「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method includes a process for forming the semiconductor element on a semiconductor substrate, and a process for forming a film on the semiconductor element by CVD treatment using microwave plasma in which a microwave is a plasma source, an electron temperature of plasma is lower than 1.5 eV and an electron density of the plasma is higher than 1×10^11 cm^-3 in the vicinity of a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide an electron emitting element and its manufacturing method, capable of realizing satisfactory surface flatness of an anodic oxide insulating layer, of realizing enhanced withstand voltage properties, and of stabilizing the trajectories of emitted electrons, and providing an electron source, a photographing device and an image forming device, each using the same and capable of improving the reproducibility (resolution) of information signals to be handled.例文帳に追加

陽極酸化絶縁層について表面の平面性を良好にできて耐圧性も向上でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置について、扱う情報信号の再現性（解像度）を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁

The illuminance measuring device 10 for exposure includes a light source 11, a spatial light-modulating element (digital micro-mirror device (DMD)) 12 modulating light emitting from the light source, a condenser lens 13 where the whole light exiting from the DMD enters, a single photo-electron converter (PD) 14 where the converged light through the condenser lens enters, and a controller 17.例文帳に追加

露光用照度計測装置１０は、光源１１と、該光源から照射された光を変調する空間光変調素子（ＤＭＤ）１２と、このＤＭＤから出射された光をすべて入射する集光レンズ１３と、該集光レンズを通して収束された光が入射される単一の光電変換素子（ＰＤ）１４と、コントローラ１７とを備える。 - 特許庁

The inside of a vacuum chamber 1 is provided with: a first vapor deposition source 10 consisting of a crucible 12 with silicon dioxide as a vapor deposition material 11; and a second vapor deposition source 20 consisting of a crucible 22 with silicon as a vapor deposition material 21, and they are independently heated by first and second electron beam heating apparatuses 13 and 23, so that silicon dioxide and silicon are evaporated, respectively.例文帳に追加

真空チャンバ１内には、二酸化ケイ素を蒸着物質１１とする坩堝１２からなる第１の蒸着源１０と、ケイ素を蒸着物質２１とする坩堝２２からなる第２の蒸着源２０とが設けられて、第１，第２の電子ビーム加熱装置１３，２３により独立に加熱してそれぞれ二酸化ケイ素及びケイ素を蒸発させる。 - 特許庁

Concentration of the electron flow from the ends 12A and 12B of the source electrode 12 toward the ends 11A and 11B of the drain electrode 11 can be avoided by a configuration where the both longitudinal ends 12A and 12B of the source electrode 12 do not project farther outward than the both longitudinal ends 11A and 11B of the drain electrode 11 in the longitudinal direction.例文帳に追加

ソース電極１２の長手方向の両端１２Ａ,１２Ｂがドレイン電極１１の長手方向の両端１１Ａ,１１Ｂよりも長手方向外方へ突出していない構成により、ソース電極１２の端１２Ａ,１２Ｂからドレイン電極１１の端１１Ａ,１１Ｂへ向かって電子流が集中することを回避できる。 - 特許庁

This thermosensor 100 (charge amplifier) includes a charge feeder 45 which has any measuring object other than visible light (heat (infrared)) as its signal source to feed electrons associated with the signal source, and an electron-multiplier section 14a for multiplying electrons accumulated in the charge feeder 45 by measuring any object other than visible light.例文帳に追加

このサーモセンサ１００（電荷増加装置）は、可視光以外の測定対象（熱（赤外線））を信号源とするとともに信号源に対応する電子を供給する電荷供給部４５と、可視光以外の測定対象を測定することにより電荷供給部４５に蓄積された電子を増倍させるための電子増倍部１４ａとを備える。 - 特許庁

The electron source is manufactured by applying positive voltage to a needle which comprises a tungsten or molybdenum single crystal needle and a barium supply source formed on a part of the single crystal needle consisting of multiple oxide made from barium oxide and oxide of metal excepting barium, and heating the needle to temperature of 1,000 to 1,700°K, preferably 1,350 to 1,650°K.例文帳に追加

タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けたニードルに正電位を印加して１０００Ｋ以上１７００Ｋ以下、好ましくは１３５０以上１６５０Ｋ以下で加熱することを特徴とする電子源の製造方法。 - 特許庁

This electron beam source includes: the cold cathode 12 formed of graphite with unevenness formed on a surface thereof; a first power source for applying a desired voltage allowing emission of electrons from the cold cathode 12 to the cold cathode 12; a film 16 used as an anode in relation to the cold cathode 12 for attracting and transmitting the electrons emitted from the cold cathode 12.例文帳に追加

表面に凹凸が形成されたグラファイトによって形成される冷陰極１２と、冷陰極１２から電子の放出が可能となる所望の電圧を冷陰極１２に対して印加する第１の電源と、冷陰極１２に対する陽極となり冷陰極１２から放出された電子を誘引し透過する膜１６と、を有する。 - 特許庁

This manufacturing method of this electron source is characterized in that positive potential is applied to a needle composed by mounting a supply source of barium formed of a double oxide of a barium oxide and an oxide of a metal other than barium in a part of a monocrystal needle of tungsten or molybdenum to heat it at a temperature of 1,000-1,700 K, preferably 1,350-1,650 K.例文帳に追加

タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けたニードルに正電位を印加して１０００Ｋ以上１７００Ｋ以下、好ましくは１３５０以上１６５０Ｋ以下で加熱することを特徴とする電子源の製造方法。 - 特許庁

To provide a hydrogen production apparatus for efficiently producing hydrogen from a hydrogen source containing a compound having hydrogen as a structural element with a visible ray-responsive photocatalytic material using visible rays emitted from a light source or capable of accumulating proton and electron, a hydrogen production method and a hydrogen production system using the same.例文帳に追加

光源から照射される可視光を利用して、可視光応答性光触媒材料により、水素を構成元素として有する化合物を含む水素源から水素を効率良く発生させる、又はプロトン及び電子として蓄積することができる水素発生装置、これを用いた水素発生方法、及び水素発生システムを提供すること。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

A pulse having the opposite polarity from a scanning pulse is applied to a scanning line or a pulse having the opposite polarity from data pulses is applied to a data line to invert the polarity of a voltage applied to a thin film type electron source at lest once in a 1-field period.例文帳に追加

走査線に走査パルスと逆極性のパルスを印加するか、データ線にデータパルスと逆極性のパルスを印加することにより、１フィールド期間に少なくとも１回薄膜型電子源に印加する電圧の極性を反転させる。 - 特許庁

This field emission electron source comprises a plurality of carbon film blocks 14 arranged on a substrate 12, each of the carbon film blocks 14 comprising a plurality of needle-like carbon films 16 with tapered tips formed in a substantially fixed tip height substantially vertically to the substrate surface.例文帳に追加

基板１２上に、複数の炭素膜ブロック１４が配置されており、これら炭素膜ブロック１４は、先端ほど細くなる複数の針状炭素膜１６がほぼ一定の先端高さで基板面にほぼ垂直に成膜されて構成されている。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source and a manufacturing method for it using a high-quality diamond with a sharp tip as a negative electrode for easily controlling respective emitters and hardly causing the breakage of the insulation or separation of an insulation layer and reduced in leak current.例文帳に追加

鋭い先端を有する高品質なダイヤモンドを陰極として、個々のエミッタを容易に制御でき、絶縁破壊や絶縁層の剥離を起こしにくく、リーク電流も少ない電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The shield structure is formed by a concave top surface 21 facing the electron source 16, a flat top surface 23 facing the anode target 20, and inner and outer walls 25, 27 (wherein a dimension of the inner wall 25 is longer than that of the outer wall 27 substantially in a certain direction).例文帳に追加

シールド構造物は電子源16に面した凹状の頂面21，アノードターゲット20に面した平坦な面23，および内側および外側壁25，27（ここで，内側壁が，外側壁27よりも実質的に一方向に長い寸法をもつ）により構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a parasitic capacity between a source and a drain for an HEMT (a high electron mobility transistor) using GaN capable of achieving an amplifier enabling a high-frequency operation and a broad band and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

高周波動作や広帯域化が可能な増幅器の実現ができるＧａＮを使用した、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）のソース、ドレイン間寄生容量を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a carbon fiber capable of forming a carbon nanotube with high density and uniformity by a simple and inexpensive method, a carbon fiber electron source of high output current density, and an FED device having high current density, high brightness, and high capacity.例文帳に追加

簡易かつ安価な方法で、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide thin displays of field emission type and surface conductive type suppressing the lowering of the luminance of a display caused by the contamination of an electron source and the deterioration of the luminance of a phosphor with time; and a phosphor used therefor.例文帳に追加

電界放出型および表面伝導型の薄型のディスプレイ装置において、電子源の汚染および蛍光体の経時的輝度劣化によるディスプレイの輝度の低下を抑制し得るディスプレイ装置及びこれに用いられる蛍光体を提供する。 - 特許庁

This high voltage power circuit having a cathode wiring 31 for supplying a high voltage current to a cathode 1 of an electron beam device from a high voltage power source 11, is provided with a differential amplifier 52 connected to the cathode wiring through a capacitor 54.例文帳に追加

高圧電源１１から電子ビーム装置のカソード１に高圧電流を供給するカソード側配線部３１を有する高圧電源回路において、カソード側配線部にコンデンサ５４を介して接続された差動増幅器５２を設ける。 - 特許庁

The field-emission-type electron source 2 is composed of a base part 3, comprising a p-type crystalline silicon layer, cone-shaped protrusions 4 comprising n-type crystalline silicon only in the top parts, and an i layer (p-crystalline silicon layer) 5 between the base part 3 and the protrusions 4.例文帳に追加

電界放射型電子源２を、ｐ型結晶シリコン層からなる基底部３と、先端部のみがｎ型結晶シリコンからなるコーン状の突起４と、基底部３と突起４との間のｉ層（ｐ^- 結晶シリコン層）５とで構成する。 - 特許庁

A prescribed voltage is applied to the Ge detector damaged by the radiation, and a strong gamma ray source is placed near the detector, and sufficiently many electron/vacancy pairs are generated and taken into lattice defects.例文帳に追加

また、いったん回復した分解能も、放射線損傷により再び分解能が低下するため、放射線損傷を受けやすい環境でＧｅ検出器を用いる場合、短時問でなおかつ容易に分解能を回復させることが重要である。 - 特許庁

To prevent deterioration of image quality caused by an inducted electron or a B radio wave generated by mutual friction of metal components by vibration whose generation source is mainly a gradient coil, in a magnetic resonance imaging apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、磁気共鳴イメージング装置において、傾斜磁場コイルを主な発生源とする振動による金属部品どうしの擦れ合いにより発生するＢ電波や誘導電子のために、画質が劣化してしまうことを防止することにある。 - 特許庁

To provide a simply structured light emitting device capable of emitting electrons from an electron emitting source and achieving high luminance by increasing the current of the electrons to be radiated on a phosphor while amplifying a current, even if a low voltage is applied on an anode electrode.例文帳に追加

構成が簡単であってアノード電極への印加電圧が低くても電子放出源から放出され電流を増幅して蛍光体に照射される電子流を増大して高い輝度を得ることができる発光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a member for a field electron emission source in which a linear complex made of a metal base and CNFs formed on it is specified into a shape, capable of stably emitting field electrons.例文帳に追加

本発明は、金属下地及びその上に形成されたＣＮＦとからなる線状複合体を、安定して電界電子を放出可能な形状に規定した電界電子放出源用部材及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The semiconductor electrostatic motor in which during the operation of the semiconductor electrostatic motor, the charge is prevented from flowing out from the first impurity adding part 1b of the movable element of the electron supply source and a high speed rotation can be performed without rotating unevenness, is obtained.例文帳に追加

本発明により半導体静電モータの動作中に、電子の供給源である可動体の第１の不純物添加部１ｂから電荷が流出することを防ぎ、高速回転が可能な回転むらのない半導体静電モータを得た。 - 特許庁

A coating film obtained by removing the organic solvent from the composition for forming the electron emitting source applied to a substrate is baked in the temperatures of 400 to 450°C to remove the organic binder resin, and the coating containing the carbon nanotube and glass is formed.例文帳に追加

基板に塗布される電子放出源形成用組成物から有機溶剤を除去して得られる塗膜を、４００〜４５０℃の温度で焼成して有機バインダー樹脂を除去し、カーボンナノチューブとガラスとを含有する被膜を形成する。 - 特許庁

A processing/control part 10 controls an ion source power supply 12 to increase thermal electron current emitted from a filament 4, and simultaneously controls a quadrupole power supply 15 to shift the applied voltage to a quadrupole filter 8 toward negative direction.例文帳に追加

処理・制御部１０はフィラメント４から放出される熱電子電流を増加すべくイオン源電源部１２を制御すると同時に、四重極フィルタ８に印加される電圧が負方向にシフトするように四重極電源部１５を制御する。 - 特許庁

To provide a field electron emitting source wherein carbon nanotubes are uniformly dispersed in a film base material; the tips of the carbon nanotubes protrude from the surface of the film base material while keeping equal heights, and uniform emission is possible when used as a light emitting element.例文帳に追加

膜母材中にカーボンナノチューブが均等分散しかつ膜母材表面からカーボンナノチューブ先端が均等高さで突出して発光素子として用いた場合にその均一発光を可能な電界電子放出源を提供すること。 - 特許庁

Evaporated particles 20a from an electron beam evaporation source 20 and cluster ions 30a from a cluster ion generator 30 are made incident on the substrate W to be treated held to a holder 2; thus the deposition of a fluoride film by a cluster ion assist is performed.例文帳に追加

ホルダー２に保持された被処理基板Ｗに、電子ビーム蒸発源２０からの蒸発粒子２０ａとクラスターイオン生成装置３０からのクラスターイオン３０ａを入射させることで、クラスターイオンアシストによるフッ化物膜の成膜を行う。 - 特許庁

When an organic amine is used as the electron source, a compound semi-conductor such as the organic compound semi-conductor, an inorganic compound semi-conductor or a metal sulfide including the cadmium sulfide can be used as a photocatalyst without relating to the size of the particles.例文帳に追加

また、本発明では、電子源として有機アミンを用いれば、有機化合物半導体、無機化合物半導体、硫化カドミウムを含む金属硫化物等の化合物半導体を粒径サイズに関わらず光触媒として用いることができる。 - 特許庁

The resist is irradiated with ultraviolet rays or electron beams equal with a light source wavelength for the exposure of the resist and then dissolved or distributed in treatment liquid containing water, an organic solvent, oxidant and at least one kind of a compound selected from acid and alkali.例文帳に追加

レジストの露光用光源波長と同等な紫外線もしくは電子線を照射し、その後に水、有機溶媒、酸化剤、酸およびアルカリから選ばれる少なくとも１種類の化合物を含む処理液に溶解もしくは分散する。 - 特許庁

To easily achieve a large screen of a display image by conducting the self alignment of an effective range of an electron source on cathode wiring and an aperture of a control electrode, and to enhance a yield and obtain the display image on the large screen with high productivity.例文帳に追加

陰極配線上の電子源の有効範囲と制御電極の開孔とをセルフアライメント化させて表示画像の大画面化を容易に実現可能とするとともに、歩留まりを向上させて大画面の表示画像を生産性良く得る。 - 特許庁

To suppress electrostatic charge caused by a rugged part when driving an image forming device for a long time, in a spacer provided with the rugged part to prevent short time electrostatic charge, as to the flat image forming apparatus formed by making an electron source substrate and an anode substrate face each other through the spacer.例文帳に追加

電子源基板とアノード基板とをスペーサを介して対向させてなる平面型の画像形成装置において、短時間帯電を防止すべく凹凸を設けたスペーサにおいて、該凹凸に起因する長時間駆動時の帯電を抑制する。 - 特許庁

To reduce an increase of a manufacturing cost with an increase in the number of scanning lines in constituting scanning line control circuits so as to be arranged at both left and right ends of the scanning lines, in order to suppress the voltage drop due to the current and wiring resistance of an electron source of an FDD.例文帳に追加

FEDでは電子源の電流と配線抵抗に起因する電圧降下を抑えるため、走査線制御回路を走査線の左右両端に配置するよう構成するが、走査線数の増加に伴い、製造原価が増大する。 - 特許庁

A thermal electron emission negative electrode quipped with a tungsten filament 14 and a cold cathode 15 connected to it, and a ring-like positive electrode 17 are arranged facing opposite to each other in a container 11, an accelerating D.C. power source 26 is connected between the cold cathode and the positive electrode.例文帳に追加

容器11内にタングステンフィラメント14およびこれに接続された冷陰極15を具える熱電子放出陰極と、リング状の陽極17とを対向して配置し、冷陰極と陽極との間に加速用直流電源26を接続する。 - 特許庁

To obtain a power source device of electron beam irradiator which responds directly to the fluctuation of input voltage and can be cut in such a short time that enough to protect the irradiator when a short-circuit current is generated in a DC high-voltage section.例文帳に追加

入力電圧の変動に対して即応性が高く、直流高圧部における短絡電流等の発生に際し、装置の保護に十分な程度の短時間で遮断が可能な電子線照射装置の電源装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device (field emission display) capable of preventing disconnection of an upper electrode by decrease of a taper angle of an interlayer insulation layer, of realizing reduction of capacitance by increasing the thickness of the interlayer insulation layer and of preventing contamination of an electron source by sodium deposited from glass of a substrate.例文帳に追加

層間絶縁層の低テーパー角化による上部電極の断線を防止し、当該層間絶縁層を圧膜化して低容量化を実現するとともに、基板のガラスから析出したナトリウムによる電子源の汚染を防止する。 - 特許庁

This optical element is provided with a voltage source (105) for applying a bias voltage to the surface of the optical element, and an ammeter (107) for measuring an optical electron current generated in irradiating the surface of the optical element with a light.例文帳に追加

本発明による光学素子は、光学素子の表面にバイアス電圧を印加するための電圧源（１０５）と、前記光学素子の前記表面に光が照射される際に生じる光電子電流を測定するための電流計（１０７）と、を備える。 - 特許庁

The electron gun controller 1 is provided with the discharge current limiting resistance 3 connected with the acceleration voltage source 2 to limit the emission current and a voltage correcting circuit 10 correcting the voltage drop by the discharge current limiting resistance.例文帳に追加

電子銃制御装置１は、エミッション電流を電流制限するために加速電圧源２に接続される放電電流制限抵抗３と、放電電流制限抵抗による電圧降下分を補正する電圧補正回路１０を備える。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NANO CARBON AND NANO CARBON MANUFACTURED BY THE METHOD, DEVICE FOR MANUFACTURING NANO CARBON, METHOD OF PATTERNING NANO CARBON AND NANO CARBON BASE MATERIAL PATTERNED BY USE OF THE METHOD AND ELECTRON EMISSION SOURCE USING THE PATTERNED NANO CARBON BASE MATERIAL例文帳に追加

ナノカーボンの製造方法及びその方法を用いて製造されたナノカーボン、ナノカーボンの製造装置、ナノカーボンのパターン化方法及びその方法を用いてパターン化されたナノカーボン基材及びそのパターン化されたナノカーボン基材を用いた電子放出源 - 特許庁

The first energy source can emit laser light, white light, an electron beam, gamma ray radiation, or other type of converged energy, and a local region of the wafer is preheated before it is irradiated with high output laser light for annealing.例文帳に追加

第１のエネルギー源は、レーザー光、白色光、電子ビーム、ガンマ線放射、又は別のタイプの集束されたエネルギーを発することが可能であり、アニーリングのために高出力レーザー光を照射する前にウェハの局所領域をプレヒートする。 - 特許庁

To provide a field-emission electron source and a manufacturing method of its carbon nanotube, that can reduce work function on the nanotube surface and increase emission current, by causing vapor-deposition of lithium on the carbon nanotube and using it as a cathode.例文帳に追加

カーボンナノチューブにリチウムを蒸着させ陰極として用いることにより、ナノチューブ表面の仕事関数を下げ、放出電流の増大を図ることができる電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

The grid is formed using titanium metal or a titanium alloy having high resistivity, in the ionization vacuum gage and the mass spectrometer having at least the grid and an electron source inside a vacuum container connected to a vacuum device under an electrified state.例文帳に追加

真空装置に連通状態で接続された真空容器の内部に、少なくともグリッドと電子源を有する電離真空計及び質量分析計において、該グリッドを抵抗率の高いチタン金属又はチタン合金を用いて形成した。 - 特許庁