「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

When a metal material such as Mg having a small work function is used as the material serving as an electron and hole source, any problem on luminous efficiency is not substantially caused if an area ratio of the metal material to the phosphor surface is made as low as about 20-30%.例文帳に追加

又、電子及び正孔の供給源となる材料として仕事関数の小さなMgなどの金属材料を用いる時は、蛍光体表面に占める面積比率を２０％〜３０％程度に低くすれば、発光効率上ほとんど問題がなくなる。 - 特許庁

The phosphor for a distributed inorganic EL element is configured such that donor element ions are solid-dissolved into a phosphor mother crystal in large quantity to convert the phosphor to an n-type semiconductor and that a material serving as an electron and hole source is scattered and dispersed on the phosphor surface.例文帳に追加

分散型無機ＥＬ素子用蛍光体は、ドナー元素イオンを蛍光体母結晶内部に多量に固溶せしめn型半導体化させると共に、蛍光体表面に、電子及び正孔（ホール）の供給源となる材料を点在・分散化させる構造とした。 - 特許庁

The control device 5 makes the gas excited without making the gas discharge by controlling voltage between the driving electrodes of the electron source 2 so as to make peak energy of an energy distribution of the electrons larger than excitation energy of the gas and to make the peak energy of the energy distribution of the gas smaller than ionization energy of the gas.例文帳に追加

制御装置５は、電子のエネルギ分布のピークエネルギが、ガスの励起エネルギよりも大きくガスのイオン化エネルギよりも小さくなるように電子源２の駆動電極間の電圧を制御することでガスを放電させずにガスを励起させる。 - 特許庁

The field emission light has an anode comprising a phosphor capable of emitting light by electrons, and a cathode comprising an electron emission source for emitting the electrons to the phosphor and a reflection layer for reflecting the light generated by the phosphor.例文帳に追加

電子により発光可能な蛍光体を備えたアノードと、前記蛍光体に電子を放出する電子放出源及び前記蛍光体において発生する光を反射する反射層を備えたカソードとを有してなることを特徴とする電界放出型ライト。 - 特許庁

This ion beam irradiation device comprises a field emission type electron source 10 which is arranged at the side of a passage of an ion beam 2 on the upstream side of a holder 6 and emits electrons 22 into the passage of the ion beam 2 and a drawing-out power supply 30 for it.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、ホルダ６よりも上流側におけるイオンビーム２の経路の側方に配置されていて電子２２をイオンビーム２の経路に向けて放出する電界放射型電子源１０と、それ用の引出し電源３０とを備えている。 - 特許庁

A carbon nanotube group containing a bundle structured carbon nanotube with the average diameter 30 nm or less and the average length 3 μm or less when a single-layered, a two-layered and a three-layered carbon nanotubes are changed into a bundle is made to be the electron source structural material, and this is used as the light-emitting display device.例文帳に追加

単層、２層および３層カーボンナノチューブをバンドル化した平均が直径３０ｎｍ以下で平均長さが３μｍ以下のバンドル構造化カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ群を電子源構造材とし、これを発光表示装置に用いた。 - 特許庁

To solve a problem that, in a display device in which a space having glass as a main component is fixed by a conductive glass adhesive, the adhesive is diffused on the surface of the spacer and in an electron emission source in the vicinity of the spacer, and quality of an image is deteriorated and the spacer appears on the image as a shadow.例文帳に追加

ガラスを主成分とするスペーサが導電性のガラス接着材で固定されている表示装置では、接着材がスペーサの表面やスペーサ近傍の電子放出源に拡散し、画像の質が低下し、スペーサが影として画像上に現れる。 - 特許庁

In this field emission type electron source 1, electrons arriving at a surface of the strong field drift part 6 while applied with the electric field to the strong field drift part 6 are considered as hot electrons, and are emitted from the surface of the surface electrode 7 by the tunnel effect.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０では、強電界ドリフト部６へ電界を印加することにより強電界ドリフト部６の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、トンネル効果によって表面電極７の表面から放出される。 - 特許庁

The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated.例文帳に追加

薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極１１と、この下部電極１１の上にトンネル絶縁層１２を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極２３を積層した構造とする。 - 特許庁

This light-emitting element 10 is provided with a transparent substrate 1, a III-V nitride semiconductor layer 2 formed on the substrate 1 and containing a rare-earth element, and an electron beam emission source 3 provided so as to face the semiconductor layer 2.例文帳に追加

本発明の発光素子１０は、透明基材１と、この透明基材１上に形成された、希土類元素を含むIII−Ｖ族窒化物半導体層２と、このIII−Ｖ族窒化物半導体層２に対向するように設けられた電子線照射源３とを具える。 - 特許庁

Here, application of voltage to the transmission target starts at the time of generating X rays, and the electrons are emitted from the electron source after passing a designated period showing a time for making the transmission target reach designated voltage from starting of application of the voltage.例文帳に追加

ここで、Ｘ線の発生に際しては、透過型ターゲットに対して電圧の印加を開始し、当該電圧の印加が開始してから透過型ターゲットが所定電圧に達するまでの時間を示す所定期間が経過した後、電子源から電子を放出させる。 - 特許庁

This hot-cathode electron emission source is constituted to form at least a junction portion of the heat-resistant metal support needle contacting with the rare-earth hexaboride single crystal nanofiber, of a heat resistant material not reacting chemically with the nanofiber even at a high temperature.例文帳に追加

少なくとも耐熱金属支持針の希土類六ホウ化物単結晶ナノファイバとの接合箇所が当該ナノファイバに対して高温でも化学反応しない耐熱材料よりなる熱陰極電子放出源を構成することにより、上記問題を解決する。 - 特許庁

To shorten transit time of an electron in a high electric field region by locally forming the high electric field on the source end of a channel immediately below a gate electrode and implement excellent high speed operation of a transistor in a GaN based heterostructure field effect transistor.例文帳に追加

ＧａＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極直下のチャネルのソース端に局所的に高電界領域を形成することで同領域における電子の走行時間を短縮し、同トランジスタの優れた高速動作を実現する。 - 特許庁

The photocatalyst device comprises a substrate supporting an electron source that releases electrons with an electric field applied, a substrate supporting a luminous material and sealing components, and includes a photocatalyst at a position which the light emitted from the luminous material can reach.例文帳に追加

電界を印加することで電子を放出する電子放出源を形成した基板と発光体を形成した基板、及び封止部材とからなり、発光体からの発光を受光できる位置に光触媒を有することを特徴とする光触媒装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flat panel display device in which good temporary calcination can be applied to glass frit, even if the glass frit is used as a paste of a seal layer for laminating panels, and functions of a carbon electron source or an electrode can be prevented from deterioration.例文帳に追加

ガラスフリットをシール層のペーストとして用いパネル貼り合せを行うようにしても、ガラスフリットの良好な仮焼成を行うことを可能としつつ、炭素系電子源や電極等の機能の低下を防止し得るフラットパネルディスプレイの製造方法とする。 - 特許庁

A structure of bus wiring (scanning line) to supply power to the electron source is formed to be a laminated structure of the lower layer 17 composed of a CrMo alloy, an intermediate layer 18 composed of Al or an Al alloy, and an upper layer 19 composed of Cr successively from the side nearer to a cathode substrate 10.例文帳に追加

電子源に給電するためのバス配線（走査線）の構造を、陰極基板１０に近いほうから、ＣｒＭｏ合金からなる下層１７、Ａｌ又はＡｌ合金からなる中間層１８、Ｃｒからなる上層１９の積層構造とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a graphite nanofiber, which can form graphite nanofibers in vertical orientation with high density and uniformly; to provide a graphite nanofiber electron source with a high output current density; and to provide a field emission display apparatus which has high current density, high brightness and large capacity.例文帳に追加

垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To detect failures in a voltage measurement resistance Rm itself for measuring a high-voltage Vo generated in an electron beam irradiator, which has a direct-current high-voltage power source that obtains direct-current high voltage by boosting the voltage of an alternating-current input with a transformer to rectify it.例文帳に追加

交流入力をトランスで昇圧して整流し、直流の高圧を得る直流高圧電源を有する電子線照射装置において、発生高圧電圧Ｖ_ｏを測定するための電圧測定抵抗Ｒ_ｍそのものの故障を検出すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the field emission electron source, Ar ion is irradiated from perpendicular direction under low vacuum on the top end of the tip of the Cu wire which is applied preliminary oxidation, and the Cu_2O conical projections are formed on the top end of the tip.例文帳に追加

また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したＣｕワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からＡｒイオンを照射して、チップの先端にＣｕ_２Ｏ円錐状突起を形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

A moving mechanism 75 is formed on beam forming units 61, 62 for decelerating ions 80 emitted from an ion source and forming them into an ion beam 81 by reducing the beam diameter, so that the ions 80 are prevented from being applied on the beam forming units 61, 62 before a secondary electron current is measured.例文帳に追加

イオン源から放出されるイオン８０を減速し、ビーム径を絞ってイオンビーム８１とするビーム成形器６１、６２に、移動機構７５を設け、二次電子電流を測定する前に、ビーム成形器６１、６２にイオン８０が照射されないようにする。 - 特許庁

A second impurity adding part 1c of the movable element different from the first impurity adding part 1b of the movable element of the electron supply source and the semiconductor substrate part 1a of the movable element is introduced between the first impurity adding part 1b and the semiconductor substrate part of the movable element to a connecting/separating structure.例文帳に追加

電子の供給源である可動体の第１の不純物添加部１ｂと可動体の半導体基板部１ａとの間に両者と異なる導電型の可動体の第２の不純物添加部１ｃを導入しで接合分離構造とする。 - 特許庁

To reduce that an electric discharge arises between substrates and to reduce the impairment of an electron source, a fluorescent screen, and the damage of a drive circuit and the deterioration of luminescence characteristic by suppressing the amplitude of a discharge current when an electric discharge arises, in an image display device.例文帳に追加

画像表示装置において、基板間で放電が生じることを低減し、放電が生じた場合においては、放電電流の大きさを抑制して、電子源や蛍光面ならびに駆動回路が損傷することおよび発光特性の劣化を低減する。 - 特許庁

To provide a cold cathode and its manufacturing method that enable to control the orientation of a field emission electron source capable of decreasing the operating drive voltage and the degree of vacuum of operation and to build up a cold cathode structure having a large-area wherein patterning in a desired shape can be made.例文帳に追加

動作駆動電圧、動作真空度が低減可能な電界放出電子源を配向制御することができ、所望の形状にパターニングできる大面積冷陰極構造の構築を可能にする冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a composition for forming an electron emission source composed of carbon nanotubes, glass frit, boron, organic resin, and an organic solvent, the glass frit is made to be a glass composition showing physical properties not containing lead as a main component with a softening point of 500°C or lower.例文帳に追加

カーボンナノチューブと，ガラスフリットと，硼素と有機樹脂および有機溶剤とからなる電子放出源形成用組成物において，前記ガラスフリットを、鉛を主要成分として含まず，かつその軟化点が５００℃以下の物性を示すガラス組成物とする。 - 特許庁

A spacer SPC on a scanning line sL is arranged as a single member that does not have a divided portion, and its both end portions are positioned beyond both sides of the left and right direction (x direction) of a display area AR configured by two dimensional arrangement of the electron source and the phosphor.例文帳に追加

スペーサＳＰＣを走査線ｓＬ上では分割部を有しない単一部材として配置し、その両端部を前記電子源と前記蛍光体の二次元配置からなる表示領域ＡＲの左右方向（ｘ方向）の両側を超えて位置させている。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

Electron temperature below the lower range is generated, so that the metal atoms are dissociated from the gas atoms and the metal atoms are ionized into light ions and heavy ions according to their mass to charge ratio, and thereby the source material is partially ionized.例文帳に追加

低い範囲より下の電子温度が生成されて、気体原子から金属原子を解離することによって、および金属原子をそれらの質量対電荷比に従って軽イオンおよび重イオンへとイオン化することによって、原料物質を部分的にイオン化する。 - 特許庁

An electron source 5A constituted with a scanning electrode 9A; a data electrode 10A; a wire-shaped cathode 3 arranged across both electrodes; and a pair of supporting electrodes for stringing the cathode 3 is installed in a matrix shape on a back panel 1c.例文帳に追加

背面パネル１ｃ上には、走査電極９Ａ、データ電極１０Ａ、上記両電極の上部に渡るように配設された線状のカソード３、カソード３を架線するための一対の支持電極４を有して構成された電子源５Ａがマトリクス状に設けられている。 - 特許庁

When a negative voltage is applied to the sample base 7 and the outer magnetic pole 5b by a power source 9, the sample base 7, the sample 6 and the outer magnetic pole 5b are set at the same potential; and the symmetry of an electric field with respect to the optical axis of an electron beam is kept even if the sample is tilted.例文帳に追加

試料台７と外側磁極５ｂに電源９により負電位が印加されると、試料台７及び試料６と外側磁極５ｂは同電位となり、試料を傾斜させても、電子線の光軸に対して電界の対称性が保たれる。 - 特許庁

A voltage setting circuit 111 decides a non-selection voltage Vns in response to a driving signal so that ineffective currents flowing in electron emitting elements being in semiselection states become minimum and makes a variable power source 112 output the decided non-selection voltage Vns.例文帳に追加

電圧設定回路１１１は、駆動信号に基づいて、半選択状態の電子放出素子に流れ込む無効電流が最少となるように非選択電圧Ｖｎｓを決定し、可変電源１１２に決定された非選択電圧Ｖｎｓを出力させる。 - 特許庁

A cathode electrode 11 and a resistance layer I_1 are laminated on a substrate 10, and carbon nano tubes 12a erected on the resistance layer 11 with one end fixed to the resistance layer 11 via aggregates 12b of carbon material particles, are provided as an electron-emitting source.例文帳に追加

基板１０上にカソード電極１１、抵抗層Ｉ_１が積層され、一端が炭素材料粒子の凝集物１２ｂを介して抵抗層Ｉ_１に固定され、該抵抗層Ｉ_１上に直立したカーボンナノチューブ１２ａを電子放出源として備える。 - 特許庁

To achieve ohmic contact between an NbN superconductive electrode layer and a two-dimensional electron gas by inserting an In-Sn layer between the NbN superconductive electrode layer and a GaAs layer for heat treatment in a semiconductor coupled superconductive device having two NbN superconductive electrode layers that becomes the GaA layer for forming the two-dimensional electron gas and the source and drain electrode layer of a superconductive current.例文帳に追加

二次元電子ガスを形成するＧaＡ層と超伝導電流のソース及びドレイン電極層となる二つのＮbＮ超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、ＮbＮ超伝導電極層とＧaＡs層との層間にＩn−Ｓn層を挿入し熱処理することにより、ＮbＮ超伝導電極層と二次元電子ガスとのオーミック接触を実現させるものである。 - 特許庁

The field emission type electron source 10 comprises a lower electrode 2 formed on one surface side of a substrate, a non-doped polycrystalline silicon layer 3 formed on the lower electrode 2 as a semiconductor layer, a strong electric field drift layer 6 composed of oxidized porous silicon polycrystalline layer formed on the polycrystalline silicon layer 3 as an electron passing layer, and a surface electrode 7 formed on the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、基板１の一表面側に下部電極２が形成され、下部電極２上に半導体層としてノンドープの多結晶シリコン層３が形成され、多結晶シリコン層３上に電子通過層として、酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

A memory peripheral circuit generates a first voltage (drain voltage Vd) and a second voltage (gate voltage Vg), applies Vd to the second source-drain region SBL and Vg to the word line WL during the data writing operation, and implants the hot-electron HE secondarily generated due to collision by electrolytic dissociation to the charge accumulating film CHS from the side of the second source-drain region SBL.例文帳に追加

メモリ周辺回路は、データの書き込み時に、第１の電圧（ドレイン電圧Ｖｄ）と第２の電圧（ゲート電圧Ｖｇ）を生成し、Ｖｄを第２のソース・ドレイン領域ＳＢＬにＶｇをワード線ＷＬに印加し、電離衝突に起因して２次的に発生させたホットエレクトロンＨＥを第２のソース・ドレイン領域ＳＢＬ側から電荷蓄積膜ＣＨＳに注入させる。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

In the method for manufacturing the radiographic image conversion panel, which includes a process for forming a phosphor layer, by using a method for evaporating onto a substrate the stem generated by the irradiation of an evaporation source containing phosphors or a their material by an electron beam, the evaporation source which consists of element ingredients of the phosphors and where the element ingredients are locally distributed is used.例文帳に追加

蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源に電子線を照射することによって発生する蒸気を基板上に蒸着させる方法を利用して蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製法において、蒸発源として、当該蛍光体の複数の元素成分からなり、かつ該元素成分が局在分布している蒸発源を用いる。 - 特許庁

The power source device 10 is connected with the distribution device 30 by a DC high voltage cable 20 for guiding the acceleration voltage Va outputted from the power source device 10 to the distribution device 30, and the distribution device 30 is connected with each electron ray accelerator 80 by a DC high voltage cable 70 through which the acceleration voltage Va distributed by the distribution device 30 is guided to each accelerator 80.例文帳に追加

直流高圧電源装置１０と分配装置３０との間を、前者１０から出力された加速電圧Ｖa を後者３０へ導く直流高圧ケーブル２０で接続し、分配装置３０と各電子線加速器８０との間を、前者３０で分配された加速電圧Ｖa を後者８０へそれぞれ導く直流高圧ケーブル７０で接続した。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor storage element, a storage part 200 equipped with two transistors as one set by the standard CMOS process makes a hole and an electron generated when an inter-band tunnel current generated between a source and a semiconductor substrate flows trapped in a crystal defect in the vicinity of the boundary of the semiconductor substrate and a gate oxide film.例文帳に追加

標準的なＣＭＯＳプロセスによるトランジスタ二個を一組とし備える記憶部２００は、ソース・半導体基板間に発生するバンド間トンネル電流が流れる際に発生する正孔と電子を、半導体基板とゲート酸化膜の境界付近にある結晶欠陥にトラップさせる。 - 特許庁

To provide radial clusters of sharp-ended multiwalled carbon nanotubes, which are new carbon nanostructures useful as a probe for STM (scanning tunneling microscope) or AFM (atomic force microscope), a field emission electron source of a display element, a display, or the like, and to provide a method for preparing the radial clusters.例文帳に追加

ＳＴＭやＡＦＭ用探針、表示素子、ディスプレイ等の電界放出電子源などとして有用な、新規なカーボンナノ構造物である鋭端多層カーボンナノチューブ放射状集合体とその製造方法鋭端多層カーボンナノチューブ放射状集合体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, the surface of the emissive material layer 21 becomes a rough surface, so that the surface area of the emissive material layer 21 is increased, whereby the total number of free barium as an electron source existing near the surface of the emissive material layer 21 is increased.例文帳に追加

この方法によれば、電子放射物質層２１の表面が起伏の大きな粗面になり、電子放射物質層２１の表面積を大きくすることができ、電子放射物質層２１の表面付近に存在する電子源としての遊離バリウムの総数が多くなる。 - 特許庁

Then, in the operation of a saturation region (Vd>Vg>Vth), a hole of an electron-hole pair, generated by collisional ionization in the vicinity of the low concentration drain region 14c of a channel 28 flows into the intrinsic region 14f below the low concentration source region 14b, not below the channel 28.例文帳に追加

そして、飽和領域（Ｖｄ＞Ｖｇ＞Ｖｔｈ）での動作では、チャネル２８の低濃度ドレイン領域１４ｃ近傍において衝突電離により発生した電子正孔対のうちの正孔はチャネル２８下ではなく低濃度ソース領域１４ｂ下の真性領域１４ｆに流れ込む。 - 特許庁

The X-ray source includes a first and a second cathodes (102, 104) to emit a first and a second electron beams (114, 116) to a target (100), respectively, as well as a first and a second gridding electrodes (108, 112), each combined with the first and the second cathodes.例文帳に追加

Ｘ線源は、ターゲット（１００）へ第１及び第２の電子ビーム（１１４、１１６）をそれぞれ放出する第１及び第２の陰極（１０２、１０４）と、第１及び第２の陰極にそれぞれ結合された第１及び第２のグリッディング電極（１０８、１１２）とを含む。 - 特許庁

To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.例文帳に追加

薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The width of a scanning line lower electrode GL-L is increased by forming an electron source EM on the scanning line lower electrode GL-L, or the resistance of the scanning line lower electrode GL-L is decreased by increasing the thickness by coating and baking of conductive particle kneaded paste, such as silver paste.例文帳に追加

走査線下部電極ＧＬ−Ｌの上に電子源ＥＭを形成することで走査線下部電極ＧＬ−Ｌの幅を広くし、あるいは銀ペースト等の導電性粒子を混錬したペーストの塗布と焼成で厚膜化することにより、走査線下部電極ＧＬ−Ｌを低抵抗化する。 - 特許庁

To provide a technology of manufacturing a carbon nanotube attracting public attention as a composite material, an adsorption material, an electronic material (e.g. an electron source) or the like, with less impurities, at a low cost and on a massive scale and also can control the diameter of the resultant carbon nanotube.例文帳に追加

複合材料や、吸着材料、電子材料（例えば、電子源）などとして注目を集めているカーボンナノチューブを、不純物が少なく、安価で、かつ、同時に大量に製造でき、しかも得られるカーボンナノチューブの直径を制御できる技術を提供することである。 - 特許庁