１の式を満たした構成とする。 - 特許庁

An i-GaN layer 5 (electron transit layer), an n-GaN layer 7 (compound semiconductor layer) formed over the i-GaN layer 5 (electron transit layer) and a source electrode 21s, a drain electrode 21d and a gate electrode 21g, which are formed over the n-GaN layer 7 (compound semiconductor layer), are installed.例文帳に追加

ｉ−ＧａＮ層５（電子走行層）と、ｉ−ＧａＮ層５（電子走行層）上方に形成されたｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）と、ｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）上方に形成されたソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びゲート電極２１ｇと、が設けられている。 - 特許庁

To provide an electron source and an electron beam application device wherein an emission current having high luminance and a narrow energy width, and with favorable stability is obtained, and a jointing method in which an amorphous carbon layer adhering on a carbon nanotube surface can be greatly reduced at the time of jointing the carbon nanotubes and a conductive base material.例文帳に追加

高輝度・狭エネルギー幅かつ高安定なエミッション電流が得られる電子源およびそれを搭載した電子ビーム応用装置を提供するとともに、カーボンナノチューブと導電性基材との接合時にカーボンナノチューブ表面に付着するアモルファスカーボン層を大幅低減できる接合法を提供することにある。 - 特許庁

Also, the photo electron emitted by applying a monochromatic X ray from a monochromatic X-ray source 17 passes through an incidence slit part formed in the two-dimensional detector 11 and is dispersed by an energy analyzer 19, and an electron with specific energy is detected by a detector 7, thus analyzing the surface of the sample 12.例文帳に追加

また、単色Ｘ線源１７より単色Ｘ線が照射されることで放出された光電子は、二次元検出器１１に形成された入射スリット部３１を通過し、エネルギ分析器１９で分光された後、検出器７により特定エネルギの電子が検出されることで試料１２の表面分析が行われる。 - 特許庁

This electron source having a substrate 71 where at least plural electron emitting elements 74 are formed, and a member 160 installed in contact on the substrate 71, has such a characteristic as to have a temperature distribution control means 171 for compensating a temperature distribution of the substrate 71 by thermal conduction through the member 160.例文帳に追加

少なくとも、複数の電子放出素子７４が形成された基板７１と、該基板上に接触して設けられた部材１６０を有する電子源において、該部材１６０を介した熱伝導による前記基板７１の温度分布を補償するための温度分布制御手段１７１を有することを特徴とする電子源。 - 特許庁

This electron source 1 is composed of a nano-tube 2, a cathode holder 4 to hold the nano-tube 2, and a coating part 40 to coat and fix the base end part 42 of the nano-tube 2 to the cathode holder 4 under a current carrying condition, and the field emission of the electron beam 8 can be caused from the tip 2a of the nano-tube 2.例文帳に追加

本発明に係る電子源１は、ナノチューブ２と、このナノチューブ２を保持する陰極ホルダー４と、前記ナノチューブ２の基端部４２を前記陰極ホルダー４に導通状態で被覆固定するコーティング被膜部４０から構成され、ナノチューブ２の先端２ａから電子ビーム８を電界放出することができる。 - 特許庁

A subject 100 is irradiated with a low-energy X-ray below 20 keV from an X-ray source 10, a transmitted low-energy X-ray is converted and amplified into electrons by a gas electron amplifier 12, and detected by an electron detector 14, and a low-energy X-ray image of the subject 100 is formed by an X-ray image forming device 16.例文帳に追加

Ｘ線源１０から２０ｋｅＶ未満の低エネルギーＸ線を被写体１００に照射し、透過する低エネルギーＸ線をガス電子増幅器１２で電子に変換して増幅し、電子検出器１４で検出してＸ線画像形成装置１６により被写体１００の低エネルギーＸ線画像を形成する。 - 特許庁

By the above, the wiring sheet resistance of the scanning line becomes possible to reduce as low as a few m/?, and the voltage drop generated at the scanning line can be restrained in allowable range even in the case of constructing an FED with a large display surface of 40 inch by utilizing the hot electron type electron source, and an image of high quality without unevenness of brightness can be obtained.例文帳に追加

これにより、走査線の配線シート抵抗を数ｍ／？まで低減可能となり、ホットエレクトロン型電子源を利用して４０インチの大画面ＦＥＤを構成しても、走査線に生じる電圧降下量を許容範囲以下に抑えることが可能となり、輝度むらのない高品質な画像を得ることができる。 - 特許庁

At least one of the substrate 21 as the rear plate 20 and the face plate 10 is disposed within a treatment vessel, electrons are irradiated (electron beam cleaning) onto the substrate 21 or the face plate 10 from an electron source mounted within the treatment vessel to sufficiently discharge surface adsorbed gas.例文帳に追加

リアプレート２０としての基板２１およびフェースプレート１０の少なくとも一方を処理容器内に配置し、この処理容器内に設置された電子源から基板２１やフェースプレート１０に対して真空雰囲気中で電子を照射（電子線洗浄）して、表面吸着ガスを十分に放出させる。 - 特許庁

A mark based on a deposition film is formed by irradiating an electron beam 12 onto a defect of a wafer 31 which is detected by the irradiation of the electron beam 12 while supplying deposition gas 52, a sample piece is processed by a projection ion beam 22 generated from a gas ion source 21 on the basis of the mark, and the processed sample piece is extracted.例文帳に追加

電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 - 特許庁

To provide a characteristics adjusting method of an image forming device that is capable of adjusting the characteristics of a multiple electron source by a simple process and making uniform the surface emission characteristics of the image display, by utilizing the unique nature of the electron emitting element, and a manufacturing method of the image forming device, and the image forming device and the characteristics adjusting device.例文帳に追加

電子放出素子に特有の性質を利用して、簡易な工程でマルチ電子源の特性を調整し、画像表示の面内発光特性を均一にすることが可能な画像形成装置の特性調整方法、画像形成装置の製造方法、画像形成装置及び特性調整装置を提供する。 - 特許庁

A micromachining apparatus is used, which includes an AFM having a plurality of independently actuatable probes and uses an electron beam or a helium ion beam produced by a gas field ion source; wherein an isolating pattern 9 including a defect is grounded by bringing the conducting probe 6 into contact with the pattern, and then an opaque defect 8 is corrected while preventing charge-up by the electron beam 1.例文帳に追加

独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。 - 特許庁

In this electron source emitting electrons in response to input signals, a plurality of electron emission elements are arranged into a matrix in a plurality of line wirings 6 and row wirings 5 on a substrate 7, and an electrode 14 facing the row wirings nearly parallel with the line wirings is provided via a dielectric layer on the terminal section side of the row wirings.例文帳に追加

入力信号に応じて電子を放出する電子源において、基板７上に複数の行配線６と列配線５とにより複数の電子放出素子をマトリクス状に配列し、列配線の終端部側で、誘電層を介して行配線と略並行な当該列配線に対向する電極１４を設ける。 - 特許庁

An electron generation source 28 applied with a lower voltage than that of the electrode 16 kept at the lowest voltage in the drawing electrode system 14 is arranged to generate electrons towards the electron-receiving aperture 26 in the extension of the central axis 21 of the ion beam 20 upstream of the plasma generation vessel 4.例文帳に追加

プラズマ生成容器４の上流側であってイオンビーム２０の中心軸２１の延長線上には、電子導入孔２６に向けて電子３４を発生させるものであって、引出し電極系１４内の最も低い電位の電極１６よりも低い電位に保たれる電子発生源２８が設けられている。 - 特許庁

A heterojunction field effect semiconductor device includes an electron traveling layer 31; first and second electron supply layers 32, 33; a cap layer 34; a source electrode 8; a drain electrode 9; a gate electrode 10; an insulation film 11 made of a silicon oxide; and a p-type metal oxide semiconductor film 12.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層３１と、第１及び第２の電子供給層３２，３３と、キャップ層３４と、ソース電極８と、ドレイン電極９と、ゲート電極１０と、シリコン酸化物から成る絶縁膜１１と、ｐ型金属酸化物半導体膜１２とを有している。 - 特許庁

This image display device has electron sources ELS supplied with current from scanning signal wires (s) (s1, s2, S3,..., sm) through power feed electrodes ELC, and barrier ribs SPC arranged on the scanning signal wires and along the scanning signal wires; and each barrier rib SPC is arranged adjacently to the electron source ELS selected in the next scanning.例文帳に追加

走査信号配線ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍ）から給電電極ＥＬＣを介して電流が供給される電子源ＥＬＳを有するとともに、走査信号配線の上で且つこの走査信号配線に沿って設置した隔壁ＳＰＣを有し、この隔壁ＳＰＣを次の走査で選択される電子源ＥＬＳに近接して配置した。 - 特許庁

The electron beam generator has a light guide (41), a light source (42) connected to one end of the light guide, a film (43) connected to the other end of the light guide for generating electrons and a field generator for lowering the electron work function of the film to make the light discharge current generated.例文帳に追加

電子線発生装置は、光導波路(41)と、光導波路の一端に接続された光源(42)と、光導波路の他端に装着され電子を発生するための皮膜(43)と、光放出電流が発生することができるように皮膜の電子仕事関数を低下するための場発生装置と、を有する。 - 特許庁

The image display device is composed of an upper electrode AED continuing to a scanning signal wiring SED and an electron source ELS and an element separation part SEA on a part of the upper electrode AED, and the electron separation part SEA is arranged on an element separation member SEM which is arranged in contact with the scanning signal wiring SED.例文帳に追加

走査信号配線ＳＥＤ及び電子源ＥＬＳ上に連続した上部電極ＡＥＤを備え、この上部電極ＡＥＤの一部に素子分離部ＳＥＡを備えた構成で、この素子分離部ＳＥＡを前記走査信号配線ＳＥＤに接して配置した素子分離部材ＳＥＭ部分に配置した。 - 特許庁

A picture signal wire 8 is formed into a structure comprising a linear part 80 and a plurality of projecting parts 81 projecting toward a picture signal wire 8 adjacent thereto, and is structured to have an electron source 10 in each projecting part 81.例文帳に追加

映像信号配線８を直線状部８０と隣接する映像信号配線８側に突出した複数の突出部８１の構成とし、この突出部８１に電子源１０を備えた構成とした。 - 特許庁

The bacterial group symbiotically living with fungi is a gathered body of microorganisms substantially having ≤1 ppm oxygen content and symbiosing and proliferating in the presence of inorganic salts which become an electron acceptor and a carbon source and contains microorganisms, namely including Mucor indicus ATCC 90364, Myxococcus sp.例文帳に追加

酸素量を実質的に１ｐｐｍ以下とし、電子受容体となる無機塩類と、炭素源の存在下で共生増殖する菌の集合体であり、以下の菌を優占菌として含んでいる。 - 特許庁

To provide a driving method of an image display device that utilizes an electronic source, in which many surface conductive type electron discharging elements are wired into a simple matrix, and obtains sufficient luminance over a long time.例文帳に追加

多数の表面伝導型電子放出素子を単純マトリクス配線した電子源を用いた画像表示装置が、長時間にわたって十分な輝度を得られるような画像表示装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The optical element is configured so that the voltage of the voltage source is adjusted to change the optical electron current generated in irradiating the surface of the optical element with light.例文帳に追加

前記光学素子は、前記光学素子の前記表面に光が照射される際に生じる光電子電流を変化させるように、前記電圧源の電圧を調整することができるように構成されたことを特徴とする。 - 特許庁

On a surface at one side of the rear plate 10, facing the face plate 30, a field emission type electron source composed of a lower electrode 8, a strong electric field drift layer 6, and a surface electrode 7, is formed.例文帳に追加

電子源側基板たるリヤプレート１０におけるフェースプレート３０との対向面上には、下部電極８と強電界ドリフト層６と表面電極７とからなる電界放射型電子源が形成されている。 - 特許庁