「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a resist material such as a chemically amplified resist material for providing an excellent pattern profile even at a substrate interface, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F_2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a pattern forming method utilizing the resist material.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ_２レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性と共に、基板界面においても良好なパターン形状を与える化学増幅レジスト材料等のレジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In this case, by utilizing plasma generated with a pressure gradient type plasma gun 1 separate from the electron beam generator 2 as an evaporation source of the organic material or inorganic material, the vaporized organic material or inorganic material is activated, and an organic thin film layer or an inorganic thin film layer is formed on a transparent base material film 13.例文帳に追加

ここで、前記有機材料または前記無機材料の蒸発源である前記電子ビーム発生器２とは別の圧力勾配型プラズマガン１によって発生されるプラズマを利用して、前記気化した有機材料または無機材料を活性化させて、透明基材フィルム１３上に有機薄膜層または無機薄膜層を形成する。 - 特許庁

The method for producing the barrier film is provided in which an inorganic oxide is vacuum-deposited on a base material, and the method is characterized in that oxygen containing an inert gas in an amount required for preventing the electrification of the barrier film is introduced into a space between the base material and a vapor deposition source heated by electron beams while generating microwaves.例文帳に追加

基材に無機酸化物を真空蒸着するバリア性フィルムの製造方法において、マイクロ波を発生させながら、基材と、電子線で加熱する蒸着源との間に、バリア性フィルムの帯電を防止するために必要な量の不活性ガスを含んだ酸素を導入することを特徴とするバリア性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

This field emission type electron source 100 is formed on a substrate 6, is equipped with an insulating layer 4 having one or more openings 5 and a drawing electrode 3 formed on the insulating layer 4, and in one or more openings 5, a plurality of emitters 2 to emit electrons respectively by means of an electric field from the drawing electrode 3 are formed on the substrate 6.例文帳に追加

電界放出型電子源１００は、基板６の上に形成され、１個以上の開口５を有する絶縁層４と、絶縁層４の上に形成された引出し電極３とを具備し、開口５の１つ以上の中には、引出し電極３からの電界によって電子をそれぞれ放出する複数のエミッタ２が基板６に形成されている - 特許庁

An organic thin-film transistor is provided which uses a polythienylquinoxaline derivative prepared by introducing a quinoxaline ring having a high electron affinity, namely, having an n-semiconductor properties and simultaneously exhibiting p- and n-electric properties into a polythiophene having a p-semiconductor properties and includes a substrate, a gate electrode, a gate insulation layer, an organic active layer, and a source/drain electrode.例文帳に追加

ｐ型半導体特性を有するポリチオフェンに、電子親和力の大きい、すなわちｎ型半導体特性を持つキノキサリン環を導入したｐ型とｎ型の電気的特性を同時に示すポリチエニルキノキサリン誘導を使用し、且つ、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機活性層、及びソース／ドレイン電極を含んでなる有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

In an electron emitting source, plural strip cathode electrode lines 2 are formed on a lower base 1 of a glass material for instance, a thin film 7 is formed on it, an insulating layer 3 is filmed on it, and plural strip gate power lines 4 are also formed on it so as to cross the cathode electrode lines 2, in order to form a matrix structure.例文帳に追加

電子放出源は、例えばガラス材よりなる下部基板１の表面上に帯状の複数本のカソード電極ライン２が形成され、その上に薄膜７が成膜され、またその上に絶縁層３が成膜され、さらにその上にカソード電極ライン２と交差して帯状に複数本のゲート電力ライン４が形成され、マトリクス構造を構成している。 - 特許庁

To reduce a measurement time and maintenance management manhours by preventing occurrence of unnecessary resource consumption and replacement expense due to replacement of a usable filament in a conventional device by properly predicting and determining disconnection and deformation of the filament of an electron beam source device, and confusion of a process due to a follow-up process in occurrence of sudden disconnection and deformation.例文帳に追加

電子線源装置フィラメントの断線・変形を的確に予測・判定し、従来の装置における使用可能なフィラメントの交換による不必要な資源消費および交換費用の発生ならびに、突然の断線や変形発生時の後追い処理による工程の混乱を防止し、測定時間、保守管理工数を低減する。 - 特許庁

The electron-impact heating equipment has the filament 9 which generates thermoelectrons, an accelerating power source 19 which causes the thermoelectrons generated from the filament 9 to collide with a heating plate 2 by accelerating the thermoelectrons, and the reflector 3 which is provided on the backside of the filament 9 with respect to the heating plate 2 and reflects heat generated when the thermoelectrons are caused to collide with the heating plate 2.例文帳に追加

電子衝撃加熱装置は、熱電子を発生するフィラメント９と、このフィラメント９で発生した熱電子を加速して加熱プレート２に衝突させる加速電源１９と、加熱プレート２に対してフィラメント９の背後側に設けられ、加熱プレート２の電子衝撃で発生する熱を反射するリフレクタ３とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron source which can form in a given thickness a conductive film of high resistance set for eliminating problems due to abnormal discharge phenomenon or the like, even in case there exists a porous member on a substance and, especially, can form a uniform conductive film by a spray coating method advantageous in cost.例文帳に追加

基板上に多孔質性を有する部材が存在する場合においても、異常放電現象等による問題を解消するために設けられる高抵抗の導電膜を所定の厚みで形成でき、特にコスト的に極めて有利なスプレー塗布法により均一に導電膜を形成することが可能な電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the selected one or the plurality of horizontal scanning lines 257, electrons are made to be emitted from the electron emission source to the photoelectric conversion film 230 during a retrace line erasure period right after the video signal output period, and a given retrace line erasure period except a retrace line erasure period just before the next video signal output period of the previous video signal output period.例文帳に追加

選択された１又は複数の水平走査ライン２５７では、前記映像信号出力期間の直後の帰線消去期間及び前記映像信号出力期間の次の映像信号出力期間の直前の帰線消去期間を除く任意の帰線消去期間に、電子放出源から光電変換膜２３０に電子を放出させる。 - 特許庁

The electron source 10a is constructed of a lower electrode 12, a buffer layer made of amorphous silicon layer formed on the lower electrode 12a, a polycrystalline silicon layer 3 formed on the buffer layer, an intense-field drift layer 6 formed on the polycrystalline silicon layer 3, and a surface electrode 7 formed on the intense-field drift layer.例文帳に追加

電子源素子１０ａは、下部電極１２と、下部電極１２ａに形成されたアモルファスシリコン層からなるバッファ層１４と、バッファ層１４上に形成された多結晶シリコン層３と、多結晶シリコン層３上に形成された強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁

To provide a carbon nano structure called CNT, CNF and GNF having superior durability, allowing high measuring accuracy and inexpensively and nonvariably manufacturable in a short time; its manufacturing method; its cutting method; a probe for STM and AFM having this structure or an electric field electron emitting source such as FED, an X-ray device, SEM and TEM.例文帳に追加

優れた耐久性を備え、高い測定精度を可能とし、短時間・低コストでばらつき無く作製できるＣＮＴ、ＣＮＦ、ＧＮＦという炭素ナノ構造体、その製造方法、その切断方法、それを有するＳＴＭやＡＦＭ用の探針あるいはＦＥＤ、Ｘ線装置、ＳＥＭ、ＴＥＭ等の電界電子放出源を提供する。 - 特許庁

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece.例文帳に追加

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。 - 特許庁

In the exposure device using the electron beam as a source of the exposure and having a vacuum chamber 11 in which a driving unit is installed for rotating and transferring a resist plate 13, the driving unit is moved by a friction drive means consisting of a rotary shaft 21 and a pressurization roller 24 which are in contact with each other.例文帳に追加

本発明は、露光源に電子ビームを使用し、真空チャンバ１１内にレジスト板１３を回転・移動させるための駆動ユニットが設置されて成る光ディスク原盤露光装置において、互いに接触する回転シャフト２１と与圧ローラ２４とから成る摩擦駆動手段によって、前記駆動ユニットが移動されることを特徴とする。 - 特許庁

A collector electrode made of ITO membrane is formed on the face plate 30 on the opposing face to the rear plate 20, and a plurality of pixels (picture elements) are formed on the opposing face to the rear plate 20 of the collector electrode, and each electron source element 10 is arranged for each sub pixel 32 made of one phosphor cell (phosphor layer) respectively.例文帳に追加

フェースプレート３０におけるリヤプレート２０との対向面にはＩＴＯ膜よりなるコレクタ電極が形成されるとともに、コレクタ電極におけるリヤプレート２０との対向面に、複数のピクセル（画素）が形成されており、各電子源素子１０はそれぞれ１つの蛍光体セル（蛍光体層）からなるサブピクセル３２毎に配設されている。 - 特許庁

The high electron mobility transistor 1 comprises a drain electrode 5 and a source electrode 6 which have high breakdown strength GaN layer 3 and an AlGaN layer 4 formed sequentially on a semi-insulating substrate 2, removes both ends of the GaN layer 3 and the AlGaN layer 4, and comes into contact with both layers from the GaN layer 3 to the AlGaN layer 4.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ１は、半絶縁性基板２上に順に形成された高耐圧のＧａＮ層３及びＡｌＧａＮ層４を有し、このＧａＮ層３上のＡｌＧａＮ層４の両端部を除去し、このＧａＮ層３上からＡｌＧａＮ層４上に亘って、両層に接するようにドレイン電極５及びソース電極６を備える。 - 特許庁

The electron beam generating device 10 impresses a high voltage between the cathode 11 and an anode 14, and comprises the cathode 11 which has an orientation carbon nanotube layer 13 bonded to the surface of a cathode body 12 and a light source 16 that irradiates light L to the surface of the orientation carbon nanotube layer 13 of the cathode 11.例文帳に追加

本発明に係る電子線発生装置１０は、カソード１１とアノード１４との間に高電圧を印可するものであって、カソード本体１２の表面に配向性カーボンナノチューブ層１３を接合したカソード１１と、そのカソード１１の配向性カーボンナノチューブ層１３表面に光Ｌを照射する光源１６とを備えたものである。 - 特許庁

A catalyst composition useful for polymerizing at least one monomer includes: (1) a treated solid oxide compound produced by contacting at least one solid oxide with at least one electron-withdrawing anion source; (2) a metallocene compound of group IVA; and (3) an organoaluminum compound.例文帳に追加

少なくとも一種類の単量体を重合するのに有用な触媒組成物として、１）少なくとも一種類の固体酸化物と、少なくとも一種類の電子吸引性の陰イオン源とを接触させることにより生成させた、処理済み固体酸化物化合物、２）第ＩＶＡ族のメタロセン化合物及び３）有機アルミニウム化合物を含む組成物。 - 特許庁

After forming the sacrifice layer by applying a solution containing a material to be used as the sacrifice layer in a droplet state between element layers and drying it, a solution containing a metal element is applied in a droplet state between the element electrodes, the droplet is dried to form a conductive thin film to be used as an electron emission source, and then the sacrifice layer is removed.例文帳に追加

素子電極間に犠牲層となる材料を含む溶液を液滴状態で付与し、これを乾燥して犠牲層を形成した後に、この素子電極間に金属元素を含む容液の液滴を液滴状態で付与し、この液滴を乾燥して電子放出源となる導電性薄膜を形成し、その後に犠牲層を除去する。 - 特許庁

A comparison circuit 19 compares a voltage of a high level feedback point 9 with an output voltage of a Gm electrode voltage source 17, and when electric discharge occurs between the electrode of the electron gun and the anode or the cathode and the comparison circuit detects that only the feedback voltage has dropped lower than a steady-state value, the circuit supplies a detection signal to a high voltage circuit 22.例文帳に追加

比較回路１９は、高圧レベルフィードバック点９の電圧とＧｍ電極電圧源１７の出力電圧とを比較し、電子銃の電極とアノードまたはカソードとの間で放電が発生し、フィードバック電圧のみが定常値から低下したことを検出したときに高圧制御回路２２に検出信号を供給する。 - 特許庁

This field emission electron source 10 has a large number of minute emitters having a tip with sharpened profile formed on the conductive substrate 12 and a gate electrode 18 surrounding the vicinity of the tip of each emitter 14 with a minute gap, and an insulating layer for insulating between the gate electrode 18 and the substrate 12.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０は、導電性の基板１２上に先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタ１４を形成し、かつ各エミッタ１４の先端付近を微小な間隙をあけて取り囲むゲート電極１８と、ゲート電極１８と基板１２との間を絶縁する絶縁層とを設けた構造をしている。 - 特許庁

The image display device includes the display panel having an anode substrate having a phosphor and a cathode substrate having an electron source, and a reinforcing body fixed to the cathode substrate, wherein a holding member for mounting on and fixation to other equipment is provided on a flank and holes into which screw for mounting fixation are inserted in a direction parallel to a main surface of the anode substrate are bored in the holding member.例文帳に追加

蛍光体を備えたアノード基板と電子源を備えたカソード基板とを有する表示パネルと、カソード基板に固着された補強体とを備えた画像表示装置において、その側面に、他の機器に実装固定するための保持部材を備え、該保持部材に実装固定用ネジをアノード基板の主面と平行な方向に挿通する孔を設ける。 - 特許庁

To easily acquire a necessary magnetic flux density distribution required for obtaining necessary ions, in an electron cyclotron ion source which is constituted of a conduction tube to introduce a gas medium, a waveguide for injecting high frequency waves to excite the gas medium, a vacuum vessel with an ion extraction unit, and permanent magnets for impressing a magnetic field to the vacuum vessel.例文帳に追加

ガス媒質を導入する導管、ガス媒質を励振するための高周波を注入する導波管、イオンの抽出部を有する真空容器、及び真空容器に磁場を印加するための永久磁石からなる電子サイクロトロンイオン源において、所要のイオンを得るのに必要な磁束密度分布を容易に得られるようにすること。 - 特許庁

This invention provides a technique effecting a soft ionization of an analyte substance by ESI, FI, FD, LIFDI, MALDI or a hybrid thereof with the same ion volume without replacing an ion source by appropriately adjusting pressure, laser radiation and electric field intensity to detect ions or radical ions formed by a mass spectrometry and/or an electron paramagnetic resonance spectroscopy.例文帳に追加

圧力、レーザ放射、および電界強度を適当に調整することにより、質量分析法および／または電子常磁性共鳴分光法により形成されたイオンまたはラジカル・イオンを検出し、イオン源を交換しないで、同じイオン容量で、ＥＳＩ、ＦＩ、ＦＤ、ＬＩＦＤＩまたはＭＡＬＤＩ、またはこれらのハイブリッドにより分析用物質をソフト・イオン化するための技術を提供する。 - 特許庁

This method for producing a dehalogenated compound from a halogenated compound comprises irradiating light on the halogenated compound, an organic compound semi-conductor such as polyparaphenylene, a metal sulfide such as cadmium sulfide or a nano-sized particulate compound semiconductor having an average particle diameter of 1-30 nm, and an electron source, thereby dehalogenating and hydrogenating the halogenated compound.例文帳に追加

本発明では、ハロゲン化物から脱ハロゲン化物を得るにあたり、前記ハロゲン化物と、光触媒としての、ポリパラフェニレン等の有機化合物半導体、硫化カドミウム以外の金属硫化物又は１ｎｍ〜３０ｎｍの平均粒径を有するナノサイズ微粒子の化合物半導体と、電子源とに光を照射することによって、前記ハロゲン化物を脱ハロゲン化し、前記ハロゲン化物を水素化する。 - 特許庁

In this electron emitting element having a field effect transistor(FET) formed on the surface of a semiconductor layer and a conical emitter having a sharpened tip, an emitter forming area 11 is formed into a circular shape or a polygon, and a FET gate electrode 4 and a FET source electrode 9 in the form of a circular ring or a polygonal ring are disposed in the peripheral area of the emitter forming area.例文帳に追加

半導体層の表面に形成された電解効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、先端が先鋭化されたコーン型エミッタを有する電子放出素子において、エミッタ形成領域１１を円形または多角形状とし、エミッタ形成領域の周辺に円形環または多角形環型のＦＥＴゲート電極４とＦＥＴソース電極９を配置する。 - 特許庁

In the electron source joining the fibrous carbon to the base material, 1 to 5 atom% of at least one kind out of nitrogen, boron, phosphorus, and sulfur is contained in the fibrous carbon, and the IG/ID ratio (IG means Raman scattering intensity corresponding to expanding and contracting motion of carbon in a graphite structure, and ID means Raman scattering intensity corresponding to crystal lattice disorder) is 0.75 or more.例文帳に追加

繊維状炭素を基材に接合した電子源において、該繊維状炭素中は窒素，ボロン，リン，硫黄の少なくとも１種類を１〜５原子％含有し、ラマン分光強度のＩＧ／ＩＤ比（ＩＧ；グラファイト構造における炭素の伸縮運動に対応するラマン散乱強度、ＩＤ；結晶格子乱れに対応するラマン散乱強度）が０.７５ 以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new nitrogen-containing organic compound suitably used for a chemically-amplified resist material applicable to immersion exposure that gives a high-resolution image and reduces dependence on mask coverage in photolithography for microfabrication, especially in lithography using as a light source a KrF laser, an ArF laser, an F2 laser, extremely-short ultraviolet rays, an electron beam, X-rays and the like.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ2レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物の提供。 - 特許庁

When a metal such as Al or Ag having high light reflection efficiency is used as the material serving as an electron and hole source, even if an area ratio of the metal to the phosphor surface is set to 50%, probability (η) of light finally coming out to the outside attains to about 90% by repetition of reflection-absorption on metal thin films, accordingly there is substantially no problem on luminous efficiency.例文帳に追加

電子及び正孔の供給源となる材料として光の反射効率の高いAl、Agなどの金属を使用した場合、蛍光体表面に占める面積比率を５０％としても、金属薄膜において反射・吸収を繰り返すことにより、最終的に外部に出ることが出来た光の確率（η）は約90％となり、発光効率上はほとんど問題がない。 - 特許庁

To obtain a microorganism capable of producing hydrogen using solar light having an extremely large amount of resources as an energy source and using water which is nearly inexhaustible as an electron donor without requiring an organic compound or an inorganic sulfur compound having a limited amount of resources and to provide a method for producing the hydrogen using the microorganism.例文帳に追加

本発明は、資源量が極めて大きい太陽光をエネルギー源とし、かつ資源量が有限な有機化合物や無機硫黄化合物を必要とせずにほぼ無尽蔵である水を電子供与体として用いることにより水素を産生することができる微生物およびこの微生物を用いた水素の産生方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

This field emission electron source device is equipped with a substrate, an insulating layer having a plurality of openings formed on the substrate, withdrawable electrodes formed on the insulating layer and a cathode formed in each of the openings in the substrate, wherein the insulating characteristic of the entire insulating layer is controlled by the use of an insulating layer of multilayer structure that has a relative dielectric constant different from the other layers.例文帳に追加

基板、基板上に形成された複数の開口部を有する絶縁層、絶縁層上に形成された引き出し電極、および基板上の開口部内に設けられた陰極を備えた電界放出型電子源装置において、比誘電率が他の層とは異なる多層構造の絶縁層を用いることで、絶縁層全体の絶縁性を制御する。 - 特許庁

To provide a serial control system controlling a constant current generator for an electron light emission source attaining highly accurate adjustment of luminance by a simple circuit structure of a load circuit connected in series with a plurality of lights using the electronic light emission sources and attaining reduction in time for controlling a plurality of load circuits and reduction in load on the maintenance of the lights.例文帳に追加

電子発光光源を用いた複数の灯火が直列に接続されている負荷回路に対して簡単な回路構成で輝度調整の高精度化を図ると共に、複数の負荷回路に対する制御時間を短縮し、さらに、灯火の保守メンテナンス負担を軽減することができる電子発光光源用定電流発生器シリアル制御システムを提供する。 - 特許庁

The cold cathode electron source 30 emits electrons from a CNT film 4 by a voltage impressed on a conductive membrane 5 and a conductive membrane 6, and comprises an insulating film 2, the conductive membrane 5 formed on the insulating film 2, the conductive membrane 6 formed on the conductive membrane 5, and an insulating film 7 formed between the conductive membrane 5 and the conductive membrane 6.例文帳に追加

本発明の冷陰極電子源３０は、導電膜５および導電膜６に印加された電圧によってＣＮＴ膜４から電子を放出する冷陰極電子源であって、絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成された導電膜５と、導電膜５上に形成された導電膜６と、導電膜５と導電膜６との間に形成された絶縁膜７とを備えている。 - 特許庁

In the field emission light source including a grid electrode 18 provided with a number of electron passing holes 18a, the electrode being interposed between an anode electrode 12 with a fluorescent film 14 and a field emission cathode electrode 16, an insulating thin film 20 is provided in a discontinuous film shape on a grid electrode surface 18b opposed to the cathode electrode 18 as a charge-up member.例文帳に追加

蛍光膜１４付きのアノード電極１２と電界放射型のカソード電極１６との間に多数の電子通過孔１８ａを備えたグリッド電極１８を介装した電界放出型光源において、上記カソード電極１８に対向するグリッド電極面１８ｂ上に不連続な膜形状に絶縁薄膜２０をチャージアップ部材として設けた構成。 - 特許庁

For the heating element 3, a coating film of tungsten of which the impurity metal content is ≤0.01 weight% is formed on a surface of a base member made of tungsten, by an electron beam vapor deposition method taking tungsten powder of which the impurity metal content is ≤0.01 weight%, as an evaporation source or a chemical vapor deposition method using reduction with hydrogen of tungsten hexafluoride.例文帳に追加

発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。 - 特許庁

In a field emission type electron source 10, a strong electric field drift region 6 made of oxidized porous polycrystalline silicon and a conductive region 8 made of n-type polycrystalline silicon are spaced away from each other and placed in parallel with each other in a plane of an undoped polycrystalline silicon layer 3 as a semiconductor layer that is formed on one surface of an insulation board 11 of a glass board.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１１の一表面上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層３に、酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト領域６とｎ形多結晶シリコンよりなる導電性領域８とが面内方向に並んで所定距離だけ離間して形成されている。 - 特許庁

The electron source element 10a is structured with an n-type silicon substrate 1, a semiconductor layer 3 consisting of a polycrystalline silicon layer formed on the main surface of the n-type silicon substrate, a high-field drift layer consisting of an oxidized porous polycrystalline silicon layer formed on the semiconductor layer 3, and a surface electrode 7 formed on the high-field drift layer 6.例文帳に追加

電子源素子１０ａは、ｎ形シリコン基板１と、ｎ形シリコン基板１の主表面上に形成されたノンドープの多結晶シリコン層よりなる半導体層３と、半導体層３上に形成された酸化した多孔質多結晶シリコン層よりなる強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁

The protecting film 33 is formed by electron beam deposition, and as a deposition source, a pellet obtained by pressurizing the mixture powder of the basic magnesium carbonate pentahydrate powder and the cerium oxide powder mixed at the predetermined ratio in a mold for molding, and putting it in a crucible of aluminum, and burning it at about 1400° C in the atmosphere for about 30 minutes is used.例文帳に追加

保護膜３３は電子ビーム蒸着法により形成され、このとき、塩基性炭酸マグネシウム五水和物の粉末と酸化セリウム粉末とが所定の割合で混合された混合粉末を金型に入れて加圧成型した後に、それをアルミナルツボに入れ、大気中で１４００°Ｃ程度の温度で以て約３０分間の焼成して得られるペレットを蒸着源とする。 - 特許庁

A nonvolatile memory element comprises a semiconductor substrate 30 on which source and drain regions 32 and 34 and a channel region 36 are provided, a silicon oxide layer 41 formed on the channel region 36, a transition metal oxide layer 44 comprising a trap particle for trapping an electron on the silicon oxide layer 41, and a gate electrode 48 formed on the transition metal oxide layer 44.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域３２、３４とチャンネル領域３６とが設けられた半導体基板３０、チャンネル領域３６上に形成されたシリコン酸化物層４１、シリコン酸化物層４１上に電子をトラップするトラップパーチクルを含む転移金属酸化物層４４、及び転移金属酸化物層４４上に形成されたゲート電極４８を備える不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

The electron source device is provided with a first conductor layer formed on an insulating board, an alumina binding layer formed on it including a porous alumina having a number of fine pores and a bonding inorganic material, a conductive layer formed inside the fine pores of the porous alumina, and a second conductor layer formed in electric contact with the conductive layer on the alumina bonding layer.例文帳に追加

この電子源装置は、絶縁基板上に形成された第１の導電体層と、その上に形成された、多数の微細孔を有する多孔質アルミナと結着性の無機材料を含むアルミナ結着層と、前記多孔質アルミナの微細孔内に形成された導通層と、前記アルミナ結着層の上に前記導通層と電気的に接触して形成された第２の導電体層を備えている。 - 特許庁

In a GaN based HFET, a two-dimensional electron gas removal region 260B is located outward in the longer direction with respect to a virtual line M71 extending in the short direction from one end part 211A of the longer direction of a drain electrode 211, and is formed in a GaN based laminate 205 beneath a region adjacent in the short direction to one end part 212A of a source electrode 212.例文帳に追加

このＧａＮ系のＨＦＥＴでは、２次元電子ガス除去領域２６０Ｂが、ドレイン電極２１１の長手方向の一方の端２１１Ａから短手方向に伸ばした仮想線Ｍ７１よりも長手方向外方に位置すると共にソース電極２１２の一端部２１２Ａに対して短手方向に隣接する領域の下のＧａＮ系積層体２０５に形成されている。 - 特許庁

This electrochemical cell includes a positive electrode containing a proton conduction type compound as an electrode active material, a negative electrode containing a proton conduction type compound as an electrode active material, and an aqueous electrolyte containing a proton source as an electrolyte, and a high polymer compound having an atom with unpaired electrons as a principal chain is contained in the electrolyte as an electron transfer accelerator.例文帳に追加

電極活物質としてプロトン伝導型化合物を含有する正極電極と、電極活物質としてプロトン伝導型化合物を含有する負極電極と、電解質としてプロトン源を含む水系電解液を含有し、さらに前記電解液に、電子移動促進剤として、不対電子を持つ原子を主鎖に有する高分子化合物を含有する電気化学セル。 - 特許庁

In a method of manufacturing the field emission type electron source equipped with the cold cathode which discharges electrons by being applied with an electric field, by exposing the carbon material 10 to be a material of the cold cathode to a combustion flame 11 of a mixture of hydrogen and oxygen, an etching treatment to form a nanometer structure of carbon on a surface of the carbon material 10 is performed, and the cold cathode is formed of the obtained carbon material 10.例文帳に追加

電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the central control part 12 makes an approximation formula which expresses time transition based on detected data or the time transition of average value, variation width and stability about the detected data, calculates time when value of the approximation formula reaches a prescribed value and thereby estimates stable operation establishing time of an electron source, and displays the estimated stable operation establishing time on a display 18.例文帳に追加

また、中央制御部１２は、前記検出データ、または、その検出データについての平均値、変動幅、安定度などの時間推移に基づき、それらの値の時間推移を表す近似式を求め、その近似式の値が所定の値に達する時刻を算出することによって電子源の安定稼働到達時刻を推定し、その推定した安定稼働到達時刻を表示装置１８に表示する。 - 特許庁

A cathode electrode is formed by printing of paste with nanotubes mixed; multiple minute craters 1301 are formed by spraying dry ice to a surface of an electron source print film 100; the nanotubes 103 in the minute craters and in the vicinities thereof are raised; and thereby a geometric arrangement wherein a raising rate of the nanotubes is increased as compared with parts separated from the minute craters is formed to realize efficient electric field concentration.例文帳に追加

カソード電極がナノチューブを混合したペーストの印刷で形成され、前記電子源印刷膜１００の表面にドライアイスの吹き付けで多数の微小クレータ１３０１を形成し、当該微小クレータおよびその近傍でのナノチューブ１０３を起毛させ、当該微小クレータから離れた部分よりもナノチューブの起毛率が高くなる幾何学配置となり、効率のよい電界集中を実現できる。 - 特許庁