「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a cold cathode electron source that has a large volume of field emission current flow, under a constant voltage for manufacturing a field emission type flat panel display (FED), a field emission type lamp (FEL), or the like, of a high luminance.例文帳に追加

高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for an electron source, a potential is applied on the line wiring of a surface conductive emission element base 101 by a buffer amplifier 107, and a potential is applied on one row wiring selected by a line selecting circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択されたの１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

In a cold cathode device, a surface layer comprised of a boron oxide (B_2O_3) or boron(B), platinum(Pt) and titanium(Ti) is formed on a field emission cold-cathode electron source of a field emission element FED mainly comprised of titanium(Ti).例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）を主体とする電界放射型素子ＦＥＤの電界放射冷陰極電子源に酸化硼素（Ｂ_２Ｏ_３）または硼素（Ｂ）と白金（Ｐｔ）チタン（Ｔｉ）からなる表面層を形成する冷陰極装置および製造方法。 - 特許庁

The electron source 10 has a region on the substrate 12 divided into a rectangular region A1 corresponding to a scanning region of a photoelectric transfer part, and a frame-like region A2 corresponding to a non-scanning region, and an outermost periphery region A3.例文帳に追加

電子源１０は、基板１２上の領域が、光電変換部の走査領域に対応する矩形状領域Ａ１と、非走査領域に対応する枠体状領域Ａ２と、最外周の周辺領域Ａ３とに分けられる。 - 特許庁

Since plasma generated by using microwaves at a frequency of not less than 1 GHz has high electron density, silicon hydride or silicon halide which is source gas can be easily dissociated, so that mass productivity of the display can be improved.例文帳に追加

周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波を用いたプラズマは電子密度が高く、原料ガスである水素化珪素またはハロゲン化珪素の解離が容易となるため、表示装置の量産性を高めることが可能である。 - 特許庁

To provide an image forming device and low-cost manufacturing method for it with mass-production, suppressing the spread of electrons emitted from an electron source, reducing the size of pixel, and realizing high definition of images, with a simple structure.例文帳に追加

電子源からの放出電子の広がりを抑え、画素サイズの小型化、画像の高精細化を簡単な構造かつ低コストで実現した画像形成装置及び大量生産が容易なその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The electron beam emission source has a protrusion 3 with a conductivity on a board 1, and part other than the tip part 3a is covered with an insulator 2, and a carbon nanotube 4 is jointed with the tip part 3a of the protrusion 3.例文帳に追加

基板１上に導電性を有する突起物３があり、この突起物３の先端３ａ以外が絶縁体２で覆われ、前記突起物３の先端３ａにカーボンナノチューブ４が接合されている電子線放出源。 - 特許庁

A treatment device composed of: an electron beam excitation ion source for generating nitrogen atom plasma with a high density and a high dissociation degree; a treatment tank for storing plasma and performing nitriding treatment; a vacuum system device; a heating apparatus; and a gaseous starting material system device is used.例文帳に追加

高密度・高解離度の窒素原子プラズマを発生させるための電子ビーム励起イオン源、プラズマを溜め窒化処理を行う処理槽，真空系装置，加熱装置，原料ガス系装置からなる処理装置を使用する。 - 特許庁

After an electron is injected from a semiconductor substrate SUB of a memory cell to a floating gate FG to execute data writing, a gate voltage VG is set to -3V, and a source voltage VS, a drain voltage VD and a substrate voltage VWELL are set to 0V.例文帳に追加

メモリセルの半導体基板ＳＵＢからフローティングゲートＦＧに電子を注入してデータ書込を実行した後、ゲート電圧ＶＧを−３Ｖ、ソース電圧ＶＳとドレイン電圧ＶＤと基板電圧ＶＷＥＬＬを０Ｖにする。 - 特許庁

The device is provided with a data signal wiring d inside a rear substrate SUB1 and a scanning signal wiring s formed with an insulating layer INS in-between, and an electron source ELS is formed at a crossing part between the data signal wiring d and the scanning signal wiring s.例文帳に追加

背面基板ＳＵＢ１の内面にデータ信号配線d、絶縁層ＩＮＳを介して形成された走査信号配線ｓを有し、データ信号配線dと走査信号配線ｓの交差部に電子源ＥＬＳが形成されている。 - 特許庁

To prevent a phenomenon wherein a beam position in the vicinity of a spacer is gradually shifted from an initially-designed value caused by a long-term drive, in a plane-type image formation device wherein an electron source substrate and anode substrate are faced with each other via the spacer.例文帳に追加

電子源基板とアノード基板とをスペーサを介して対向させてなる平面型の画像形成装置において、スペーサ近傍のビーム位置が、長時間の駆動により徐々に初期設計値からずれていく現象を防止する。 - 特許庁

To provide a self light emitting surface display device in which thermal resistance of nanotubes is improved and large-scale simplification and cost reduction of panel process can be realized, in a self light-emitting surface display device having nanotubes as the electron source.例文帳に追加

ナノチューブを電子源とした自発光平面表示装置において、ナノチューブの耐熱性を向上させ、パネルプロセスの大幅な簡略化及びコスト低減化を実現可能とする自発光平面表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus with a reducing load applied on an electron emission source array, and capable of preventing deterioration of resolution, and generation of afterimage of capacity or photoconductivity residual at the time of incidence of high-intensity light to a photoelectric conversion film.例文帳に追加

電子放出源アレイにかかる負荷を軽減しつつ、高輝度な光が光電変換膜に入射した際の解像度の劣化や容量性残像及び光導電性残量の発生を防止できる撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a filed emission type electron source device having improved the ability of reading signal charges by reducing the flow-in amount of a beam current to a shield electrode to increase the beam current amount irradiated to a target.例文帳に追加

、シールド電極へのビーム電流の流れ込み量を低減することによりターゲットへ照射するビーム電流量を増加させて、信号電荷の読み取り能力を向上した電界放出型電子源装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field emission electron source imaging apparatus capable of suppressing fluctuations of surface potential at the peripheral part of a photoelectric conversion film when a high voltage is applied in an imaging operation, and capable of stable reading of an image signal.例文帳に追加

撮像動作の際に高電圧が印加される際に光電変換膜の周辺部での表面電位の変動を抑制し、安定した画像信号読み出しを可能にする電界放出型電子源撮像装置を提供する。 - 特許庁

The member for field electron emission source in which a linear complex provided with a linear metal base on the edge part of which an conical body with a curvature radius on its top edge is arranged, and a plenty pieces of carbon nanofibers arranged on the base is improved.例文帳に追加

頂端に曲率半径を有する円錐体を端部に備えた線状の金属下地と、その上に多数本の炭素ナノファイバーとを具備した線状複合体を改良した電界電子放出源用部材を提供する。 - 特許庁

To provide a micro X-ray source which can obtain an electron beam in micron order even a low current value, prevent from deterioration by a heat generation of an emitter chip without a current leakage, and easily control convergence of a beam.例文帳に追加

電流値が低くてもミクロンオーダーのビーム径の電子ビームを得ることができ、電流リークがなく、エミッタチップの発熱等による劣化を防止することができ、ビームの収束制御が容易である微小Ｘ線源を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor element 1, a region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is non-conductive, because the depletion region 17 in the two-dimensional electron gas region 16 is depleted under the condition that the depletion region 17 is not irradiated with light.例文帳に追加

半導体素子１は、空乏領域１７に光を照射しない状態で、２次元電子ガス領域１６の空乏領域１７が空乏化しているため、ドレイン電極１１・ソース電極１２間が非導通となる。 - 特許庁

To provide highly reliable GaN based high electron mobility transistors (HEMTs) with high mass productivity by enhancing heat endurance of a source electrode and a drain electrode, and removing instability factors imposed on ohmic properties in the manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。 - 特許庁

A voltage is prevented from being concentrically-applied to a gate insulator 24, especially to a corner part of a trench part 23 so that a schottky electrode 22 formed on a AlGaN layer 20 carries (transports) electron holes into a source electrode 30.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたショットキー電極２２が、正孔をソース電極３０に流す（輸送する）ため、ゲート絶縁膜２４、特にトレンチ部２３のコーナー部に集中して電圧が印加されることがなくなる。 - 特許庁

Since this compound conductor has a work function of 5 eV or more, preferably 5.5 eV or more, the electron concentration of an oxide semiconductor film 106 can be kept so low that the leakage current between a source and a drain can be reduced.例文帳に追加

この化合物導電体は、仕事関数が５電子ボルト以上、好ましくは５．５電子ボルト以上であるので、酸化物半導体膜１０６の電子濃度を極めて低く維持でき、その結果、ソースドレイン間のリーク電流が低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor electrostatic motor which can rotate at a high speed and which has no rotation unevenness by preventing a charge from flowing out from a first impurity adding part 1b of a movable element of an electron supply source during the operation of the semiconductor electrostatic motor.例文帳に追加

半導体静電モータの動作中に、電子の供給源である可動体の第１の不純物添加部１ｂから電荷が流出するこを防ぎ、高速回転が可能な回転むらのない半導体静電モータを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron source in which the lower electrode can be patterned in cross-sectionally trapezoidal shape and the yield of manufacture can be made greater compared with the case of patterning the lower electrode using a lift-off method.例文帳に追加

下部電極を断面台形状の形状にパターニングすることができ且つリフトオフ法を利用して下部電極をパターニングする場合に比べて製造歩留まりを高めることができる電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the carbon nano-tube 500 having a very small diameter at the end is used as an electron electric field emitting source, a large emission current can be generated with a low impressed voltage.例文帳に追加

本発明によれば、端部の直径が極めて小さいカーボンナノチューブ５００を電子電界放出源として用いることにより、低い印加電圧下で大きい放出電流が得られる白色光源を提供することができる。 - 特許庁

Since the two-dimensional gas removal region 31 exists, concentration of an electron flow from the end of the source electrode 11 toward the end of the drain electrode 12 due to dynamic electric field variation can be avoided at the time of switching.例文帳に追加

２次元電子ガス除去領域３１の存在によって、スイッチング時の動的な電界変動によってソース電極１１の端部からドレイン電極１２の端部へ向かって電子流が集中することを回避できる。 - 特許庁

The cold-cathode electron source is capable of emitting electrons in a low electric field, and has a structure arranging a fiber 30 towards a horizontal direction of its longitudinal direction of the fiber to a surface of the electrode on an electrode 20.例文帳に追加

本冷陰極電子源は、低電界で電子放出が可能な電子源であって、電極２０上にファイバ３０が、その長手方向を電極の面に対して水平な方向に向けて配置されている構成を有する。 - 特許庁

Image of a specimen is formed by detecting reflected electrons 12a emitted in directions making a small angles with respect to face of the specimen by detectors 10a and 10b disposed at the side of an electron source 1 of an objective lens 7 of magnetic field leakage type.例文帳に追加

磁界漏洩形対物レンズ７の電子源１側に配置した検出器１０ａ，１０ｂにて、試料８の面に対して小さな角度をなす方向に放出された反射電子１２ａを検出して試料像を形成する。 - 特許庁

In this electron source 10, its region on a substrate 12 is divided into: a rectangular region A1 corresponding to a scanning region of a photoelectric conversion part; a frame-like region A2 corresponding to a non-scanning region thereof; and the outermost peripheral region A3.例文帳に追加

電子源１０は、基板１２上の領域が、光電変換部の走査領域に対応する矩形状領域Ａ１と、非走査領域に対応する枠体状領域Ａ２と、最外周の周辺領域Ａ３とに分けられる。 - 特許庁

An electron source 38 for He^* ionization is provided between an ionization chamber 32 and QMF 36 disposed in a vacuum chamber 31 of an MS part 30, and He^* emitted from the ionization chamber 32 is irradiated with electrons having proper energy, and thereby ionized into He^+.例文帳に追加

MS部３０の真空チャンバ３１内に配設されたイオン化室３２とQMF３６の間にHe^*電離用電子源３８を設け、イオン化室３２から出てきたHe^*に適当なエネルギーを持つ電子を照射することにより電離させてHe^+に変える。 - 特許庁

In order to lower a load of a plasma-generating power source 8 while controlling electron temperature of the plasma, a method is used in which drastic changes of outputs are avoided by continuously changing field strength of a high-frequency field as shown in (a), (b).例文帳に追加

プラズマの電子温度を制御しつつ、プラズマ発生用電源８の負担を減らすため、（ａ），（ｂ）に示すように高周波電界の電界強度を連続的に変化させて急激な出力の変化をさせない方法を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing graphite nano-fibers which cause no short circuit even when utilized for an emitter and can improve unevenness of light emitting sites in manufacturing an FED (field emission display) and to provide an electron emitting source and a display element using the obtained graphite nano-fibers.例文帳に追加

エミッタに利用しても短絡を生じさせず、ＦＥＤを作製する際の発光点の斑改善を可能とするグラファイトナノファイバの作製方法、及び得られたグラファイトナノファイバを利用した電子放出源、表示素子の提供。 - 特許庁

Even if gas is introduced during analysis, influence of the light source in the compartment A and introduced gas of a detector is minimized, operation of an electron gun during introduction of gas is stabilized, and in situ observation is made possible for a long time.例文帳に追加

そこで、分析中にガス導入などを行っても、室Ａの光源や検出器の導入ガスによる影響を最小限に抑えて、ガス導入時も電子銃の動作を安定化させ、長時間のその場観察を可能にした。 - 特許庁

To provide a vapor deposited film with stable film quality in the width direction when depositing an inorganic compound layer on a base material comprising a polymer film by an electron beam vacuum evaporation system that deposits an oxidized silicon as an evaporation source.例文帳に追加

酸化ケイ素を蒸発源とした電子ビーム式の真空蒸着装置にて高分子フィルムからなる基材上に無機化合物層を成膜する場合において、巾方向での膜質が安定した蒸着フィルムを提供する。 - 特許庁

A multiphoton excitation type polarized electron beam generator has the cathode comprising the compound semiconductor, and a laser source for irradiating the cathode, and the wavelength of a laser beam is set from half to below the energy spread of a forbidden band of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が前記化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の０.５倍以上で１.０倍未満に設定されている。 - 特許庁

An electron beam source 1 is constituted of a transparent substrate 2, a photoelectric cathode film 3 formed on the transparent substrate 2, and a mask film 4 formed on the photoelectric cathode film 3 and equipped with the reversed pattern of a pattern to be transferred.例文帳に追加

電子線源１は、透明基板２と、透明基板２上に成膜された光電陰極膜３と、光電陰極膜３上に成膜され、転写すべきパターンの反転パターンを有するマスク膜４から構成される。 - 特許庁

In a vacuum container composed between a pair of facing plates 1, 11, electrons are radiated from an electron source formed on one plate 1 to an image forming member formed on the other plate 11 to form an image.例文帳に追加

一対の対向するプレート１，１１間に構成された真空容器内で一方のプレート１に形成された電子源から他方のプレート１１に形成された画像形成部材に電子を照射することにより画像を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron emission source capable of napping carbon nano-tubes by adhering an adhesion tape to a carbon nanotube layer, even if the aspect ratio at opening part of a gate electrode layer and an insulation layer is high.例文帳に追加

ゲート電極層および絶縁層の開口部のアスペクト比が高い場合においても、粘着テープをカーボンナノチューブ層に密着させ、カーボンナノチューブを起毛させることができる電子放出源の製造方法を提供する。 - 特許庁

However, the forward mesa inclined surface area MJ is covered with a SiN insulation layer 17, whereby it cannot be used as an electron emission source because electrons cannot jump out into a vacuum by penetrating the insulation layer 17.例文帳に追加

しかしながら、本例では、順メサ斜面領域ＭＪがＳｉＮの絶縁層１７で覆い隠されている為、電子はＳｉＮｘの絶縁層１７を突き抜けて真空中に飛び出すことが出来ず、電子放射源とはならない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for field emission type electron source where the area can be made greater, emitted quantity of electrons is large and where disconnection of a surface electrode or short circuiting between the surface electrode and a bottom side electrode can be prevented.例文帳に追加

大面積化が可能で、電子放出量が高く且つ表面電極の断線や表面電極と下部電極との間の短絡を防止することが可能な電界放射型電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle generation source of a simple structure efficiently and stably generating charged particles of electron, ion, or the like, and moreover, not including heating filaments as a member, which can be used semipermanently at low cost.例文帳に追加

電子やイオン等の荷電粒子を効率良く安定的に豊富に発生させ，なおかつ，加熱フィラメントを構成要素として含まず，構造が簡単で安価な半永久的に使用可能な荷電粒子発生源を提供すること。 - 特許庁

By forming holes, slits, and grooves in the aromatic polymer film of the raw material and heat-treating the surface of the graphite sheet, the field emission electron source having the superior field emission characteristics can be formed by using the graphite sheet.例文帳に追加

また、原料の芳香族高分子フィルムに穴やスリット、溝を開けたり、グラファイトシートの表面を熱処理することにより、電界放出特性に優れたグラファイトシートを用いた電界放出電子源を形成することができる。 - 特許庁

To obtain a carbon nanotube which can directly be used as an electron emission source in a cold cathode type picture display device without removing a porous inorganic carrier on which a metallic catalyst is supported by a thermochemical vapor deposition method.例文帳に追加

熱化学気相成長法により、金属触媒を担持させた多孔性無機担体を除去することなく、直接、冷陰極型画像表示装置の電子放出源として使用することができるカーボンナノチューブを得ることを目的とする。 - 特許庁

In this electron emission source 10, cathode electrode lines 2 are formed on a lower substrate 1, an insulation layer 3 are formed on the cathode electrode lines 2, and gate electrode lines 4 are formed across the respective cathode electrode lines 2.例文帳に追加

電子放出源１０は、下部基板１上にカソード電極ライン２が形成され、カソード電極ライン２上に絶縁層３が成膜され、さらに各カソード電極ライン２と交差してゲート電極ライン４が形成されている。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with a plasma generation device 14 as an example of an electron supply source for supplying electrons to a substrate 4 held to a holder 6 to restrain charge up of the substrate 4 caused by ion beam irradiation.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、ホルダ６に保持された基板４に電子を供給してイオンビーム照射に伴う基板４のチャージアップを抑制する電子供給源の一例として、プラズマ発生装置１４を備えている。 - 特許庁

A shield part 9 consisting of partition walls 10, 10,... is provided in the periphery of the leading end part 1a of the tube 1 to shield soft X-rays, low energy electron beam or radioactive rays from a radioactive isotope generated from the ionizing source 6.例文帳に追加

チューブ１の先端部１ａ周辺には、複数の隔壁１０，１０，…からなる遮蔽部９を設け、イオン化源６から発生する軟Ｘ線、低エネルギー電子線又は放射性同位元素からの放射線等を遮蔽する。 - 特許庁