「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method to determine a resist trimming time in an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスにおけるレジストトリミング時間を決定するための方法を提供する。 - 特許庁

To improve a resist selectivity while suppressing a dimensional conversion difference in microwave plasma etching.例文帳に追加

マイクロ波プラズマエッチングにおける寸法変換差を抑制しつつ、レジスト選択比を向上させる - 特許庁

To form a step-like resist pattern having excellent etching durability and heat resistance.例文帳に追加

耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。 - 特許庁

To uniformly sprinkle a resist liquid or an etching liquid over a material to be processed without lowering productivity.例文帳に追加

生産性の低下を招くことなく被加工材にレジスト液やエッチング液を均一に散布すること。 - 特許庁

Finally, the resist layers 11 and 12 are removed by etching as shown in (d).例文帳に追加

最後に、(ｄ）に示すように上記レジスト層１１，１２をエッチングなどによって除去する。 - 特許庁

The low-pressure processing device 10 uses a resist pattern as a mask to carry out etching processing on a wafer.例文帳に追加

減圧処理装置１０は、レジストパターンをマスクとしてウェハにエッチング処理を施す。 - 特許庁

COMPOSITION FOR NANOIMPRINT, PATTERN FORMING METHOD, ETCHING RESIST, AND PERMANENT FILM例文帳に追加

ナノインプリント用組成物、パターン形成方法、エッチングレジストおよび永久膜 - 特許庁

To improve etching resistance by increasing a resist film thickness in a lithography process step.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、レジスト膜厚を厚くしてエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a resist film processing unit that can improve an etching resistance.例文帳に追加

エッチング耐性を向上することが可能なレジスト膜処理装置を提供する。 - 特許庁

By etching with the first resist pattern 8 as a mask, a connection hole pattern is formed in the inorganic stopper layer 7 and the first insulation film 6.例文帳に追加

第１のレジストパターン８上から有機絶縁膜５をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for etching a metal layer using an imprinted resist material.例文帳に追加

インプリントレジスト材料を用いて金属層をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

A photo resist needs to be elaborated in order to carry out accurate dry-etching of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のドライエッチングを精度よく行なうため、フォトレジストに工夫を凝らす。 - 特許庁

RESIST INK COMPOSITION AND METHOD OF ETCHING BY USING THE SAME例文帳に追加

レジストインキ組成物及び該レジストインキ組成物を用いたエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF SIMULTANEOUSLY TREATING WASTE COPPER ETCHING SOLUTION AND WASTE RESIST SOLUTION AND CHEMICAL AGENT FOR USE THEREIN例文帳に追加

銅エッチング廃液とレジスト廃液を同時に処理する方法及びそれに使用する薬剤 - 特許庁

Successively, the resist R in a zone as non-etching objective in the thin sheet 12 is disposed.例文帳に追加

次いで、薄板１２のエッチング対象とならない領域にレジストＲを配設する。 - 特許庁

To improve etching resistance by increasing a resist film thickness in a lithography process step.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、効率的にレジスト膜厚を厚くしてエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

After the resist mask 11 is removed, the insulating film 8 is removed by etching.例文帳に追加

レジストマスク１１を除去した後に、絶縁膜８をエッチングにより除去する。 - 特許庁

RESIST MATERIAL, ETCHING PATTERN FORMING METHOD AND CONDUCTIVE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

レジスト材料、エッチングパターンの形成方法及び導電性パターンの形成方法 - 特許庁

The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.例文帳に追加

該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁

Plasma is generated in the etching area to convert the process gas into an etchant gas to realize the anisotropic etching process where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.例文帳に追加

プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。 - 特許庁

In a series of dry etching, the resist mask RM1 is used as a common etching mask in the etching of each layer, and a common etching device is used for execution.例文帳に追加

この一連のドライエッチングに際しては、各層のエッチングにおいてレジストマスクＲＭ１を共通のエッチングマスクとして使用し、共通のエッチング装置を用いて実行する。 - 特許庁

To provide an etching control device which enables real time automatic control of a composition of an etchant, as the etching control device for controlling an etching device for etching a printed circuit board etc., subjected to pattern resist.例文帳に追加

パターンレジストされたプリント配線基板等をエッチングするエッチング装置を制御するエッチング制御装置において、エッチング液の組成のリアルタイム自動制御を可能にしたエッチング制御装置を提供する。 - 特許庁

A surface on a non-etching side of a copper layer is plated to a resin substrate while a layer having an etching rate slower than that of copper is formed on an etching surface side of the copper layer, and a resist pattern for forming a circuit is formed on an etching surface.例文帳に追加

銅層のエッチング面側に、銅よりエッチングレートの遅い層を形成すると共に、前記銅層の非エッチング側の面を樹脂基板に張付け、エッチング面に回路形成用レジストパターンを形成する。 - 特許庁

In the electro-optical device, a resist mask is formed on a TFT array substrate 10, and thereafter, an etching is performed in an etching gas environment containing oxygen, thereby, the resist mask is subjected to the etching and, at the same time, the surface of TFT array substrate 10 is subjected to the etching.例文帳に追加

電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０にレジストマスクを形成した後、酸素を含有するエッチングガス中でエッチングを行なうことにより、レジストマスクをエッチングしながらＴＦＴアレイ基板１０の表面をエッチングする。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

An SiO2 film 2 and a resist (resist pattern) 3 of an upper layer are formed on a resist 1 of a lower layer, O2 gas singly is used as etching gas and the SiO2 film 2, and the resist 1 of a lower layer are etched by using the resist 3 of an upper layer as a mask.例文帳に追加

下層のレジスト１上にＳｉＯ_2 膜２、上層のレジスト（レジストパターン）３を形成し、エッチングガスとしてＯ_2 ガス単体を使用し、上層のレジスト３をマスクにしてＳｉＯ_2 膜２および下層のレジスト１をエッチングする。 - 特許庁

The resist resin composition for glass etching contains (A) a polyarylate resin, (B) a photoacid generator, (C) a silane coupling agent, and the method for forming a circuit uses the resist resin composition for glass etching.例文帳に追加

（Ａ）ポリアリレート樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）シランカップリング剤を含有することを特徴とするガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそのガラスエッチング用レジスト樹脂組成物を用いた回路形成方法。 - 特許庁

After a first sacrificial layer is formed by etching using the resist mask, a second sacrificial layer is formed by etching using the resist mask where the pattern is formed by using the same photomask.例文帳に追加

レジストマスクにより第１の犠牲層をエッチングして形成した後に、同一のフォトマスクを使用してパターンを形成されたレジストマスクを用いて第２の犠牲層をエッチングして形成する。 - 特許庁

To provide etching resist ink which reduces operation environmental problems and environmental problems such as atmospheric pollution and whose resist has superior performance in curing sensitivity, etching resistance, adhesion, etc.例文帳に追加

作業環境問題や大気汚染等の環境問題を低減し、しかもそのレジストの性能、特に硬化感度、耐エッチング性、接着性等に優れたエッチングレジストインクを提供すること。 - 特許庁

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、ＲＩＥ法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、ＣＨＦ_3とＣＦ_4とＡｒとの混合ガスにより、層間絶縁膜３のエッチング及びレジスト表面のシリル化層８除去を繰り返す。 - 特許庁

To provide a resist undercoat forming composition excellent in etching resistance and forming an undercoat pattern which hardly bends in a dry etching process and faithfully transfers a resist pattern to a workpiece substrate with good reproducibility.例文帳に追加

エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて、下層膜パターンが折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist lower layer film material for a three-layer resist process having an optimal n-value and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching conditions and excellent embedding characteristics on a stepped substrate.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性と段差基板上での埋めこみ特性にも優れている、３層レジストプロセス用レジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

In the next step, after removing the resist film 36 outside the wiring groove 35 by means of dry-etching method, the resist film 36 inside the groove is removed by means of wet-etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチングにより、配線溝３５の外側にあるレジスト膜３６を除去した後、ウェットエッチングにより、配線溝３５の内部にあるレジスト膜３６を除去する。 - 特許庁

The resist film 17 is removed and the surface of the interlayer insulating film 16 is flattened by isotropically etching the interlayer insulating film 16 and the resist film 17 which are left after anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングで残された層間絶縁膜１６及びレジスト膜１７を等方性エッチングすることによって、レジスト膜１７を除去すると共に層間絶縁膜１６の表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide resist for metal foil etching, which is heat drying type resist ink and can suppress the occurrence of a pinhole during etching processing using acid, and to provide a metal foil pattern forming method.例文帳に追加

熱乾燥型レジストインキであって、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチング用レジストの提供、および金属箔パターン形成方法の提供。 - 特許庁

ETCHING RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD USING THE SAME, AND WATER-SOLUBLE POLYMER FOR ETCHING RESIST COMPOSITION例文帳に追加

エッチングレジスト組成物、これを用いたパターン形成方法及び配線基板の製造方法およびエッチングレジスト組成物用水溶性重合体 - 特許庁

To provide a novel etching method which can avoid great damage to a photo resist as an etching mask and can suitably remove an unwanted part of an anti-reflection film to be exposed from the photo resist.例文帳に追加

エッチングマスクとなるフォトレジストに大きな損傷を与えることなく該フォトレジストから露出する反射防止膜の不要部分を好適に除去し得る新規なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a second dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the lower layer resist 11 as a mask and in a second ashing step, the lower layer resist 11 is removed.例文帳に追加

第２のドライエッチング工程で、下層レジスト１１をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第２のアッシング工程で、下層レジスト１１を除去する。 - 特許庁

After patterning the resist 32 of an etching mask by applying a resist 30 around a substrate 10, the thickness of the substrate 10 is reduced by etching the rear surface 10b of the substrate 10 except the outer peripheral section of the surface 10b.例文帳に追加

基板１０の周囲にレジスト３０を塗布してエッチング用マスクのレジスト３２をパターニングし、基板１０の裏面１０ｂであって、裏面１０ｂの外周部以外の部分をエッチングして基板１０の厚みを減ずる。 - 特許庁

Then, the etching resist 22 are exposed and sensitized, whereby a hole having a diameter of 140 μm is bored in the etching resist 22 at a point where the through-hole 14 of a metal mask 13 is to be provided.例文帳に追加

次に、露光・感光を行なって、メタルマスク１３の透孔１４の形成予定箇所のエッチングレジスト２２に、直径１４０μｍの穴を開ける。 - 特許庁

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high.例文帳に追加

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To enable easily to remove a coating formed on the surface of a resist when dry-etching, in removing the resist after dry etching, in a step of manufacturing a mask.例文帳に追加

マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、ドライエッチング時にレジスト表面に形成された皮膜を簡単に除去できるようにしたい。 - 特許庁

As etching masks in an etching process on a metal base 1, a permanent dry-film resist is used on one surface, and a removable dry-film resist or noble-metal plating for bonding is used on the other surface.例文帳に追加

金属基材１のエッチング工程で、エッチングマスクとして、片面に永久ドライフィルムレジストを用い、もう一方の面に剥離型ドライフィルムレジスト又はボンディング用の貴金属めっきを用いる。 - 特許庁

According to this method, the products of etching 5, produced by the over etching of the material of electrode or the like, are adhered to the side wall of the opening 3b of the resist mask 3, which becomes the tapered configuration, while the etching is continued still whereby the products of etching hardly remain when the etching is finished.例文帳に追加

これにより、電極材のオーバーエッチングなどによって生成するエッチング生成物５は、テーパ形状となるレジストマスク３の開口部３ｂの側壁に付着してもエッチングされるため、エッチング終了時には残留しにくくなる。 - 特許庁

The etching method comprises the steps of: forming a resist 10 on the surface of a masking material 9 layered on an electroconductive foil 11 of a material to be etched; forming a pattern on the resist 10; etching the masking material 9 by using the resist 10 as a mask; removing the resist 10; and etching the electroconductive foil 11 of the material to be etched, through the masking material 9.例文帳に追加

本実施の形態のエッチング方法は、被エッチング材である導電箔１１に積層されたマスク材９の表面にレジスト１０を形成する工程と、レジスト１０をパターニングする工程と、レジスト１０をマスクとして用いてマスク材９をエッチングする工程と、レジスト１０を除去する工程と、マスク材９を介して被エッチング材である導電箔１１をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁