「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

A ring shape ion collector manufactured by fine wires is disposed between a grid and an electron repulsion electrode to reduce the area of an ion collector for measuring the total pressure, and enable the total pressure measuring of wide pressure range from a super high vacuum area to a high vacuum area in the ion source of the mass spectrometer.例文帳に追加

質量分析計のイオン源において、全圧測定用のイオンコレクタの面積を小さくし、超高真空領域〜高真空領域までの広い圧力範囲の全圧測定を可能とするために、グリッドと電子反発電極との間に細線で製作されたリング状のイオンコレクタが配置される。 - 特許庁

If a film of carbon fiber is made on the cathode substrate 5 by a thermal CVD method, the field electron emitting source 11 in which a thickly grown carbon fiber film 8 and a thinly grown carbon fiber film 9 are distributed is formed, without disposing conductive particles on the cathode substrate 5.例文帳に追加

この陰極基板５に熱ＣＶＤ法を用いて炭素繊維を製膜すると、導電性の粒子を陰極基板５上に配置することなく、厚く成長した炭素繊維膜８と薄く成長した炭素繊維膜９の分布する凹凸形状のついた電界電子放出源１１が形成される。 - 特許庁

This semiconductor device is an electron source having a plurality of lower electrodes 2 on one surface of a support substrate 1 and equipped with a function layer 4 between the lower electrodes 2 and the surface electrodes 3 facing to them, and emits electrons tunneling the surface electrodes 3 when a voltage is applied between the surface electrodes 3 and the lower electrodes 2.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板１の一表面に複数本の下部電極２を有し、下部電極２に対向する表面電極３との間に機能層４を備える電子源であって、表面電極３と下部電極２との間に電圧を印加すると表面電極３をトンネルする電子を放射する。 - 特許庁

An electron source includes a filament 8 which is installed as hitched near the forefront of a filament supporting plate 20 in such an arrangement that the connecting edge 28c which ties together the root part 28a and forefront 28b of each channel-form bent part 28 of the filament 8 is positioned approx. parallel with the plane 14 whereto an extraction electrode 12 belongs.例文帳に追加

各フィラメント支持部において、フィラメント８のコ字状の各曲げ加工部２８の根本部２８ａと先端部２８ｂとの間をつなぐ接続辺２８ｃが、引出し電極１２の属する面１４にほぼ平行になるように、フィラメント８をフィラメント支持板２０の先端部付近に引っ掛けて取り付けている。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for optical disk original disk recording which enables even an original disk exposing device for an optical disk which uses which enables even an original disk exposing device for an optical disk which uses an electron beam to makes pit width corrections by pit lengths with beam intensity while a beam current taken out of a source is held stable.例文帳に追加

この発明は、電子ビームによる光ディスク用原盤露光装置においても、ソースから取り出されるビーム電流を安定させたままで、ビーム強度によって各ピット長毎のピット幅補正を行うことを可能とする光ディスク原盤記録装置とその方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To reduce contamination from the atmosphere when opening a container, shorten time of vacuum exhaust, and accordingly shorten a manufacturing time of an electron source or the like, in a substrate processing method to form an air-tight atmosphere with a substrate and the container covering the substrate, and to apply a prescribed processing to the substrate in the air-tight atmosphere.例文帳に追加

基板と当該基板を覆う容器とで気密雰囲気を形成し、当該気密雰囲気下にて基板に所定の処理を施す基板処理方法において、容器を開放したときの大気からの汚染を低減し、真空排気の時間の短縮を図り、もって電子源等の製造時間を短縮する。 - 特許庁

The image display unit 100 is provided with a face plate 30 made of glass, a rear plate 20 arranged opposite to the face plate 30, and a field emission type electron source 10 arranged in the rear plate 20 at an opposite side to the face plate 30, and a frame-like support spacer 40 is arranged between both the plates 30, 20.例文帳に追加

画像表示器１００は、ガラスよりなるフェースプレート３０と、フェースプレート３０に対向配置されるリヤプレート２０と、リヤプレート２０におけるフェースプレート３０への対向面側に配設された電界放射型電子源１０とを備え、両プレート３０，２０間には、枠状に形成された支持用のスペーサ４０が配設されている。 - 特許庁

A substrate for electron source forming has a layer 1b containing SiO_2 as a main component on a substrate 1a, wherein the SiO_2 layer has a hardness higher than 5 GPa measured by the nano indentation method at room temperature, or an etching rate not higher than 10 nm/min in the solution containing 0.4 wt% of ammonium hydrogen fluoride at room temperature.例文帳に追加

基板１ａ上にＳｉＯ_２を主成分とする層１ｂを有し、該ＳｉＯ_２層の室温におけるナノインデンテーション法により測定される硬度が５ＧＰａ以上、あるいは、該ＳｉＯ_２層の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液でのエッチングレートが１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The first and second engagement end parts are joined so that the first and second rotation axes are aligned and the corresponding recessed parts 418, 420 of the first and second engagement end parts are aligned, and under this condition, each of openings 300 is formed so that the aligned recessed part receives an electron source.例文帳に追加

第１及び第２回転軸が位置合わせされ且つ第１及び第２係合端部の対応する凹部４１８、４２０が位置合わせされるように、第１及び第２係合端部が接合された状態において、位置合わせされた凹部が電子ソースを受け入れるように夫々が構成された開口３００を形成する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which can adjust a threshold of a gate voltage for switching an energization state between a source electrode and a drain electrode to a predetermined value while generating a secondary electron gas layer on a first semiconductor layer by the hetero-junction of a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ接合により第１半導体層に二次電子ガス層を生じさせつつ、ソース電極とドレイン電極との間の通電状態を切り換えるためのゲート電圧のしきい値を所定の値に調整することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A photoelectron gun comprises a vacuum container 18, having a cathode 11 and an electron-extracting window 21 for extracting photoelectrons 15 opened in the cathode 11 and a UV-light source 13 for irradiating the cathode 11 with light including wavelengths within 100 nm to 400 nm, to cause the cathode 11 to discharge photoelectrons.例文帳に追加

カソード１１が配置され且つ該カソード１１で発生した光電子１５を取り出す電子取出窓２１が設けられた真空容器１８と、該カソード１１に対して１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の波長を含む光を照射して該カソード１１から光電子を放出させるＵＶ光源１３とを備える。 - 特許庁

A dispensation needle 12 is dipped into second liquid 14 into which first liquid 11 is to be dispensed, and a beam 19 from a light source 18 irradiates the second liquid 14 near the head of the dispensation needle 12, and a beam emitted from the second liquid 14 is detected by a light receiver 20 and processed by an electron detecting circuit 22.例文帳に追加

第１液体１１が分注される第２液体１４に分注針１２を浸漬し、光源１８からのビーム１９を分注針１２の先端付近で第２液体１４に照射し、第２液体１４から射出したビームを受光器２０で検出して電子検出回路２２で処理する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a boron-containing pure titanium material, a titanium material is made by adding a boron source to sponge titanium or pure titanium scrap, the titanium material is smelted as an ingot in a vacuum arc melting furnace or an electron beam melting furnace, and the ingot is directly subjected to hot rolling in an α-phase region without subjecting the ingot to hot forging.例文帳に追加

スポンジチタンまたは純チタンスクラップにホウ素源を添加してチタン原料とし、チタン原料を真空アーク溶解炉または電子ビーム溶解炉にてインゴットとして溶製し、インゴットを熱間鍛造することなく、α相領域で直接熱間圧延するホウ素含有純チタン材の製造方法。 - 特許庁

The E beam system stores the calibration data by using a flash EPROM and generates one set of super-parallel beams with a scale of 1,000 beams by receiving on/off signals directed by an address system of a memory array with each electron source mounted on the memory array as a geometrical array to trace a memory array structure.例文帳に追加

Ｅビーム・システムは、フラッシュＥＰＲＯＭを使用して較正データを記憶し、メモリ・アレイのアドレス・システムによって向けられたオン／オフ信号を受信することにより１０００本の規模の１組の超並列ビームを発生し、個々の電子源はメモリ・アレイの構造を追跡する幾何学的アレイとしてメモリ・アレイの上に取り付けられる。 - 特許庁

Hydrogen ions which are accelerated by a gas discharge plasma or which are extracted from an ion source are injected into the surface of a mixed molten metal of a nuclear fusion substance and an electron donor catalyst inside an electrode, united atoms are formed by a cohesive force acting between atoms inside the molten metal, and a nuclear fusion reaction is induced.例文帳に追加

電極内の核融合物質と電子ドナー触媒の混合溶融金属表面にガス放電プラズマで加速又はイオン源から引出した水素イオンを注入して、前記溶融金属内の原子間に働く凝集力による融合原子形成で核融合反応を誘発させること。 - 特許庁

Elements belonging to a group 8 or a group Ib, or a laminated film or an alloy film of them are used for a constituent of the upper electrode of the thin-film electron source, and the quantity of an S content or the like adhering to the upper electrode is set not larger than 20 mol% of the total of the elements used for the upper electrode in terms of element.例文帳に追加

薄膜電子源の上部電極成分として８族またはＩｂ族に属する元素、あるいはそれらの積層膜、合金膜を用い、上部電極に付着しているＳ分等の量を、元素換算で、上部電極として用いられている元素総量の２０mol％以下とした。 - 特許庁

The vacuum container 1 is provided with a first chamber 11 composed at least of a first substrate 111 on which an electron source structure body 200 with a field emission cold cathode is arranged and a transparent substrate 110 facing the first substrate, a second chamber 12 in which a getter 230 is arranged, and at least one third chamber 13.例文帳に追加

真空容器１は、電界放出型冷陰極を備えた電子源構体２００が配置された第１基板１１１、及び第１基板と対向する透明基板１１０とにより少なくとも形成された第１部屋１１と、ゲッター２３０が配置された第２部屋１２と、少なくとも１つの第３部屋１３とを備える。 - 特許庁

In the organic EL device, a transparent electrode 2, a hole injection layer 31 and a hole transport layer 32 which function as a hole transport function layer 3, a light emission layer 4, an electron transport function layer 5, and a metallic electrode 6 are formed in order on a glass transparent substrate 1, and a driving power source 7 is connected to the transparent electrode 2 and the metallic electrode 6.例文帳に追加

有機ＥＬデバイスとして、ガラス透明基板１上に、順次、透明電極２、正孔輸送機能層３として機能する正孔注入層３１及び正孔輸送層３２、発光層４、電子輸送機能層５、金属電極６を形成し、透明電極２と金属電極６に駆動電源７を接続する。 - 特許庁

A manufacturing apparatus of an electron source has a support body 207 on which a substrate 10 with a plurality of conductive members 4 disposed thereon is laid, a pulse generation unit 216 applying voltages to the members 4, temperature regulating means 102, 103 controlling the temperature of the support body 207, and a measurement means 101 measuring the heat generation amount from the substrate 10.例文帳に追加

複数の導電性部材４が配置された基板１０を載置する支持体２０７、導電性部材に電圧を印加するパルス発生器２１６、支持体２０７の温度を制御する温度調整手段１０２、１０３、基板１０の発熱量を計測する計測手段１０１とを具備する。 - 特許庁

Thereafter, when an operation key switch on an operation panel is switched, electrons are generated from an electron source 1, and the electrons are accelerated by an accelerator 2, scanned in a prescribed range by the scanner 4, and irradiated only to the tips of the beam masks 7 and the irradiation range L of the irradiation object 8 through a window foil 6 provided on the tip part of a scanning tube 5.例文帳に追加

この後、操作盤の運転キースイッチを入れると、電子源１から電子が発生され、この電子は加速器２で加速された後、走査器４によって所定範囲で走査され、走査管５の先端部に設けた窓箔６を通して、ビームマスク７の先端と被照射物８の照射範囲Ｌのみに照射される。 - 特許庁

In the electron source 1, since a metal wire 2 that is a first metal to which a second metal is added is used and the second metal wire 2 is heat-treated to deposit the second metal on a tip 2a of the metal wire 2 so that a needle part 3 is formed, the needle part 3 can be formed newly by heat-treating again and depositing the second metal.例文帳に追加

電子源１は、第１の金属に第２の金属を添加した金属線２を用い、前記金属線２を熱処理して第２の金属を金属線２の先端2aに析出させて針部３を形成することとしたから、再度熱処理して第２の金属を析出させて、新たに針部３を形成することができる。 - 特許庁

The thermal electron source includes a substrate 2 and a conductive thermoionic cathode 3 which is provided on the substrate 2 and has a plurality of fine holes 6 on its surface, and a radiation from the thermoionic cathode 3 is reduced and an integration and an enlargement of an area are made possible and a rapid response after being conducted is made possible to reduce a power consumption.例文帳に追加

基板２と、基板２上に設けられ、表面に複数の微細な穴６を有する導電性の熱陰極３とを備え、熱陰極３からの放熱を減らし集積化および大面積化を可能とするとともに、通電後の高速応答を可能とすることにより、消費電力を少なくした。 - 特許庁

The device 1007 includes a filament 111 separated from atmospheric gas in a vacuum, an UV transparent type vacuum partition 700 for transmitting vacuum UV light 330, and a vacuum UV light source 600 arranged in the atmospheric gas and having a light/electron conversion electrode 610 which discharges photoelectrons 340 by receiving the vacuum UV light 330.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る装置1007は、雰囲気ガスから真空的に隔離されたフィラメント111と、真空紫外光330を透過させるＵＶ透明型真空隔壁700と、雰囲気ガス内に設置され真空紫外光330を受けて光電子340を放出する光/電子変換電極610とを有した真空紫外光源600を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electroluminescent element, the high-luminance electroluminescent element is obtained by compressing a phosphor layer 4 formed especially by coating particles, the phosphor layer 4 containing an electron radiation source 11, a dielectric layer, and the like in the electroluminescent element by cold isotropic compression and hence improving the functions of a luminous layer and the dielectric layer.例文帳に追加

本発明の製法は、電界発光素子の、特に、粒子を塗布して形成される、蛍光体層・電子放出源を含む蛍光体層・誘電体層などを、冷間等方圧縮により、圧縮させることにより、発光層や誘電体層の機能を向上し、高輝度発光素子を提供するものである。 - 特許庁

Continuously, a vapor deposition source is switched to titanium, pressure in the vacuum tub is increased, a side face protecting film 12 composed of titanium nitride is formed on the aluminium film 8 in a gaseous nitrogen atmosphere through electron beam vapor deposition, and the upper surface and both the side faces of the aluminium film 8 are covered with the side face protecting film 12.例文帳に追加

引き続き、蒸着源をチタンに切り替えると共に真空槽内の圧力を高くし、電子ビーム蒸着法により窒素雰囲気中でアルミニウム膜８の上に窒化チタンからなる側面保護膜１２を形成し、アルミニウム膜８の上面及び両側面を側面保護膜１２により覆う。 - 特許庁

In a retrace line erasure period just before the video signal output period to select one or a plurality of horizontal scanning lines 257, electrons are made to be emitted toward the photoelectric conversion film from the electron emission source contained in a not-selected one or a plurality of horizontal scanning lines 257 during the video signal output period.例文帳に追加

１又は複数の水平走査ライン２５７が選択される映像信号出力期間の直前の帰線消去期間に、前記映像信号出力期間に選択されていない１又は複数の水平走査ライン２５７に含まれる電子放出源から前記光電変換膜に向けて電子を放出させる。 - 特許庁

The surface of a semiconductor crystal substrate 15 is brought into contact with a fluoride-containing electrolytic solution, an electrode 25 is arranged in the electrolytic solution, a voltage is applied between the electrode 25 and the crystal substrate 15, and the crystal substrate 15 is irradiated with light 18 radiating from a light source 31 to generate electron-hole pairs.例文帳に追加

半導体結晶基板１５の一面をフッ化物を含有する電解液１２に接触させ、該フッ化物を含有する電解液内に電極２５を配置し、該電極と結晶基板との間に通電すると共に結晶基板に光源３１より光１８を照射してホールと電子の対を発生する。 - 特許庁

This x-ray source is formed with first dust segments 10, 20 of which the duct section includes a window and in which a liquid-metal target follows, further second segments 30, 40 in which coolant follows and which is connected with the first duct segment in order to cool a region where the electron beam acts on a first duct segment.例文帳に追加

Ｘ線源は、ダクトセクションが、窓を含み、中を液体金属ターゲットが流れる第１のダクトセグメント（１０、２０）と、中を冷媒が流れ、電子ビームが第１のダクトセグメントに作用する領域を冷却するよう第１のダクトセグメントに接続される第２のダクトセグメント（３０、４０）によって形成されることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a polymer film from floating from a cooling roll and from receiving a thermal damage by radiation heat from a molten metallic magnetic material even if there is a power source off by an abnormal discharge specific to an electron gun relating to the manufacture of a magnetic recording medium by vacuum vapor deposition.例文帳に追加

真空蒸着による磁気記録媒体の製造に関するものであって、電子銃特有の異常放電によって電源ＯＦＦがあっても、高分子フィルムが冷却ロールから浮き上がらないようにし、溶融した金属磁性材料からの輻射熱による熱的ダメージを受けないようにすること。 - 特許庁

A member 20 for a cold cathode formed of a material becoming an electron emission source is arranged on the coating layer 21, plasma 15 is generated between the negative electrode 11 and a positive electrode, and the member 20 for a cold cathode is exposed to the plasma 15, whereby minute projections are formed on a surface of the member 20 for a cold cathode.例文帳に追加

被覆層２１の上に、電子放出源となる材料によって構成された冷陰極用部材２０を配置し、陰極１１と陽極との間にプラズマ１５を発生させ、プラズマ１５に冷陰極用部材２０をさらすことによって、冷陰極用部材２０の表面に微小突起を形成する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and development defect performance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray as an exposure light source, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、現像欠陥性能を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a cold-cathode field-emission-type electron source which has a cathode electrode 4 on the substrate, it has a plane-shaped emitter 3 on the cathode electrode 4, has a gate insulation layer surrounding the emitter 3 and has gate electrodes 1 on the gate insulation layer, an emitter end 6 is intruded into the gate insulation layer.例文帳に追加

基板上にカソード電極４を持ち、カソード電極４上に平面状のエミッタ３を持ち、エミッタ３の周囲にゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層の上にゲート電極１を有する冷陰極電界放出型電子源において、エミッタ端６をゲート絶縁層に食い込ませる構造とする。 - 特許庁

A modulated signal generator 1701 which displays an image by suppressing variance in luminance due to the spacer arranged between a face plate and an electron source and a cold-cathode element disposed nearby the spacer and variance in luminance due to other cold-cathode elements is driven by controlling a modulated signal applied to the cold-cathode elements.例文帳に追加

フェースプレートと電子源との間に配設されたスペーサと、スペーサの近傍に位置する冷陰極素子による輝度と、それ以外の冷陰極素子による輝度とのばらつきを抑えて画像を表示すべく、変調信号発生器１７０１は、冷陰極素子に印加される変調信号を制御して駆動する。 - 特許庁

To swiftly turn off a beam from a head which is running out, do no damage to an electrode of the head and the like and continue irradiating operation without stopping the beam output of the other heads by an interlock in an electron beam irradiator which has a high-voltage power source and beam heads driven by it.例文帳に追加

一つの高圧電源とこれによって駆動される複数のビームヘッドをもつ電子線照射装置において、ビーム切れを起こしたヘッドのビームを速やかにオフし、そのヘッド電極などに損傷を与えず、またインターロックによって他ヘッドのビーム出力を停止することなく照射運転を継続すること。 - 特許庁

The multivalent ion irradiation device 30 comprises a multivalent ion generating source 1, a multivalent ion guide 33 for introducing the multivalent ions to a test piece, a movable testpiece table 36 for mounting a test piece 35, and a secondary electron detector 38, and irradiates multivalent ions 34 on a prescribed position of the test piece 35 by controlling the movable testpiece table 36.例文帳に追加

多価イオン照射装置３０は、多価イオン発生源１と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイド３３と、試料３５を搭載する可動の試料台３６と、二次電子検出器３８と、を含み、多価イオン３４を可動の試料台３６の制御により試料３５の所定位置に照射する。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent tube in which instantaneous lighting is enabled, when power supply is made by shortening a discharge starting time in the cold-cathode fluorescent tube, using a cold electron represented by the cold-cathode fluorescent tube, and in which stable discharge can be maintained, and to provide a liquid crystal display device having this cold-cathode fluorescent tube as the light source.例文帳に追加

冷陰極蛍光管に代表される冷電子を用いる冷陰極蛍光管における放電開始時間を短縮して電源投入に対して即時に点灯可能とし、かつ安定な放電を維持できる冷陰極蛍光管と、この冷陰極蛍光管を光源とした液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a mass spectrometer designed to analyze a mass by ionizing a molecule, separating an molecule ion generated by ionization, and detecting the separated molecule ion, an ion source to ionize the molecule is an ECR ion source in which ECR plasma having low energy suitable for the molecule weight of a macromolecule having a molecule weight of not less than 1,000 is generated by an electron cyclotron resonance phenomenon, and the macromolecule is ionized by the ECR plasma.例文帳に追加

分子をイオン化し、イオン化により生成した分子イオンを分離し、分離した分子イオンを検出して質量を分析するようにした質量分析装置において、分子をイオン化するイオン源が、電子サイクロトロン共鳴現象により分子量が１０００以上の高分子の分子量に適した低エネルギー電子を有するＥＣＲプラズマを発生させ、上記ＥＣＲプラズマにより上記高分子をイオン化するＥＣＲイオン源であるようにした。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁

A field-emission electron source 10 comprises an insulated glass substrate 11, conductive layer 8 deposited on one side of the insulated glass substrate 11, a drift layer 6 of oxidized porous polycrystalline silicon, and a surface electrode 7 formed over the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、ガラス基板からなる絶縁性基板１１と、絶縁性基板１１の一表面側に形成された導電性層８と、導電性層８上に形成された酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とを備える。 - 特許庁

A field emission electron source, forming the cathode electrode on a back panel 1, is at least partially anchored on an anchor layer composed of a conductive material and laminated on an electrode 6 for cathode, formed on an inner face of the back panel, for forming a carbon nanotube assembly 9 which includes the carbon nanotube 13 exposed to the field space.例文帳に追加

背面パネル１に有するカソード電極を構成する電界放出型電子源が背面パネルの内面に形成したカソード用電極６上に積層した導電性材料からなる錨着層１２に少なくとも一部が錨着して電界空間に露出したカーボンナノチューブ１３を含むカーボンナノチューブ集合体９で構成とした。 - 特許庁

When a plasma display panel (PDP) is driven by applying various kinds of pulses to the PDP provided with a phosphor layer containing a secondary electron emission material in each discharge cell, a driving pulse having a pulse wave form different between during the time elapsed prescribed time after the supplying power source of the plasma display device and after the prescribed time elapsed is produced.例文帳に追加

各放電セル内に二次電子放出材料を含む蛍光体層を備えたＰＤＰに各種駆動パルスを印加することによりこのＰＤＰを駆動するにあたり、プラズマディスプレイ装置の電源投入時点から所定期間経過するまでの間とこの所定期間経過後とで、異なるパルス波形を有する駆動パルスを生成する。 - 特許庁

An electron passage part 5 in the electric field emission electronic source 10 has numerous silicon microcrystals 63 in a nanometer order in a part between a lower electrode 12 and a surface electrode 7 and numerous silicon oxide films 64 which are formed on the respective surfaces of the respective silicon microcrystals 63 and which have a smaller film thickness than the crystal particle diameter of the silicon microcrystal 63.例文帳に追加

電界放射型電子源１０における電子通過部５は、下部電極１２と表面電極７とで挟まれた部分に多数のナノメータオーダのシリコン微結晶６３および各シリコン微結晶６３それぞれの表面に形成されシリコン微結晶６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の多数のシリコン酸化膜６４を有している。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The SONOS EEPROM is adapted such that, although an electric charge trapping layer 140a is formed at both ends of a gate, i.e., in a junction region of a source 190 and a drain 195, an electron charged region and a hole charged region are brought into coincidence with each other to improve cell efficiency by forming locally thick adjacent portion of the joint.例文帳に追加

メモリ場所である電荷トラッピング層１４０ａをセルのゲート両端、すなわちソース１９０及びドレーン１９５接合領域に形成させるが、接合隣接部位を局部的に厚く形成することによって電子充電領域及びホール充電領域を一致させてセル効率を向上させたＳＯＮＯＳ ＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁