「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, etching residue in a metal layer due to a part of the resist is not solubilized, and short circuits between terminal pins 101 due to the residual etching can be avoided.例文帳に追加

そのため、レジストの未可溶化部分に起因する金属層のエッチング残り及びこれによる端子ピン１０１間の短絡が生じることがない。 - 特許庁

First, a resist 30 is used as a mask, and the cap film 20 is etched to partway under first etching condition (first etching step).例文帳に追加

まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of color filter which permits the removal of resist as a pattern mask for etching concurrently with dry etching of a colored layer.例文帳に追加

着色層のドライエッチング処理と共にエッチング用パターンマスクをなすレジストの除去を可能とする。 - 特許庁

The resist is developed to form a resist pattern, and the resist pattern is transferred on the substrate by dry-etching simultaneously the resist and the substrate, so as to manufacture the microlens array comprising the substrate.例文帳に追加

そして、レジストを現像してレジストパターンを形成し、レジストと基板を同時にドライエッチングすることによりレジストパターンを基板に転写して基板からなるマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

Further, after forming and exposing a second photosensitive resist film 4 on the first photosensitive resist film 3, etching resist patterns 3a, 4a by the first and the second photosensitive resist films 3, 4 are formed by development.例文帳に追加

そして、第１の感光性レジスト膜３上に第２の感光性レジスト膜４を形成し露光した後、現像によって第１および第２の感光性レジスト膜３、４によるエッチングレジストパタ−ン３ａ、４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a photopolymerizable resin composition having particularly excellent high resolution, high adhesion and plating solution resistance as a resist material of an etching resist, a plating resist or the like and excellent also in resist stripping property.例文帳に追加

エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として特に優れた高解像性と高密着性及びめっき液耐性を有し、更にレジスト剥離性にも優れた光重合性樹脂組成物を提供する事。 - 特許庁

To provide a photopolymerizable resin composition having high resolution, high adhesion, and resist stripping property as a resist material of an etching resist or a plating resist and excellent also in dispersion stability in a developer.例文帳に追加

エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として特に高解像性と高密着性及びレジスト剥離性を有し、更に現像液中での分散安定性にも優れた光重合性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

When an organic solvent is made to immerse into a resist mask 7 and the resist mask 7 is melted and made to reflow after the first etching by the resist mask 7, a molten reflowing resist mask 13 is obtained.例文帳に追加

レジストマスク７による１回目のエッチングの後、レジストマスク７中に有機溶剤を浸透させレジストマスク７を溶解リフローさせると、溶解リフローレジストマスク１３が得られる。 - 特許庁

To provide a dry etching method for etching an etched substrate directly without forming an etching mask of resist, or the like, on the etched substrate in which the etching mask is not required to be exfoliated after dry etching, and to provide an etching mask.例文帳に追加

被エッチング基材上にレジスト等のエッチングマスクを形成せずに直接被エッチング基材をエッチングし、且つドライエッチング後にエッチングマスクを剥離する必要のないドライエッチング方法及びエッチングマスクを提供する。 - 特許庁

Rugged patterns are formed on the SiO_2 film 12 by performing etching using the remaining resist as a mask.例文帳に追加

残留レジストをマスクとしてエッチングして、ＳｉＯ_２膜１２に凹凸パターンを形成する。 - 特許庁

Then the heater electrode pattern (35) is formed by etching the resist pattern (45).例文帳に追加

つぎに、レジストパターン（４５）をエッチングしてヒータ電極パターン（３５）を形成する。 - 特許庁

The mesa step is formed by dry-etching using a tapered shape of a resist.例文帳に追加

メサ段差部は、レジストのテーパ形状を利用してドライエッチングを用いて形成する。 - 特許庁

The resist film 26 functions as an etching protection film on the upper surface of the light-shielding film 23.例文帳に追加

なお、レジスト膜２６は、遮光膜２３の上面のエッチング保護膜として機能する。 - 特許庁

Further etching for the insulation film on the barrier layer and ashing for the resist are performed in separate vessels.例文帳に追加

また、バリア層上の絶縁膜のエッチングと、レジストのアッシングを別の処理容器内で行う。 - 特許庁

To improve etching resistance of a resist pattern that is adaptable to a short-wavelength exposure light source.例文帳に追加

短波長の露光光源に対応したレジストパターンのエッチング耐性を向上する。 - 特許庁

To enable a resist film to be easily improved in adhesion to an etching object film.例文帳に追加

被エッチング膜に対するレジスト膜の密着性を容易に向上させることができるようにする。 - 特許庁

ETCHING RESIST PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING WIRING BOARD USING THE SAME, AND WIRING BOARD例文帳に追加

エッチングレジスト前駆体組成物及びそれを用いた配線基板の製造方法、並びに配線基板 - 特許庁

To provide a new polymer exhibiting a strong etching resistance and a resist composition containing the same polymer.例文帳に追加

強いエッチング抵抗を示す新規なポリマーおよび該ポリマーを含むレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A hole 12A is provided to the predetermined position by etching the first conductor layer using the resist layer.例文帳に追加

そのレジスト層を用い、第１の導体層をエッチングして所要の個所に穴１２Ａを設ける。 - 特許庁

Etching is performed for the resist pattern and the core film, so that a core is formed from the core film.例文帳に追加

レジストパターンおよびコア膜に対してエッチングを行い、コア膜からコアを形成する。 - 特許庁

IMPROVED METHOD OF STRIPPING HOT MELT ETCHING RESIST FROM SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法 - 特許庁

The SiN film 2 is removed by dry etching by SF6 gas, and the resist is then removed (c).例文帳に追加

そして、ＳＦ_6ガスによるドライエッチングによりSiＮ膜２を除去し、その後レジストを除去する（ｃ）。 - 特許庁

RESIST RESIN COMPOSITION FOR GLASS ETCHING AND METHOD FOR FORMING CIRCUIT BY USING THE SAME例文帳に追加

ガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそれを用いた回路形成方法 - 特許庁

The milling process is performed after an etching resist thin film layer 5 is formed on a surface of the metal layer.例文帳に追加

前記ミリング加工は金属層表面にエッチングレジスト薄膜層５を施した後に行なう。 - 特許庁

A conductor pattern is formed by removing the etching resist pattern 22a.例文帳に追加

エッチングレジストパターン２２ａを除去することにより導体パターンを形成する。 - 特許庁

(8) The conductive layer area exposed in the patterned resist layer is removed through the etching process.例文帳に追加

（８）パターニングしたレジスト層にて露出された導電性層の部分をエッチングにより除去する。 - 特許庁

A resist film with an opening is formed on the surface of the etching stop layer.例文帳に追加

エッチング停止層の表面上に、開口を有するレジスト膜を形成する。 - 特許庁

STRIPPING LIQUID FOR RESIST COATING, METHOD FOR ETCHING ALUMINUM PLATE, AND ALUMINUM ETCHED PLATE例文帳に追加

レジスト被膜の剥離液、アルミニウム板のエッチング方法及びアルミニウム系エッチング板 - 特許庁

Then, according to the resist pattern, the ITO film 6a is removed by etching.例文帳に追加

次に、このレジストパターンに従い、前記ＩＴＯ膜６ａをエッチングにより除去する。 - 特許庁

A ferroelectric substance material film 14 is patterned by etching using resist 16 as a mask.例文帳に追加

強誘電体材料膜１４を、レジスト１６をマスクとして、エッチングによりパターニングする。 - 特許庁

Next, the resist of a desired circuit pattern is applied to the surface of this copper plate for etching.例文帳に追加

次いで、この銅板の表面に所望の回路パターンのレジストを塗布しエッチングを行う。 - 特許庁

By using the resist pattern 4 as a mask, the insulation film 2 is subjected to wet etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 - 特許庁

After this, the resist film is eliminated, the single crystal silicon base board having depressions is put under a wet etching process.例文帳に追加

その後、レジスト膜を除去し、窪みを有する単結晶シリコン基板をウエットエッチングする。 - 特許庁

To form a desired pattern on a film to be etched by in etching that uses, multilayer resist.例文帳に追加

多層レジストを用いたエッチングにおいて、被エッチング膜に所望のパターンを形成する。 - 特許庁

A resist layer 26 is removed before the dry etching of the continuous recording layer 20.例文帳に追加

又、レジスト層２６を連続記録層２０のドライエッチングの前に除去する。 - 特許庁

A resist layer 26 is removed before the dry etching of the continuous recording layer 20.例文帳に追加

レジスト層２６を連続記録層２０のドライエッチングの前に除去する。 - 特許庁

QUICK-DRYING ETCHING RESIST INK COMPOSITION FOR MANUFACTURING ELECTRONIC CIRCUIT BOARD, AND PRINTING METHOD例文帳に追加

電子回路基板作製用速乾性エッチングレジストインク組成物及び印刷方法 - 特許庁

By using the resist pattern 4 as a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁

To improve the etching durability of resist pattern and to suppress a shrinkage caused by SEM observation.例文帳に追加

レジストパターンのエッチング耐性の向上させると共に、ＳＥＭ観察による収縮を抑える。 - 特許庁

Thereafter, after exposure and irradiation by a prescribed pattern to the resist 104, etching is carried out.例文帳に追加

この後、レジスト１０４に所定パターンで露光照射後、エッチングを行う。 - 特許庁

The pattern of the resist 11 is recessed by a distance S by a dry etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチングによってレジスト１１のパターンを距離Ｓだけ後退させる。 - 特許庁

The method does not include a resist forming process or an etching process, and therefore the processes are simplified.例文帳に追加

この方法では、レジストの形成工程やエッチング工程がないため、工程が簡素化される。 - 特許庁

RESIST PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING MASTER INFORMATION CARRIER例文帳に追加

レジストパターン形成方法、エッチング方法およびマスター情報担体の製造方法 - 特許庁

Thereafter, the resist 2 is dissolved and eliminated and wet etching of the substrate 1 is performed (process (c)).例文帳に追加

その後、レジスト２を溶解除去し、基板１のウェットエッチングを行う（ｃ）。 - 特許庁

Thereafter, the resist 28 is removed, and the embedded silicon 25 is removed by dry etching.例文帳に追加

その後、レジスト２８を除去し、ドライエッチングにより埋込シリコン２５を除去する。 - 特許庁