「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The etching liquid contains at least one type of an organic acid and removes the resist and an organic series antireflection film and/or an organic series embedded material.例文帳に追加

少なくとも１種の有機酸を含む、レジストと有機系反射防止膜、および／または有機系埋め込み材を除去するためのエッチング液。 - 特許庁

Thereafter, the emitter contact layer 7 and the emitter layer 6 are removed sequentially by ICP system dry etching using the resist pattern 9 as a mask.例文帳に追加

その後、レジストパターン９をマスクとして、ＩＣＰ方式ドライエッチングにより、エミッタコンタクト層７とエミッタ層６とを順次除去する。 - 特許庁

A resist mask 3 of a remaining pattern is selectively formed on a film 2 to be made etching on a semiconductor substrate 1 through exposure and development.例文帳に追加

半導体基板１上の被エッチング膜２上に残しパターンのレジストマスク３を、露光、現像により選択的に形成する。 - 特許庁

Depending on the difference in etching rate of the resist, the mesa step having the height of approximately 0.2 μm and the gradient angle of approximately 35° is formed.例文帳に追加

レジストエッチングレイトとの違いにより、段差高さ約０．２μｍ、段差勾配の角度約３５°のメサ段差が形成される。 - 特許庁

The transparent protection film 16 and the shielding film 14 on the semiconductor substrate 1 are simultaneously etched with the resist pattern 15 as a mask as first etching.例文帳に追加

第１のエッチングとして、レジストパターン１５をマスクに半導体基板１上の透明保護膜１６と遮光膜１４を同時にエッチングする。 - 特許庁

To provide a useful maleimide copolymer as a resist resin excellent in the drying etching resistance.例文帳に追加

ドライエッチング耐性に優れたレジスト用樹脂として有用なマレイミド系共重合体を提供する。 - 特許庁

After the resist layer 9 is eliminated (g), the Cu layers 6, 8 between the Ni layers 12 is eliminated by etching (h).例文帳に追加

次に、レジスト層９を除去した後（ｇ）、各Ｎｉ層１２の間のＣｕ層６，８をエッチング処理により除去する（ｈ）。 - 特許庁

The hot melt etching resist is then stripped from the semiconductor using an alkaline stripper which does not compromise the electrical integrity of the semiconductor.例文帳に追加

このホットメルトエッチングレジストは次いで、半導体の電気的一体性を悪化させないアルカリ剥離剤を用いて半導体から剥離される。 - 特許庁

Thereafter, an etching mask forming process providing a resist film 36 having a prescribed pattern on the surface of the conductive metal film 32 is performed.例文帳に追加

その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。 - 特許庁

To provide a material for forming an antireflection film which can enhance the difference in an etching rate between a resist pattern and an antireflection film.例文帳に追加

レジストパターンと反射防止膜とのエッチングレートの差を大きくできる反射防止膜形成用材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine rectangular resist pattern having satisfactory resistance to dry etching with reproducibility.例文帳に追加

十分なドライエッチング耐性を有し、微細なレジストパターンを矩形形状で再現性良く形成する方法を提供する。 - 特許庁

The antireflection film 11 is patterned by dry etching with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

反射防止膜１１に対してレジストパターンをマスクにドライエッチングを行なって、反射防止膜をパターン化する。 - 特許庁

Next, the core 14 is formed in the groove 12b of the first clad 12 by etching the resist film 16 and the core film 14a.例文帳に追加

次に、レジスト膜１６ａ及びコア膜１４ａをエッチングすることによって、第１クラッド１２の溝１２ｂにコア１４を形成する。 - 特許庁

The exposed portions of the silicon wear are etched by carrying out the etching for the silicon substrate having the resist pattern formed thereon (S104).例文帳に追加

レジストパターンが形成されたシリコン基板のエッチング処理を行い、シリコンウェアの露出部をエッチングする（Ｓ１０４）。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, an etching object film, a hard mask film, an antireflection film made of organic substance, and a resist film are formed sequentially.例文帳に追加

半導体基板の上に、エッチング対象膜、ハードマスク膜、有機物からなる反射防止膜、及びレジスト膜を順番に形成する。 - 特許庁

An intermediate layer pattern 13a is formed by subjecting the intermediate layer 13 to reactive ion etching by using the upper resist pattern 14a as a mask.例文帳に追加

この上層レジストパターンをマスクとして中間層に反応性イオンエッチングが施され、中間層パターン１３ａが形成される。 - 特許庁

Thereafter, a gate electrode layer is obtained by patterning the layer 14 by dry etching by using the resist layers 18a and 18b as masks.例文帳に追加

この後、レジスト層１８ａ，１８ｂをマスクとするドライエッチングにより層１４をパターニングしてゲート電極層を得る。 - 特許庁

A resist layer 4 as a wiring pattern is formed on the copper foil 1 and a circuit pattern composed of the copper foil 1 is formed by etching treatment.例文帳に追加

銅箔１上に配線パターンとなるレジスト層４を形成し、エッチング処理により銅箔１からなる回路パターンを形成する。 - 特許庁

Thereafter, a mask layer M is formed by performing an etching process such that the organic films JM1 and JM2 and the resist pattern PRp are etched.例文帳に追加

その後、その有機膜ＪＭ１，ＪＭ２，レジストパターンＰＲｐをエッチングするエッチング処理を実施して、マスク層Ｍを形成する。 - 特許庁

The removal of the electrically conductive layer 2 and the etching of the substrate 1 in the region not convered with the resist are then carried out in a single step.例文帳に追加

次に、前記電導材料層（２）の除去とレジストにより覆われてない領域での基板（１）のエッチングとを単一ステップにて実行する。 - 特許庁

When the etching resist layer 21R' is stripped subsequently, a through hole 9 is formed in the metal plate 4.例文帳に追加

その後、エッチングレジスト層２１Ｒ’を剥離すると、金属板４には、スルーホール９が形成される。 - 特許庁

A process for forming a resist structure 12 is executed by removing the first metals 13a to 13d by etching.例文帳に追加

第１の金属１３ａ〜１３ｄをエッチングにより除去して、レジスト構造体１２を形成する工程を実施する。 - 特許庁

After finishing of the etching, the resist pattern on the silicon substrate is removed by the ashing (S105).例文帳に追加

エッチング処理の終了後に、シリコン基板上のレジストパターンをアッシングによって除去する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

To improve etching rate and shorten a treatment time in a method for removing a resist film which used ozone dissolving water.例文帳に追加

オゾン溶解水を用いたレジスト膜の除去方法において、エッチングレートを向上させ、処理時間を短縮する。 - 特許庁

Using the developed resist film as a mask, the thin film 102 is subjected to reactive ion etching to form an irregular pattern on the thin film 102.例文帳に追加

現像されたレジスト膜をマスクとして薄膜１０２を反応性イオンエッチングして、薄膜１０２上に凹凸パターンを形成する。 - 特許庁

To provide an infrared light sensitive etching or plating resist having high sensitivity, excellent in stability and not requiring an oxygen intercepting film.例文帳に追加

高感度で安定性に優れ、かつ酸素遮断膜を必要としない赤外光感受性のエッチングまたは鍍金用レジストを提供する。 - 特許庁

As a result of that etching, the silicon nitride film turns into a form such that it is retreated from the resist and the silicon substrate 2.例文帳に追加

そのエッチング形状の結果、シリコン窒化膜６はレジスト８及びシリコン基板２に対して後退した形状となる。 - 特許庁

A photosensitive epoxy resin etching resist 22 25 μm thick is pasted on the upper and lower surfaces of a stainless steel plate 21 40 μm thick.例文帳に追加

厚さ４０μｍのステンレス板２１に、厚さ２５μｍの感光性エポキシ樹脂によるエッチングレジスト２２を上下両面に貼り付ける。 - 特許庁

Then the eaves 7b along the periphery of the protective film 7 is removed by etching by using the resist film 12 as a mask.例文帳に追加

次に、レジスト膜１２をマスクとして保護膜７の周辺部のひさし７ｂをエッチングして除去する。 - 特許庁

RESIST INK FOR WET ETCHING, METHOD FOR FORMING PATTERN OF METAL LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING CIRCUIT BOARD例文帳に追加

ウェットエッチング用レジストインク、および金属層のパターン形成方法、および回路基板製造方法。 - 特許庁

In the fourth stage ST4D, the surface of the first gate insulating film contaminated with a resist mask is cleaned by etching etc.例文帳に追加

第四工程ＳＴ４Ｄではレジストマスクに依って汚染された第一ゲート絶縁膜の表面をエッチング等に依って清浄化する。 - 特許庁

A substrate 1 where resist patterns are formed on the front and rear surfaces 1a and 1b is transferred in a state where it is stood vertically in an etching tank 10.例文帳に追加

表裏面１ａ，１ｂにレジストパターンが形成された基板１を、エッチング槽１０内で鉛直に立てて搬送する。 - 特許庁

To realize accurate working by reducing the sinking of the shoulder of a resist film in the step of etching an organic antireflection film and a film to be worked.例文帳に追加

有機系反射防止膜及び被加工膜のエッチング工程においてレジスト膜の肩部での落ち込みを低減させ、高精度の加工を実現する。 - 特許庁

To easily determine etching conditions when transcribing grooves and pits formed in a photo-resist film on a substrate 1 onto the substrate.例文帳に追加

基板上のホトレジスト膜に形成された溝やピットをエッチングにより基板に転写する時に、容易にエッチング条件を求める。 - 特許庁

The method also comprises the steps of removing the resist layer, and then removing the conductor layer 1 retained between the circuit patterns and the plated layer 14 by etching.例文帳に追加

レジスト層を除去した後、エッチングにより回路パターン間に残った導体層１部分およびめっき層１４部分を除去する。 - 特許庁

To provide the openings in the conductive circuit, they can be simultaneously formed with the through holes by etching by using a resist pattern.例文帳に追加

導電回路に開口を設けるには、レジストパターンを使用してエッチングにより貫通孔の形成と同時に形成することができる。 - 特許庁

To prevent occurrence of a defective pattern in a film to be processed at etching, using a lactone ring containing resist pattern.例文帳に追加

ラクトン環を含むレジストパターンを用いてエッチングを行なう際の被処理膜に生じるパターン不良を防止できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

A film 14 of an acyric acid polymer or the like soluble in a hydrofluoric acid etching solution is formed on the resist 13.例文帳に追加

パターン形成後、レジスト１３上からフッ酸系エッチング液に可溶性のアクリル酸ポリマー等の被膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of executing a series of processing ranging from resist film formation to etching for a substrate while preferably controlling the substrate.例文帳に追加

基板を好適に管理しつつレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を基板に行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Before forming the thin film of etching-resistant resin, a small-hole side resist film 2a on the metal thin plate is peeled off.例文帳に追加

また、エッチング耐蝕樹脂の薄膜を形成する前に、金属薄板上の小孔側レジスト膜２ａを剥離すること。 - 特許庁

The conductive thin film 5 is formed by simultaneously etching by using a developing solution when the resist film 6 is developed.例文帳に追加

この導体薄膜５は、レジスト膜６の現像処理時に現像液によって同時にエッチングすることで形成されている。 - 特許庁

Through etching, dimples 19 are formed on the surface of the electroforming mother board 10 near each hole 16 of the resist film 17.例文帳に追加

エッチング処理をして、レジスト膜１７の各穴１６に臨む電鋳母材１０の表面に、凹み１９を形成する。 - 特許庁

Next, a first resist film 22 is formed on the one flank side of the upper layer pole 14a and is subjected to an etching treatment.例文帳に追加

次に、上層ポール１４ａの一方の側面側に、第１のレジスト膜２２を形成し、エッチング処理を施す。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR FORMING ETCHING RESIST PATTERN WHEN CIRCUIT PATTERN IS FORMED ON PRINTED BOARD例文帳に追加

プリント基板上の回路パターンを形成する際のエッチングレジストパターンを形成する方法および装置 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in dry etching resistance and adhesion to a substrate, and a maleimide copolymer useful therefor.例文帳に追加

ドライエッチング耐性及び基板との密着性に優れたレジスト用組成物及びこの組成物に有用なマレイミド系共重合体を提供する。 - 特許庁