「electron- source」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron source substrate for an image forming device preventing damage due to warping of a substrate and with high electric reliability of a matrix wiring for supplying drive power to an electron emitting element arranged on the substrate and excellent vacuum maintaining performance.例文帳に追加

基板の反りによる障害を回避すると共に、基板上に配置された電子放出素子に駆動電力を供給するマトリクス配線の電気的信頼性が高く、且つ、真空維持性能が良好な画像形成装置用の電子源基板を提供する。 - 特許庁

This HEMT has an electron travelling layer 3, a continuous growth inhibition layer 5 for selectively covering it, an electron supply layer (second semiconductor layer) 6, a discontinuous growth layer 7, a source electrode 9, a drain electrode 10, and a gate electrode 11.例文帳に追加

本発明に従うHEMTは、電子走行層３と、この上を選択的に覆う連続的成長阻止層５と、電子供給層（第２の半導体層）６と、不連続成長層７と、ソース電極９と、ドレイン電極１０と、ゲート電極１１とを有している。 - 特許庁

A heterojunction-type field-effect semiconductor device has an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, source electrode 6, drain electrode 7, gate electrode 8, an insulating film 9 made of silicon oxide, and a p-type metal oxide semiconductor film 10.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る絶縁膜９と、ｐ型金属酸化物半導体膜１０とを有している。 - 特許庁

When too high transmittance is obtained in the correction of a white defect by depositing an electron beam CVD film 6 of tetramethoxysilane in a halftone phase shift mask, a focused ion beam CVD film or an electron beam CVD film using a carbon-based source gas having low transmittance is further deposited to control the transmittance.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクのテトラメトキシシランの電子ビームCVD膜６の白欠陥修正で透過率が高すぎる場合には透過率の低い炭素系の原料ガスを用いた集束イオンビームCVD膜または電子ビームCVD膜を積層して透過率を調整する。 - 特許庁

This organism-activating method is characterized by irradiating an oxygen-containing gas with electrons from an electron-releasable electron source with a minus ion production device 1 in the atmosphere to produce the minus ions without producing ozone, and then exposing an organism 90 to be activated on the minus ions.例文帳に追加

マイナスイオン生成装置１において大気中で電子を放出可能な電子源１０から酸素を含むガスへ電子を照射することによりオゾンを発生させることなくマイナスイオンを発生させ、当該マイナスイオンに活性化させたい生体９０を曝す。 - 特許庁

To realize manufacturing an electron source with an excellent electron emission characteristics capable of miniaturizing, simplifying the operability and enhancing the manufacturing speed and appropriate for mass production that can readily comprise a heating means or a cooling means to a support for supporting a large substrate.例文帳に追加

小型化と操作性の簡易化が可能、製造スピードが向上し量産性に適し、大判の基板を支持する支持体に加熱手段もしくは冷却手段を容易に構成することができ、電子放出特性の優れた電子源を製造することを可能にする。 - 特許庁

The laser beam machining apparatus 1 includes: a laser source 2 emitting laser beams 6; and an electron type mask mechanism 5 arranged behind the laser source 2 and covering materials to be worked 9, 10, and the laser beam machining apparatus 1 works or joins the materials to be worked 9, 10.例文帳に追加

上記課題は、レーザ光６を発するレーザ源２及びレーザ源２の後方に配置され加工材料９、１０を覆う電子式マスク機構５を有する加工材料９、１０を加工又は接合するレーザ加工装置１により解決される。 - 特許庁

To solve a problem wherein an inclined pattern is formed due to absorption of the light by the photoresist resin at the wavelength used for the light source in a lithographic process using KrF or ArF laser, VUV rays, EUV rays, electron beams, ion beams or the like as the light source.例文帳に追加

ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＶＵＶ、ＥＵＶ、電子線（E-beam）及びイオンビーム（ion beam）等の光源を利用したリソグラフィー工程時に、フォトレジスト樹脂が光源に用いられる波長の光を吸収して傾斜したパターンを形成することを解決する。 - 特許庁

Positive voltage v is applied to a transparent electrode of an element sample 3 set in a vacuum container 1 by a power source in a source meter 13, and an electronic gun 2 is set so that electron beams are applied on an organic thin film to be measured.例文帳に追加

真空容器１内に設定した素子試料３の透明電極に、ソースメータ１３内の電源により正の電圧ｖを印加するとともに、電子ビームが被測定有機薄膜上に照射されるよう電子銃２の設定を行なう。 - 特許庁

A cathode assembly for a rotating anode type X-ray source includes two portions, that is, a focus adjustment part mechanically connected to residual part of the X-ray source and fixed and arranged correspondingly to an anode, and the separated radiation part which holds the electron source and is detachably connected to the focus adjustment part.例文帳に追加

回転陽極型Ｘ線源のための陰極アセンブリは２つの部分、すなわち、Ｘ線源の残部と機械的に接続され、陽極に対応して固定して配置される焦点調整部と、電子源を保持し、焦点調整部に取り外し可能に接続される分離した放射部とを含む。 - 特許庁

This manufacturing method of a PtP-based catalyst used for a fuel cell includes at least steps of: dispersing a carrier into a solution; then adding a P supply source in the solution; then adding a Pt supply source in the solution; and irradiating the solution, added with the carrier, the P supply source and the Pt supply source previously therein, with an electron beam.例文帳に追加

燃料電池に使用されるＰｔＰ系触媒の製造方法であって、少なくとも、担体を溶液に分散させるステップと、次いで、Ｐ供給源を溶液に添加するステップと、次いで、Ｐｔ供給源を溶液に添加するステップと、担体、Ｐ供給源、Ｐｔ供給源が予め添加された溶液に対して電子線を照射するステップと、を備える。 - 特許庁

In the constitution of a system driving a display panel 101 having a multiple electron source in which a plurality of electron emitting elements are connected with a plurality of row and column wirings in a matrix, a line selecting circuit 102 selects one row wiring out of a plurality of row wirings and aplies selection voltage to the wiring.例文帳に追加

複数の行配線と列配線によって複数の電子放出素子がマトリクス状に配線されたマルチ電子源を有する表示パネル１０１を駆動する駆動系の構成において、ライン選択回路１０２は複数の行配線より１つを選択し、選択電圧を印加する。 - 特許庁

The spacer structure is opposed to the first and the second substrates, while being provided with a plate-formed support substrate 24 having a plurality of penetrating holes for electron beams opposed to an electron emitting source, and a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least one surface of the support substrate.例文帳に追加

スペーサ構体は、第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状の支持基板２４と、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を有している。 - 特許庁

The electron source substrate manufacturing apparatus injects a solution containing a fine metal particle material for forming a conductive thin film between multiple pairs of element electrodes 2, 3 on a substrate 14 with an injection head to form a group of surface conduction type electron emitters by the conductive thin films.例文帳に追加

電子源基板製造装置において、基板１４上の複数対の各素子電極２，３間に導電性薄膜を形成するための金属微粒子材料を含有する溶液を噴射ヘッドにより噴射付与し、導電性薄膜による表面伝導型電子放出素子群を形成する。 - 特許庁

This equipment is provided with a source electrode 28 and a drain electrode 29, which are formed in contact with an oxide In conductive layer 27 arranged selectively on an N-InAlAs electron supply layer 24, and a gate electrode 34 which is formed directly in contact with the N-InAlAs electron supply layer 24.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電子供給層２４上に選択的に設けた酸化Ｉｎ導電層２７に接して形成されたソース電極２８並びにドレイン電極２９、ｎ−ＩｎＡｌＡｓ電子供給層２４に接して直接形成されたゲート電極３４を備える。 - 特許庁

To perform a constant display by suppressing the temp. rising of an image forming device due to the heat generated from driving electric circuit parts in an image forming device which is constituted by using a multiple electron source in which plural surface conduction type electron emitting elements are constituted in a simple matrix shape.例文帳に追加

複数の表面伝導型電子放出素子を単純マトリクス構成したマルチ電子源を用いて構成した画像形成装置において、駆動電気回路部からの発熱による画像表示装置の温度上昇を抑え、安定した画像表示が行えるようにする。 - 特許庁

The field-emission electron source 10 is so arranged that the incident angle of the electron 12 formed from the direction parallel to the advancing direction of the ion beam 2 and emitted from it is in the range of -15° to +45°(inward direction of ion beam 2 as positive and outward one as negative).例文帳に追加

電界放出型電子源１０は、それから放出するときの電子１２の、イオンビーム２の進行方向に平行な方向からの角度である入射角度が、−１５度から＋４５度（イオンビーム２の内向きが＋、外向きが−）の範囲内の角度を成す向きに配置されている。 - 特許庁

A fixing means of the spacer 13 comprising a positioning member 14 for positioning the spacer 13 relative to the electron source or the electron-irradiated member, and a pushing member 11 for fixing the spacer 13 on the positioning member 14, is installed outside the image forming region 12.例文帳に追加

電子源もしくは電子被照射部材に対するスペーサ１３の位置決めを行うための位置決め部材１４と、スペーサ１３を位置決め部材１４に固定させるための押し当て部材１１とからなるスペーサ１３の固定手段が、画像形成領域１２の外に設置されている。 - 特許庁

By measuring the shape of electron beams using the crossover prescription edge 208, the shape of beams on the front focal surface of the condenser lens 107 can be confirmed continuously even if the height of the crossover 104 formed by an electron gun and the resistance of a light source formation lens 105 change.例文帳に追加

クロスオーバー規定エッジ２０８を用いて電子ビームの形状を測定することにより、電子銃が形成するクロスオーバー１０４の高さや光源形成レンズ１０５の抵抗が変化した場合でも、常に、コンデンサーレンズ１０７の前側焦点面におけるビームの形状を確認することが出来る。 - 特許庁

The magnetic field immersion type electron gun has a double-gap magnetic path with three magnetic poles arranged on a coaxial line in which a magnetic lens has a hole in its central axis, wherein a permanent magnet is arranged in a gap of two gaps made up among the three magnetic poles, the gap on the side where there exists no electron source.例文帳に追加

磁場レンズが中心軸に孔を有する３枚の磁極を同軸線上に配置したダブルギャップ型の磁路を有する磁場界浸型電子銃において、３枚の磁極の間に構成される２つのギャップのうち電子源の存在しない側のギャップに永久磁石を配置する。 - 特許庁

A hetero-junction field-effect semiconductor device includes an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, a gate electrode 8, a first insulating film 9 made of silicon oxide, and a second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る第１の絶縁膜９と、シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０とを有している。 - 特許庁

The electron source substrate manufacturing apparatus injects a solution containing a fine metal particle material for forming a conductive thin film between multiple pairs of element electrodes on a substrate with an injection head to form a group of surface conduction type electron emitters by the conductive thin films.例文帳に追加

電子源基板製造装置において、基板上の複数対の各素子電極間に導電性薄膜を形成するための金属微粒子材料を含有する溶液を噴射ヘッドにより噴射付与し、導電性薄膜による表面伝導型電子放出素子群を形成する。 - 特許庁

The cold cathode electron source emits electrons in vacuum and it is provided with an electron emitting part 3 having a wall part 3b protruding perpendicularly from a plate-like bottom 3a, an insulation part 2 formed on an end part of the wall part 3b, and a conductive part 1 formed on the insulation part 2.例文帳に追加

真空下で電子を放出する冷陰極電子源であって、板状の底部３ａから垂直に突出する壁部３ｂを有する電子放出部３と、壁部３ｂの端部上に形成される絶縁部２と、絶縁部２上に形成される導電部１とを備えて構成されている。 - 特許庁

In a magnetic measuring device which measures magnetism on the basis of a free electron spin within a vacuum, a vacuum cell 7, and component elements provided in the vacuum cell 7, such as a cathode electrode, an anode electrode, an electron source, an exciting coil, and a detection coil, are formed by means of MEMS technology.例文帳に追加

真空中の自由電子スピンに基づき磁気を測定する磁気測定装置であって、真空セルおよび真空セル７の内部に設けられるカソード電極、アノード電極、電子源、励磁コイルおよび検出コイルなどの構成要素は、ＭＥＭＳ技術で形成されることを特徴とするもの。 - 特許庁

A height of the thin piece structure is about micron meter unit and a thickness thereof is about nano meter unit, in the present invention, and the thin piece structure of the DLC thin film structure has resultingly a high height-to-width ratio in the present invention, so as to serve as the excellent electron emission source capable of emitting easily an electron.例文帳に追加

本発明のＤＬＣ組成物における薄片状の高さは約ミクロン単位であり、薄片構造の厚さは約ナノ単位であるため、本発明のＤＬＣ薄膜構造の高さと広さとの縦幅比が大きく、電子を放出しやすい優れる電子放出源になれる。 - 特許庁

A plurality of electron emission elements are arranged in the substrate 1 for forming the electron source, a layer 7 containing SiO_2 as a principle component is formed on the substrate 1, and an etching rate of the SiO_2 layer 2 with a 0.4 wt.% hydrogen fluoride ammonium aqueous solution (NH_4-HF_2) is specified to 150 nm/min or less at room temperature.例文帳に追加

複数の電子放出素子が配される電子源形成用基板であって、基板１上にＳｉＯ_2を主成分とする層７を有し、このＳｉＯ_2層７の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液（ＮＨ_4−ＨＦ_2）でのエッチングレートを１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁

By arranging the ceramic substrate 11 on a rear substrate 1 having each electron source 2a on the cathode wiring 2 so that the metal film 12 is faced to the front substrate 5 side, the apertures 10a of the control electrode 10 are aligned with the electron sources 2a on the cathode wiring 2.例文帳に追加

このセラミック基板１１を、陰極配線２上に各電子源２ａを有する背面基板１上に、金属膜１２を前面基板５側に向けて配置することにより、制御電極１０の開孔１０ａと陰極配線２上の電子源２ａがアライメント化される。 - 特許庁

The cold cathode electron source comprises a cathode electrode 2 formed on the substrate 1, needle iron particulates 3 abutting on the cathode electrode 2 and arranged with the longitudinal direction perpendicular to the face of the substrate 1, and the CNT 5 as an electron emission material supported by the needle iron particulates 3.例文帳に追加

基板１上に形成されたカソード電極２と、カソード電極２に当接し、長手方向が基板１の面に対し垂直な方向に配置させられた針状の鉄微粒子３と、針状の鉄微粒子３により支持された電子放出材料であるＣＮＴ５とを備えている。 - 特許庁

(A) positron beam source: generating positrons from electron-positron pairs by using an electron accelerator (B) gamma-ray detector: BaF_2 scintillator and photomultiplier (C) measurement temperature and ambient atmosphere: at 25°C in vacuum (D) annihilation γ-ray counts: 3×10^6 or more (E) positron beam energy: 10 keV例文帳に追加

（Ａ）陽電子線源：電子加速器を用いて電子・陽電子対から陽電子を発生（Ｂ）ガンマ線検出器：ＢａＦ_2シンチレーターおよび光電子増倍管（Ｃ）測定温度及び雰囲気：２５℃、真空中（Ｄ）消滅γ線カウント数：３×１０^６以上（Ｅ）陽電子ビームエネルギー：１０ｋｅＶ - 特許庁

This method for manufacturing the radiological image transformation panel includes a process, in which a phosphor layer is formed on a support through electron beam evaporation and has an evaporation source irradiated with electron beam at an accelerating voltage of 1.5 kV to 5.0 kV inclusive.例文帳に追加

支持体上に電子線蒸着により蛍光体層を形成することからなる放射線像変換パネルを製造する方法であって、蒸発源に電子線を１．５ｋＶ以上であって、５．０ｋＶ以下の加速電圧で照射することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

An electrostatic latent image measurement apparatus comprises an electron gun 11, a light source 100, an acousto-optic deflection element 103, a polygon mirror 105, a second electron detector 24 and correction means which corrects the effect of changed drive frequency of the acousto-optic deflection element 103 on diffraction.例文帳に追加

電子銃１１と、光源１００と、音響光学偏向素子１０３と、ポリゴンミラー１０５と、２次電子検出器２４と、音響光学偏向素子１０３の駆動周波数の変化が回折に与える影響を補正する補正手段と、を備えた静電潜像計測装置。 - 特許庁

The electron emission source 10 is structured of a substrate 11 composed of an alloy material with iron (Fe) as a main component, a plurality of through-holes 12 fitted to the substrate 11, and an electron emission layer 13 consisting of carbon nanotubes formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

電子放出源１０は、鉄（Ｆｅ）を主成分とした合金材料から構成された基板１１と、基板１１に設けられた複数の貫通孔１２と、基板１１の表面に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層１３とから構成されたものである。 - 特許庁

This electron beam irradiating unit has a structure in which the filaments 6 are connected electrically in parallel with each other between two power feeding conductors 10a and 10b, and they are supported from the metal electron source supporter 16 via an insulator 14.例文帳に追加

この電子線照射装置は、二つの給電導体１０ａ、１０ｂ間に複数本のフィラメント６を互いに電気的に並列接続し、かつこの給電導体１０ａ、１０ｂを絶縁物１４を介して金属製の電子源支持体１６から支持した構造を有している。 - 特許庁

An electron beam E generated and accelerated by an electron gun 1 connected to a high voltage power source is focused by a focusing lens 3 formed of condenser lenses, tilted by two stages of deflection coils of a deflection part 4, and applied to a sample 5a on a sample setting table in a sample room 5.例文帳に追加

高電圧電源に接続した電子銃１から発生し加速された電子線Ｅは、コンデンサレンズからなる収束レンズ３で収束されてから、偏向部４の２段の偏向コイルにより傾斜されて試料室５内の試料載置台上の試料５に照射される。 - 特許庁

The single-color hard X rays 4 are generated by collision of the pulsed electron beams 1 and the pulsed laser light 3 at the shelter position of the metal target, and the characteristic X rays 5 are generated from the same light source position 2a by collision of the pulsed electron beams 1 and the metal target 42 at the collision position of the metal target.例文帳に追加

金属ターゲットの退避位置でパルス電子ビーム１とパルスレーザー光３の衝突で単色硬Ｘ線４を発生し、金属ターゲット４２の衝突位置でパルス電子ビーム１と金属ターゲット４２の衝突により同一の光源位置２ａから特性Ｘ線５を発生する。 - 特許庁

With an electron source 1 with a plurality of electron-emitting elements arranged in matrix in a plurality of row circuits and column circuits on a substrate 101, a conductive layer 19 insulated from the row and column circuits is arranged at least at a corresponding part of the matrix in the substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に複数の電子放出素子を複数の行配線７２と複数の列配線７３によりマトリクス状に配設した電子源１において、行及び列配線と絶縁された導電層１９を、基板１０１内の、少なくともマトリクスに対応する部分に配した。 - 特許庁

The catalytic photo-oxygenation reaction of substrates, using water as the oxygen source is provided by combining a reaction of photoelectron transfer reaction of from trisbipyridine-ruthenium (II) complex to an electron acceptor with an electron-transfer oxidation reaction by trisbipyridine-ruthenium (III) complex of manganese (III) porphyrin.例文帳に追加

トリスビピリジンルテニウム（ＩＩ）錯体から電子受容体への光電子移動反応とマンガン（ＩＩＩ）ポルフィリンのトリスビピリジンルテニウム（ＩＩＩ）錯体による電子移動酸化反応を組み合わせることにより、水を酸素源とする基質の触媒的光酸素化反応を開発した。 - 特許庁

In the field emission electron source composed of ZnO protrusion form material, by containing Ga for Ga mol% ratio of 0.02 to 0.4 mol% to Zn, the field electron emission element which consumes the lower electric power and has the longer repetition lifetime can be obtained.例文帳に追加

ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 - 特許庁

Since the electron source 1 uses the nano-tube 2 as a cathode, lines of electric force can be highly densely concentrated on the tip 2a of the nano-tube, and even if an extraction voltage impressed on the nano-tube 2 and a first anode 34 is a low voltage, the field emission of the electron beam 8 can be highly efficiently caused.例文帳に追加

電子源１は、ナノチューブ２を陰極として用いるから、ナノチューブ先端２ａに電気力線を高密度に集中させることができ、ナノチューブ２と第１アノード３４に印加される引出電圧が低電圧の場合においても、電子ビーム８を高効率に電界放出することができる。 - 特許庁

The electron gun comprises a cathode with an electron emitting surface, an anode connected to an accelerating voltage power source for generating an electric field for accelerating electrons, emitted from the cathode and a current density section control grating disposed between the anode and the cathode.例文帳に追加

電子銃は、電子放出面を備えた陰極と、陰極から放出される電子を加速する電界を陰極との間に生成するために加速電圧電源に接続される陽極と、陽極と陰極の間に配置される電流密度断面制御格子とを含む。 - 特許庁

The electron source substrate manufacturing apparatus injects a solution containing a fine metal particle material for forming a conductive thin film between element electrodes on a substrate with an injection head to form a group of surface conduction type electron emitters.例文帳に追加

電子源基板製造装置において、基板上の複数の各素子電極間に導電性薄膜を形成するための金属微粒子材料を含有する溶液を噴射ヘッドにより噴射付与し、導電性薄膜による表面伝導型電子放出素子群を形成する。 - 特許庁

This paste composition is used as the electron emission source of the electron emission element to form a cathode layer and includes a multi-walled nanotube having an RBM (radial breathing mode) peak, inorganic powder, a binder resin and an organic solvent.例文帳に追加

電子放出素子の電子放出源として用いてカソード層を形成するペイスト組成物であって，ＲＢＭ（ＲＡＤＩＡＬ ＢＲＥＡＴＨＩＮＧ ＭＯＤＥ）ピークを有する多層カーボンナノチューブ（ｍｕｌｔｉ−ｗａｌｌｅｄ ｎａｎｏｔｕｂｅ），無機粉末，バインダー樹脂及び有機溶媒を含む。 - 特許庁

In the electron source comprising electron discharge elements having a gate electrode and a cathode electrode, an Off-voltage of the scanning lines is expressed by V1Off and an On-voltage of signal lines is expressed by V2On in a simple matrix driving for driving a plurality of signal lines in batch after selecting them, and then V1Off is made larger than V2On.例文帳に追加

ゲート電極、カソード電極を有した電子放出素子からなる電子源において、走査線を選択した後に複数の信号線を一括に駆動する単純マトリクス駆動で、走査線のオフ電圧をV_1Offとし、信号線のオン電圧をV_2Onとしたとき、V_1Off＞V_2Onとする。 - 特許庁

The electron source comprises a pair of element electrodes 11, 12 formed on a board 10, the conductive film 15 having an electron emitting portion 17 formed between the element electrodes 11, 12, and an X-direction wire 18 and a Y-direction wire 19 connected corresponding to the pair of element electrodes 11, 12, respectively.例文帳に追加

基板１０に形成された一対の素子電極１１，１２と、素子電極１１，１２間に形成された電子放出部１７を有する導電性膜１５と、一対の素子電極１１，１２にそれぞれ対応して接続されたＸ方向配線１８とＹ方向配線１９とを有する。 - 特許庁

If a voltage is applied to the cathode electrode 3 and the gate electrode 5, an electron 10 by an electric field is emitted from a part where the hole exists, on the surface of the diamond thin film 4 in their crossing area, and this structure can be operated as a two dimensional cold cathode electron source.例文帳に追加

カソード電極３とゲート電極５に電圧が印加されると、これらが交差している領域のダイヤモンド薄膜４の表面で、孔７が存在する部分から電界による電子１０が放出され、二次元の冷陰極電子源としての動作が得られる。 - 特許庁