「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A resist 306 is further formed so as to cover the upper surface of the residual portion whose side surface is covered by the side wall, wet etching is executed to remove the removal scheduled portion after the resist is formed, and the resist is removed after the wet etching.例文帳に追加

さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。 - 特許庁

Next, an etching resist is applied onto the circuit substrate, a circuit pattern is formed by etching with iron chloride solution, unnecessary solder is removed, and two-stepped ends are formed by applying a second resist and by applying the etching with the iron chloride solution.例文帳に追加

次いで回路用基板上にエッチングレジストを塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理をして回路パターンを形成し、不要なろう材を除去し、２回目のレジストを塗布して、塩化鉄溶液でエッチング処理を施して端部を２段とした。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a step of finely working a resist pattern, formed in a lithography step by isotropic etching using ozone and another step of etching a work by using the finely worked resist pattern as a mask are performed by means of the same etching system EM1.例文帳に追加

オゾンを用いた等方性エッチングによってリソグラフィ工程で形成されたレジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして被加工材をエッチングする工程とを同一のエッチング装置ＥＭ１で行う。 - 特許庁

After a multiple resist layer 3 having at least two resist layers including a lift-off resist layer 1 as the lowermost layer is exposed, the resist is developed with a solution and subjected to dry etching to remove the extending part 4 of the lift-off resist layer 1 from the projected region of the upper resist layer 2 constituting the multiple resist layer 3.例文帳に追加

最下層がリフトオフ用レジスト層１からなるとともに、少なくとも二層のレジスト層からなる積層レジスト層３を露光したのち、溶液現像し、次いで、前記リフトオフ用レジスト層１の前記積層レジスト層３を構成する上層レジスト層２から投影的にはみ出した部分４をドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist additive having high dry etching resistance and high acid functionality, exhibiting high compatibility to a resist resin and high solubility in a resist solvent and enabling the increase of the addition amount of the additive.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性と高い酸官能性を持ち、かつレジスト樹脂との相溶性やレジスト溶媒への溶解性が高く、添加量を増加することができるレジスト添加剤を提供する。 - 特許庁

As H^+ ions can be injected in a large amount into the resist without damaging the resist pattern, the resist mask 6 is modified to have sufficient etching durability.例文帳に追加

Ｈ^＋ イオンは、レジストパターンを損傷することなく多量にレジスト内部に注入できるので、レジストマスク６が十分な耐エッチング性を有するものに改質される。 - 特許庁

The photomask is manufactured by forming a resist pattern by photolithography on the film of the photomask blank manufactured by the above method, etching to remove a part of the film not covered with the resist, and then removing the resist.例文帳に追加

又、この方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィ法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去することを特徴とする。 - 特許庁

After post treatment, the object is carried in a resist stripping-off section 33 and the resist pattern in stripped off by performing wet-etching by using a resist stripper containing amine.例文帳に追加

次に、対象物をレジスト剥離部３３内に搬入し、アミンを含有するレジスト剥離液を用いてウェットエッチングすることにより、レジストパターンを剥離する。 - 特許庁

In this method, the semiconductor wafer 1 is heated for releasing the gas 8 out of the resist film 4 before the reaction products between the etching gas and the resist film 4 are deposited on the surface of the resist film 4.例文帳に追加

ここで、エッチングガスと、レジスト膜４との反応により生じる反応生成物がレジスト膜４の表面に堆積する前に、半導体ウエハ１を加熱し、レジスト膜４中に存在するガス８を膜外へ放出させる。 - 特許庁

Utilizing an etching rate difference between the insulating film formed on the resist and that formed on the concave, the insulating film formed on the resist is removed to expose the resist while remaining the insulating film formed on the concave.例文帳に追加

レジスト上に形成された絶縁膜と凹部上に形成された絶縁膜のエッチングレートの違いを利用して、凹部上に形成された絶縁膜を残しつつ、レジスト上に形成された絶縁膜を除去してレジストを露出させる。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition excellent in transparency particularly to radiation and dry etching resistance as a chemical amplification type resist and giving a resist pattern excellent in sensitivity, resolution, flatness, heat resistance, etc.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして特に放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与えるネガ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

After hardening the resist, the substrate is dry-etched with a TCP dry etching device using the resulting resist pattern as a mask to transfer the resist pattern to the substrate and to obtain the objective MLA.例文帳に追加

レジストのハードニングを行なった後、レジストパターンをマスクとしてＴＣＰドライエッチング装置にて基板をドライエッチングしてレジストパターンを基板に転写し、ＭＬＡを得た。 - 特許庁

The thickness of the resist 16 is reduced by the etching, and a part of the deposit 18 is thrown down on an upper surface of the resist 16 and etched on the upper surface of the resist 16.例文帳に追加

エッチングによってレジスト１６の厚みを減少させ、堆積物１８の一部をレジスト１６の上面に倒し、レジスト１６の上面で堆積物１８の一部をエッチングする。 - 特許庁

A second resist layer is formed on a part 22 where the oxide layer is maximum in thickness, the oxide layer 12 is removed from the other parts 24 and 26 by etching using the second resist layer as a mask, and then the second resist is also removed.例文帳に追加

酸化物層が最大の厚さの部分２２に、第２のレジスト層を形成し、これをマスクとして他の部分２４，２６の酸化物層をすべてエッチング除去し、第２レジストも除去する。 - 特許庁

The film 16 is subjected to dry etching through a resist 17 having an aperture and after a contact hole 18 is formed in the resist 17 and the film 16, the resist 17 is removed with an oxygen plasma.例文帳に追加

開口を有するレジスト１７を通して絶縁膜１６をドライエッチングし、コンタクトホール１８を形成した後、レジスト１７を酸素プラズマで除去する。 - 特許庁

After the resist film 13 is covered, the film 14 and first resist film 12 are patterned by removing the film 14 and resist films 13 and 12 by dry etching.例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより、ＳＯＧ膜１４、第２のレジスト膜１３、第１のレジスト膜１２を除去し、ＳＯＧ膜１４と第１のレジスト膜１２をパターニングする。 - 特許庁

By developing the resist film 313, a resist pattern is formed and etching is executed to the semiconductor layer 312 by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

レジスト膜３１３を現像することによって、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして半導体層３１２に対してエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a resist ink having excellent resist tendencies as well as printability to be used for obtaining optimum fine images desired for various electronic parts by etching, and to provide a method for forming a resist pattern using the ink.例文帳に追加

各種電子部品として所望される最適な微細画像を、エッチングで得るために用いる、レジスト適性はもとより、印刷適性に優れるレジストインキ、及び、該インキを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer composition for resist, which forms a resist pattern having high dry-etching resistance, and also to provide a method of manufacturing a resist composition.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性を有するレジストパターンを形成できるレジスト用重合体組成物およびレジスト組成物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A positive electrode terminal 7 is formed on a positive electrode body exposed part, whereby resist penetrates into the etching layer on a part in contact with the resist layer to increase the degree of adhesion between the substrate 1 and the resist layer.例文帳に追加

これにより、レジスト層と接触する部分ではエッチング層の内部にレジストが浸透し、基板１とレジスト層との密着度が高くなる。 - 特許庁

To perform a high-precision process by suppressing the shooting-out of a resist or striation caused by resist damage when patterns are formed by dry etching by using a resist of post-ArF lithography generation as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

To provide a polymer capable of forming a resist pattern having a high resolution and exhibiting excellent etching resistance, a positive resist composition and a resist pattern-forming method.例文帳に追加

高解像性で、しかもエッチング耐性にも優れたレジストパターンを形成できる重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative resist material having higher resolution than conventional negative resist materials, giving a good pattern profile after exposure, and exhibiting excellent etching resistance, particularly a chemically amplified negative resist material and a pattern forming method.例文帳に追加

下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 - 特許庁

In removing a resist after dry etching in the step of manufacturing a mask, this method has a step of irradiating light, before removing the resist and a step of removing the resist irradiated with light by a developer thereafter.例文帳に追加

マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジストを剥離する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To realize a resist composition having dry etching resistance, that is less likely to cause collapse of a resist pattern, capable of preventing acid leaching, and is superior in basic properties as a resist.例文帳に追加

ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、レジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。 - 特許庁

After the photo-resist 20 is sensitized, the unnecessary part of the photo-resist 20 is cleaned, and this surface acoustic wave element 10 is immersed in etching liquid in a state that the photo-resist 20 is deposited to a prescribed position.例文帳に追加

フォトレジスト２０が感光した後、フォトレジスト２０の不用部分を洗浄し、所定の位置にフォトレジスト２０が付着した状態で、エッチング液に弾性表面波素子１０を浸す。 - 特許庁

That is, after etching its ferroelectrics film by using a resist as a mask, it is subjected to the wet processings by using the aqueous solution of the phosphoric acid, after a resist ashing or both before and after the resist ashing.例文帳に追加

レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 - 特許庁

After a resist layer thicker than a step is formed on an upper surface of the substrate based on the layers 14a, 16a, this resist layer is thinned by a sheet type ashing or etching process, so that resist layers 20A, 20B are left behind.例文帳に追加

基板上面に層１４ａ，１６ａに基づく段差より厚くレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシングまたはエッチング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁

Each substrate 60 is connected while passing through a downstream-side etching part 4, and then dissolved and has its resist removed with resist removing liquid while passing through a resist removal part 5.例文帳に追加

各基板６０は下流側のエッチング部４を通過する間は連結状態を維持し、レジスト除去部５を通過する間にレジスト除去液で溶解・除去される。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition capable of forming a thinner resist film and excellent in dry etching resistance, resolution and cross sectional form of a resist pattern.例文帳に追加

本発明は、レジスト膜厚の薄膜化にも対応可能な、耐ドライエッチング性、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resist layer is developed, a resist pattern is formed on the surface of the substrate, etching treatment using the resist pattern as a mask is performed, and, thereby, a rugged structure is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

レジスト層を現像して、基板の表面にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、基板の表面に凹凸構造を形成する。 - 特許庁

The method of framing the resist pattern includes a step of forming the resist pattern on a material worked by discharging a composition containing a photosensitive agent to the material under reduced pressure, and a step of etching the material by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist removing composition excellent in power to remove not only a resist but also an etching by-product such as a polymer, causing no damage to a film under the resist and having such a moderate viscosity as not to leave residua and residue after rinsing with deionized water.例文帳に追加

レジストだけでなくポリマーのようなエッチング副産物の除去力に優れ、下部膜を損傷させず、脱イオン水リンス後に残査及び残留物が残らないように適当な粘度を有する組成物を提供する。 - 特許庁

To perform highly accurate processing in which punch-through of resist and striation due to resist damage are suppressed, in pattern formation by dry etching using a resist after the generation of ArF lithography as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

To provide a resist release agent peeling ability of which is hardly lowers even when resist is dissolved by repetitive use, and the etching method of a thin plate using the resist release agent.例文帳に追加

繰り返しの使用によりレジストが溶け込んでも剥離能力の低下が起こりづらいレジスト剥離剤、及びそのレジスト剥離剤を用いた薄板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lower layer resist composition excellent in dry etching resistance and uniformity of film thickness as a lower layer resist composition for a silicon-containing two-layer resist.例文帳に追加

シリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物において、ドライエッチング耐性、膜厚均一性に優れた下層レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

After forming a resist layer 22 with a hole 22a exposing the shoulder of the insulating film 16a and the neighboring part of the resist layer 20B, a connecting hole 24 is formed by wet etching utilizing the resist layers 22, 22B as masks.例文帳に追加

絶縁膜１６ａの肩部とその近傍のレジスト層２０Ｂの一部とを露呈する孔２２ａを有するレジスト層２２を形成した後、レジスト層２２，２０Ｂをマスクとするウェットエッチング処理により接続孔２４を形成する。 - 特許庁

The mask blank 1 comprises a light-shielding film 12 and a resist film 14 layered on a light-transmitting substrate 11, wherein the etching rate of the resist film 14 in dry etching using an etching gas containing a chlorine-based gas is 0.5 time or less as the etching rate of the light-shielding film 12 in the same dry etching.例文帳に追加

透光性基板１１上に遮光性膜１２およびレジスト膜１４が積層されたマスクブランクス１において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜１３のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜１２のエッチング速度の０．５倍以下である。 - 特許庁

The use of this type of etching gas allows good etching selectivity for a resist mask to be obtained while securing an etching rate of the electrode layer 4.例文帳に追加

また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。 - 特許庁

In this etching method, an HBr gas is used as an etching gas in a process of etching an antireflection film 5 and therefore the progression of trimming is suppressed in a resist pattern 6a.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、反射防止膜５をエッチングする工程において、エッチングガスとしてＨＢｒガスを用いるので、レジストパターン６ａにおけるトリミングの進行が抑制される。 - 特許庁

To provide an anisotropic etching processing method where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.例文帳に追加

本発明は、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁